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应用于变化条件下延时分析的反相器模型
被引量：
1
1
作者
王新胜
喻明艳
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期1448-1452,共5页
本文提出了一个考虑衬底耦合效应的门延迟模型.该模型在考虑衬底耦合效应下转换CMOS反相器的延迟为等效电阻和电容(RC)网络延迟.考虑工艺参数扰动和衬底耦合效应对门延时的影响,建立基于工艺扰动的简单开关电容门延迟模型,结合随机配置...
本文提出了一个考虑衬底耦合效应的门延迟模型.该模型在考虑衬底耦合效应下转换CMOS反相器的延迟为等效电阻和电容(RC)网络延迟.考虑工艺参数扰动和衬底耦合效应对门延时的影响,建立基于工艺扰动的简单开关电容门延迟模型,结合随机配置法和多项式的混沌展开法分析门延时.利用数值计算方法对本模型和分析方法进行验证,结果表明与HSPICE精确模型仿真结果的相对误差小于2%,证明本模型和分析方法的有效性.
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关键词
工艺变化
反相器
门
延时
模型
衬底耦合效应
多项式混沌
下载PDF
职称材料
题名
应用于变化条件下延时分析的反相器模型
被引量：
1
1
作者
王新胜
喻明艳
机构
哈尔滨工业大学航天学院
哈尔滨工业大学威海校区
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期1448-1452,共5页
基金
青年科学基金项目(No.6120307)
文摘
本文提出了一个考虑衬底耦合效应的门延迟模型.该模型在考虑衬底耦合效应下转换CMOS反相器的延迟为等效电阻和电容(RC)网络延迟.考虑工艺参数扰动和衬底耦合效应对门延时的影响,建立基于工艺扰动的简单开关电容门延迟模型,结合随机配置法和多项式的混沌展开法分析门延时.利用数值计算方法对本模型和分析方法进行验证,结果表明与HSPICE精确模型仿真结果的相对误差小于2%,证明本模型和分析方法的有效性.
关键词
工艺变化
反相器
门
延时
模型
衬底耦合效应
多项式混沌
Keywords
process variation
inverter gate delay model
substrate coupling effect
polynomial chaos theory
分类号
TP211 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用于变化条件下延时分析的反相器模型
王新胜
喻明艳
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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