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变形光束的优化增大了焦深
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作者 葛劲冲 《电子工业专用设备》 1996年第4期49-56,共8页
不用离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制成功，为ＫｒＦ（２４８ｎｍ）准分子激光光刻技术生产第二代６４ＭＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新方法制作０．３５μｍ的Ｘ、Ｙ向及斜向的图形，可使焦深增大４５％以上。对实际的０．... 不用离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制成功，为ＫｒＦ（２４８ｎｍ）准分子激光光刻技术生产第二代６４ＭＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新方法制作０．３５μｍ的Ｘ、Ｙ向及斜向的图形，可使焦深增大４５％以上。对实际的０．３０μｍ规格以下的器件，用四极照明和环形照明都不可能获得线问对图形的公共焦深。对这种器件，采用新型的变形光束（ＭＢＩ）曝光方法，焦深可增大到１．１μｍ以上。 展开更多
关键词 MBI曝光方法 焦深改进 变形光束 光刻技术
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