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反应磁控溅射的进展 被引量:29
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作者 茅昕辉 陈国平 蔡炳初 《真空》 CAS 北大核心 2001年第4期1-7,共7页
反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍... 反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍了中频溅射在减反膜。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 中频溅射 脉冲溅射 化合物薄膜 迟滞效应 制备 打火 抑制途径 靶中毒
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硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究 被引量:16
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作者 许生 侯晓波 +6 位作者 范垂祯 赵来 周海军 吴克坚 高文波 颜远全 查良镇 《真空》 CAS 北大核心 2001年第5期1-6,共6页
报道了中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅 (Si O2 )薄膜的装置、工艺及薄膜特性。对制备的 Si O2 薄膜的化学配比和元素化学态进行了 SAM和 XPS分析 ,测试了膜层对钠离子 (Na+ )阻挡性能、光学折射率和可见光的透过率。研究表明作者开... 报道了中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅 (Si O2 )薄膜的装置、工艺及薄膜特性。对制备的 Si O2 薄膜的化学配比和元素化学态进行了 SAM和 XPS分析 ,测试了膜层对钠离子 (Na+ )阻挡性能、光学折射率和可见光的透过率。研究表明作者开发的中频双靶反应磁控溅射沉积 Si O2 薄膜的设备和工艺可以高速率、大面积制备高质量的 Si O2 膜。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 二氧化硅 薄膜 制备 性质 化学配比 ITO透明导电玻璃 元素 化学态 分析 阻挡性 镀膜 阻挡层
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沉积速率及相关工艺条件对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜性质的影响 被引量:15
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作者 张永熙 沈杰 +4 位作者 杨锡良 陈华仙 陆明 严学俭 章壮健 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期13-18,共6页
在玻璃基板上用直流反应磁控溅射钛靶的方法制备TiO2 薄膜。在溅射总气压为 0 4Pa ,氧氩比分别为 1∶9,1∶5及 1∶3 2的情况下 ,调节溅射功率使沉积速率由 0 99nm/min变化到 12 12nm/min ,而且当基板温度为 34 0℃时 ,薄膜在可见光... 在玻璃基板上用直流反应磁控溅射钛靶的方法制备TiO2 薄膜。在溅射总气压为 0 4Pa ,氧氩比分别为 1∶9,1∶5及 1∶3 2的情况下 ,调节溅射功率使沉积速率由 0 99nm/min变化到 12 12nm/min ,而且当基板温度为 34 0℃时 ,薄膜在可见光范围内的平均折射率基本不变 ,为 2 48± 0 0 3,而薄膜的表面形貌却有明显变化。XRD表明 ,在pO2 /pAr为 1∶9的条件下 ,薄膜中出现了TiOx(x <2 )的晶粒 ,但这对薄膜的光学性质并无影响。另外对TiO2 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 反应磁控溅射 光学性质 光学薄膜
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ZnO∶Al透明导电薄膜的研制 被引量:12
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作者 应春 沈杰 +2 位作者 陈华仙 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第2期125-129,共5页
介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性,阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景,并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况:靶的制备及薄膜的制备过程。测量... 介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性,阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景,并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况:靶的制备及薄膜的制备过程。测量了薄膜的光电特性,包括透射比、折射率、消光系数、方块电阻、电阻率、载流子浓度和迁移率等参数,并分析了各种实验条件对薄膜性能的影响。 展开更多
关键词 掺铝 氧化锌 薄膜 反应磁控溅射 透明 导电
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光学薄膜领域反应磁控溅射技术的进展 被引量:18
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作者 闫宏 赵福庭 《光学仪器》 2004年第2期109-114,共6页
光学薄膜领域应用反应磁控溅射技术已有多年,反应磁控溅射对提高薄膜质量及降低工艺成本的作用,已受到业界的重视,正在进入工业生产之中。对光学薄膜领域中反应磁控溅射技术中的相关问题进行了评述,提出了一种可能的方案。
关键词 反应磁控溅射 光学薄膜 滤光片 镀膜 RMS
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AlN在AlN/VN纳米多层膜中的相转变及其对薄膜力学性能的影响 被引量:16
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作者 劳技军 胡晓萍 +2 位作者 虞晓江 李戈扬 顾明元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期2259-2263,共5页
采用反应磁控溅射制备了AlN VN纳米多层膜 .研究了多层膜调制周期对AlN生长结构的影响以及纳米多层膜的力学性能 .结果表明 :小周期多层膜中的AlN以亚稳的立方相 (c AlN)存在并与VN形成共格外延生长的超晶格 .薄膜产生硬度和弹性模量升... 采用反应磁控溅射制备了AlN VN纳米多层膜 .研究了多层膜调制周期对AlN生长结构的影响以及纳米多层膜的力学性能 .结果表明 :小周期多层膜中的AlN以亚稳的立方相 (c AlN)存在并与VN形成共格外延生长的超晶格 .薄膜产生硬度和弹性模量升高的超硬效应 .大调制周期下 ,AlN从立方结构转变为稳定的六方相 (h AlN) ,并使多层膜形成纳米晶的“砖墙”型结构 .讨论认为VN的模板作用有利于c AlN的生长 。 展开更多
关键词 AlN/VN纳米多层膜 相转变 力学性能 外延生长 亚稳相 氮化铝 反应磁控溅射 结构
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磁控溅射制备CrN_x薄膜及其结构和性能研究 被引量:15
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作者 田俊红 《真空与低温》 2007年第3期159-162,共4页
采用反应磁控溅射技术制备了CrNx薄膜,并研究了氮气分压对CrNx薄膜的沉积速率、结构和摩擦系数的影响。研究发现:采用反应磁控溅射技术能有效地抑制靶中毒现象,薄膜的沉积速率变化仅仅是由于氩和氮对靶的溅射产率不同造成的。通过调节... 采用反应磁控溅射技术制备了CrNx薄膜,并研究了氮气分压对CrNx薄膜的沉积速率、结构和摩擦系数的影响。研究发现:采用反应磁控溅射技术能有效地抑制靶中毒现象,薄膜的沉积速率变化仅仅是由于氩和氮对靶的溅射产率不同造成的。通过调节不同的氮分压,可将CrNx薄膜的结构在很大的范围内调控,从Cr到Cr2N,到无定形,一直到CrN多种结晶形态的变化。且制备出的CrNx薄膜晶粒细小致密,晶粒和粒径分布都很均匀,晶粒在几十纳米左右。CrN薄膜的摩擦系数在0.70左右,无定形态CrNx和Cr2N的摩擦系数相对比较小,在0.20 ̄0.30之间;Cr薄膜与钢球和氮化硅球对磨的摩擦系数相差比较大,分别为0.55和0.72。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 CrNx 结构 摩擦系数
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反应磁控溅射ZnO薄膜的高温退火研究 被引量:5
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作者 陈汉鸿 吕建国 +2 位作者 叶志镇 汪雷 赵炳辉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第6期467-469,449,共4页
ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原... ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原子和O空位 ,在薄膜中存在应力。通过高温退火 ,可以使应力得到弛豫 ,降低O空位和Zn间隙原子的浓度 ,提高薄膜的化学计量比和改善薄膜的结晶质量。本实验用XRD和AFM研究了高温退火对ZnO薄膜的晶体性能和表面的影响。对ZnO薄膜在退火处理后c轴方向的应力性质的转变作了机理上的探讨。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 ZNO薄膜 高温退火 应力转变 间隙锌原子 氧空位 氧化锌 半导体
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直流反应磁控溅射法注积ZrN薄膜 被引量:5
9
作者 吴大维 张志宏 +2 位作者 罗海林 郭怀喜 范湘军 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期207-208,共2页
采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在(100)晶向硅片上ZrN薄膜按(111)晶向生长,控制生长工艺可以获得ZrN(111)晶向的外延生长膜.
关键词 薄膜 反应磁控溅射 外延生长 氮化锆
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沉积工艺对二氧化锆薄膜生长特性影响的研究 被引量:9
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作者 齐红基 程传福 +3 位作者 袁景梅 邵建达 范正修 黄立华 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期974-979,共6页
利用反应离子束溅射、反应磁控溅射和电子束蒸发在K9基底上沉积ZrO2 薄膜 ,并用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行测量。通过数值相关运算 ,对不同工艺条件下薄膜生长界面进行定量描述 ,得到了薄膜表面的粗糙度指数、横向相关长度、标准... 利用反应离子束溅射、反应磁控溅射和电子束蒸发在K9基底上沉积ZrO2 薄膜 ,并用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行测量。通过数值相关运算 ,对不同工艺条件下薄膜生长界面进行定量描述 ,得到了薄膜表面的粗糙度指数、横向相关长度、标准偏差粗糙度等参量。由于沉积条件的不同 ,薄膜生长具有不同的动力学过程。在反应离子束溅射和反应磁控溅射沉积薄膜过程中 ,薄膜生长动力学行为均可用Kuramoto Sivashinsky方程来描述 ,电子束蒸发制备薄膜的过程可以用Mullins扩散模型来描述 。 展开更多
关键词 沉积工艺 二氧化锆薄膜 生长特性 反应离子束溅射 反应磁控溅射 电子束蒸发 原子力显微镜 表面形貌 动力学过程
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反应磁控溅射技术的发展情况及趋势 被引量:11
11
作者 王治安 刘晓波 +4 位作者 刘维 王军生 韩大凯 戴彬 童洪辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1229-1236,共8页
综述了反应磁控溅射技术的发展情况。分析了模拟反应磁控溅射的/Berg0经典模型;详述了反应磁控溅射过程中迟滞效应和打火现象的产生原理及过程;分析了消除迟滞效应和打火现象的各种方法并提出个人的观点;展望了反应磁控溅射技术的发展... 综述了反应磁控溅射技术的发展情况。分析了模拟反应磁控溅射的/Berg0经典模型;详述了反应磁控溅射过程中迟滞效应和打火现象的产生原理及过程;分析了消除迟滞效应和打火现象的各种方法并提出个人的观点;展望了反应磁控溅射技术的发展趋势。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 迟滞效应 打火 “Berg”模型
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磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究 被引量:9
12
作者 李勇 孙成伟 +1 位作者 刘志文 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期4232-4237,共6页
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时,Zn的... 通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时,Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强度基本保持不变;当沉积温度介于250—550℃时,光谱强度随沉积温度的增加呈线性增加的趋势;当沉积温度大于550℃以后,光谱强度随沉积温度的增加而迅速增加.通过沉积温度的控制可以实现满足或接近化学计量配比的ZnO薄膜的生长,适合高质量ZnO薄膜沉积的温度介于650—800℃,750℃下沉积的ZnO薄膜具有比较低的缺陷密度和明显的室温紫外光致荧光发射. 展开更多
关键词 ZNO 薄膜生长 反应磁控溅射 等离子体发射光谱
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气压及偏压对磁控溅射TaN薄膜力学性能影响 被引量:10
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作者 刘星 马国佳 +2 位作者 孙刚 段玉平 刘顺华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期54-60,共7页
采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响。利用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜分析薄膜化学结构及形貌,利用纳米压痕、划痕实验仪对薄膜力学性能进行测定... 采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响。利用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜分析薄膜化学结构及形貌,利用纳米压痕、划痕实验仪对薄膜力学性能进行测定。研究表明,制备气压上升影响六方TaN相择优取向,气压、Ar/N2流量比及偏压改变对TaN薄膜力学性能有较大影响。实验证明在1.1×10-1Pa,偏压100V下制备的TaN薄膜具有最高硬度32.4 GPa,最高结合力极限载荷27 N。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 TaN薄膜 气压 偏压 力学性能
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衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响 被引量:7
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作者 王忠良 刘桥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期47-49,共3页
采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,... 采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23nm。 展开更多
关键词 无机非金属材料 AlN压电薄膜 反应磁控溅射 择优取向
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反应磁控溅射制备Ti-Si-N薄膜的摩擦磨损性能 被引量:8
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作者 马大衍 马胜利 +1 位作者 徐可为 S.Veprek 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1308-1312,共5页
用反应磁控溅射方法,在不锈钢表面沉积Ti Si N薄膜。用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌,Ti Si N颗粒尺寸小于0.1μm,用亚微压入仪测试薄膜硬度,当硅的摩尔分数为9.6%时,薄膜硬度出现最大值47GPa。球盘式摩擦磨损结果表明,Ti Si N薄膜的... 用反应磁控溅射方法,在不锈钢表面沉积Ti Si N薄膜。用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌,Ti Si N颗粒尺寸小于0.1μm,用亚微压入仪测试薄膜硬度,当硅的摩尔分数为9.6%时,薄膜硬度出现最大值47GPa。球盘式摩擦磨损结果表明,Ti Si N薄膜的耐磨性能明显优于TiN薄膜,加入少量硅元素后,TiN薄膜的抗磨损性能有显著提高,但Ti Si N薄膜的室温摩擦系数较高(0.6~0.8),高温下摩擦系数也仅轻微降低(550℃,0.5~0.6)。由于Ti Si N薄膜的摩擦系数可能与磨损中氧化物生成量的增加有关,常温下Ti Si N薄膜的摩擦系数随硅摩尔分数的增加而增大,而高温下Ti Si N薄膜的摩擦系数随硅含量上升而降低。 展开更多
关键词 Ti—Si—N薄膜 反应磁控溅射 摩擦学
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衬底温度对FeCrCoNiMn高熵合金氮化物薄膜组织结构和电性能的影响 被引量:9
16
作者 杨克蒋 张国庆 +1 位作者 汪亮兵 罗永春 《金属功能材料》 CAS 2018年第2期36-42,共7页
采用射频反应磁控溅射法在Si(100)衬底上制备出纳米晶高熵合金FeCrCoNiMn氮化物薄膜,结合场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子显微探针(EPMA)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)及四点探针(FPP)研究了衬底温度... 采用射频反应磁控溅射法在Si(100)衬底上制备出纳米晶高熵合金FeCrCoNiMn氮化物薄膜,结合场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子显微探针(EPMA)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)及四点探针(FPP)研究了衬底温度(40、300、500℃)对沉积薄膜的表面形貌、化学组成、微观结构和导电性能的影响。结果表明,衬底温度对高熵合金FeCrCoNiMn-N薄膜的形貌、组织结构和导电性能有显著影响。随衬底温度的升高,薄膜的表面粗糙度和颗粒/晶粒尺寸增大;与氮反应沉积后,含氮高熵合金薄膜中形成了Mn3N2、MnN、Cr2N和CrN金属氮化物,而Fe、Ni和Co元素则以Fe-Ni-Co合金相形式存在。不含氮合金薄膜其电阻率高达131.78mΩ·cm,加入氮沉积后,随衬底温度的增加,含氮薄膜的电阻率逐渐减小(6.14~0.43mΩ·cm),含氮合金薄膜的电阻率明显小于合金靶材的沉积膜,衬底温度500℃时薄膜的电阻率达到最小值0.43mΩ·cm。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 高熵合金薄膜 氮化物 导电性
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WO_x:Mo薄膜的结构及电致变色性能研究 被引量:6
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作者 黄佳木 施萍萍 吕佳 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期580-584,589,共6页
采用反应磁控溅射工艺,以纯钨和纯钼为靶材在ITO玻璃上制备Mo掺杂WOx电致变色薄膜,用薄膜的透射光谱和XRD衍射方法对掺杂后薄膜的电致变色性能和结构进行了分析,研究了Mo掺杂对WOx薄膜电致变色性能和微观结构的影响机理。实验结果表明:... 采用反应磁控溅射工艺,以纯钨和纯钼为靶材在ITO玻璃上制备Mo掺杂WOx电致变色薄膜,用薄膜的透射光谱和XRD衍射方法对掺杂后薄膜的电致变色性能和结构进行了分析,研究了Mo掺杂对WOx薄膜电致变色性能和微观结构的影响机理。实验结果表明:在一定掺杂范围内,Mo掺杂对薄膜电致变色性能有较大提高;掺杂越均匀,对薄膜电致变色性能的改善越显著。影响薄膜电致变色性能的相应掺杂量由溅射时间表示,相对掺量存在最佳值,即7.7%附近,薄膜的变色性能可得到最大的提高,按实验结果趋势分析掺杂量存在有效范围,超出有效掺杂范围,掺杂便会失效。XRD分析表明,掺杂Mo之后的WOx薄膜仍为非晶态,且非晶态有增强的趋势。 展开更多
关键词 掺杂氧化钨 钼掺杂 非晶态薄膜 电致变色 反应磁控溅射
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TiAlN/VN纳米多层膜的微结构与力学和摩擦学性能 被引量:9
18
作者 李淼磊 王恩青 +1 位作者 岳建岭 黄小忠 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期1280-1284,共5页
采用反应磁控溅射制备了Ti Al N/VN纳米多层膜,并使用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、纳米压痕仪和多功能摩擦磨损试验机对多层膜的微结构与力学和摩擦学性能进行了表征和分析。研究结果表明:不同调制... 采用反应磁控溅射制备了Ti Al N/VN纳米多层膜,并使用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、纳米压痕仪和多功能摩擦磨损试验机对多层膜的微结构与力学和摩擦学性能进行了表征和分析。研究结果表明:不同调制周期的Ti Al N/VN多层膜均呈典型的柱状晶生长结构,插入VN层并没有打断Ti Al N涂层柱状晶的生长。在一定调制周期下,Ti Al N/VN纳米多层膜中的Ti Al N和VN层之间能够形成共格生长结构,其硬度和弹性模量相比于Ti Al N单层膜均有显著提升,其中,Ti Al N(10 nm)/VN(10 nm)的硬度和弹性模量最大增量分别达到39.3%和40.9%。Ti Al N/VN纳米多层膜的强化主要与其共格界面生长结构有关。另外,Ti Al N单层膜的摩擦系数较高(~0.9),通过周期性地插入摩擦系数较低的VN层能够使得Ti Al N的摩擦系数大大降低,Ti Al N/VN纳米多层膜的摩擦系数最低为0.4。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 TiAlN/VN纳米多层膜 摩擦性能
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蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响 被引量:6
19
作者 刘明 刘志文 +3 位作者 谷建峰 秦福文 马春雨 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1133-1140,共8页
采用反应射频磁控溅射方法,在经过不同方法处理的蓝宝石基片上,在同一条件下沉积了ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、反射式高能电子衍射等分析技术,对基片和薄膜的结构、表面形貌进行了系统表征.研究结果显示,不同退火条件下的蓝... 采用反应射频磁控溅射方法,在经过不同方法处理的蓝宝石基片上,在同一条件下沉积了ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、反射式高能电子衍射等分析技术,对基片和薄膜的结构、表面形貌进行了系统表征.研究结果显示,不同退火条件下的蓝宝石基片表面结构之间没有本质的差异,均为α-Al2O3(001)晶面,但基片表面形貌的变化较大.在不同方法处理的蓝宝石基片上生长的ZnO薄膜均具有高c轴取向的织构特征,但薄膜的表面形貌差异较大.基片经真空退火处理后,ZnO薄膜的生长形貌与基片未处理时十分类似,具有+c取向和-c取向两种外延岛特征;基片经氮气环境退火后,ZnO薄膜的生长形貌具有单一的-c取向外延岛特征,晶粒尺寸较大,但薄膜表面粗糙度没有明显改善;基片经氧气环境退火后,ZnO薄膜的生长形貌仍为-c取向外延岛特征,薄膜表面粗糙度显著降低.对于未处理、真空退火、氮气退火和氧气退火等方法处理的蓝宝石基片ZnO薄膜表面形貌的自仿射关联长度分别为619,840,882和500nm. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 反应磁控溅射 基片处理 形貌分析
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沉积温度对ZrO_(2)薄膜相结构和透射率的影响 被引量:4
20
作者 刘建华 徐可为 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期321-323,328,共4页
利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl片和石英上沉积ZrO2 薄膜。薄膜厚度 80nm~ 10 0nm。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线能谱仪、分光光度计和原子力显微镜研究了沉积温度对薄膜相结构和O/Zr、透射率的影响。研... 利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl片和石英上沉积ZrO2 薄膜。薄膜厚度 80nm~ 10 0nm。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线能谱仪、分光光度计和原子力显微镜研究了沉积温度对薄膜相结构和O/Zr、透射率的影响。研究发现 ,沉积温度升高 ,非晶相减少 ,结晶相增多 ;晶粒尺寸增大 ;沉积温度为 370℃ ,透射率明显下降。 展开更多
关键词 沉积温度 ZRO2薄膜 透射率 薄膜厚度 单晶硅片 相结构 反应磁控溅射 非晶相 晶粒尺寸 X射线衍射仪
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