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光致发光技术PL(PhotoLuminescence)分析结晶硅片及电池片
1
作者
T.Trupke
R.A.Bardos
+1 位作者
J.Nyhus
鲁永强
《中国建设动态(阳光能源)》
2010年第2期62-62,64-66,共4页
类稳态光致发光技术(QSS-PL)是一项很有效,定量分析硅片及电池片的工具。类稳态光致发光技术(QSS-PL)的运用不仅在研究开发方面,也适合在线硅片高速分选。
关键词
原生硅片
发射极
磷
扩散
有效寿命
体寿命
注入条件
背景掺杂浓度
过剩少子浓度
陷阱现象
空乏区
钝化
表面合复速度
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职称材料
题名
光致发光技术PL(PhotoLuminescence)分析结晶硅片及电池片
1
作者
T.Trupke
R.A.Bardos
J.Nyhus
鲁永强
机构
BT Imaging Pty Ltd
REC ScanWafer AS
北京华通特瑞光电科技有限公司
台北广集股份有限公司
出处
《中国建设动态(阳光能源)》
2010年第2期62-62,64-66,共4页
文摘
类稳态光致发光技术(QSS-PL)是一项很有效,定量分析硅片及电池片的工具。类稳态光致发光技术(QSS-PL)的运用不仅在研究开发方面,也适合在线硅片高速分选。
关键词
原生硅片
发射极
磷
扩散
有效寿命
体寿命
注入条件
背景掺杂浓度
过剩少子浓度
陷阱现象
空乏区
钝化
表面合复速度
Keywords
As cut silicon wafer, Phosphorous emitter diffusion, Effective lifetime, Bulk lifetime ,Injection level,Background doping concentration, Excess minority carrier density, Trapping, Space charge regions, Passivation, Surface recombination velocity
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光致发光技术PL(PhotoLuminescence)分析结晶硅片及电池片
T.Trupke
R.A.Bardos
J.Nyhus
鲁永强
《中国建设动态(阳光能源)》
2010
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