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三水/一水软铝石混合型矿溶出工艺优化 被引量:7
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作者 姜跃华 《轻金属》 CSCD 北大核心 2011年第S1期57-59,共3页
根据三水/一水软铝石混合型铝土矿各种矿物在溶出过程中的反应行为和特点,采用适当的工艺条件优化工艺流程,降低物料消耗,减少投资成本和运行成本,提高三水/一水软铝石混合型铝土矿利用的经济性。
关键词 三水铝石 一水软铝石 二段溶出 产物 反应
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共聚型阻燃抗熔滴尼龙6的制备及表征 被引量:4
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作者 祝陈晨 范硕 李发学 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第6期868-873,共6页
为获得长效阻燃的尼龙6(PA6)材料,以实验室自制的一种反应型硅系阻燃剂为共聚单元,通过化学共聚法将其引入PA6的分子主链中,制备得到本质阻燃的PA6共聚物。采用核磁共振氢谱(1 H NMR)、差示扫描量热法以及热失重分析分别对PA6共聚物的... 为获得长效阻燃的尼龙6(PA6)材料,以实验室自制的一种反应型硅系阻燃剂为共聚单元,通过化学共聚法将其引入PA6的分子主链中,制备得到本质阻燃的PA6共聚物。采用核磁共振氢谱(1 H NMR)、差示扫描量热法以及热失重分析分别对PA6共聚物的化学结构及热学性能进行表征,结果表明,反应型硅系阻燃剂链段被成功引入PA6主链,且PA6共聚物的热稳定性良好,成炭能力显著增强。通过对比纯PA6及PA6共聚物的燃烧性能可知,PA6共聚物的火灾危险性明显降低,其极限氧指数可达26.3%,垂直燃烧等级为V 0级别,有焰熔滴行为被有效抑制。拉伸试验结果表明,阻燃剂添加量的增加仅造成PA6共聚物强力的轻微下降。 展开更多
关键词 尼龙6 反应系阻燃剂 共聚 长效阻燃 抗熔滴
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多孔SiC陶瓷增强金属基复合材料的制备 被引量:2
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作者 刘志伟 鲍崇高 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期852-855,共4页
采用纸质材料制成三维管状模型,经过纸质模型碳化、反应性渗硅处理获得多孔SiC陶瓷预制体,选择铸造性能好、成形缺陷小的铸铁作为金属基体,采用铸渗法制备了SiC陶瓷增强金属基复合材料,通过XRD,SEM等分析手段研究了多孔SiC陶瓷和复合材... 采用纸质材料制成三维管状模型,经过纸质模型碳化、反应性渗硅处理获得多孔SiC陶瓷预制体,选择铸造性能好、成形缺陷小的铸铁作为金属基体,采用铸渗法制备了SiC陶瓷增强金属基复合材料,通过XRD,SEM等分析手段研究了多孔SiC陶瓷和复合材料的显微组织和界面结构。研究表明,纸质模型800℃温度碳化,反应性渗硅温度1600℃时制备的多孔SiC陶瓷预制体三维结构稳定,烧结后变形小,微观组织结合紧密;通过铸渗法制备的SiC陶瓷增强金属基复合材料界面结合良好,无明显缺陷。该方法中增强相结构可设计性好,铸渗法制备多孔陶瓷金属基复合材料质量高,为多孔陶瓷增强金属基复合材料的获得提供了试验新方法。 展开更多
关键词 SIC陶瓷 反应性渗 铸渗 金属基复合材料
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金刚石/碳化硅复合材料的近净成形研究 被引量:1
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作者 杨振亮 何新波 +6 位作者 马安 吴茂 章林 刘荣军 胡海峰 张玉娣 曲选辉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期244-247,共4页
采用金刚石/碳/硅预制坯成形以及真空气相反应渗硅工艺实现了金刚石/碳化硅复合材料的近净成形制备。对复合材料的显微结构以及性能进行了研究,讨论了反应渗透过程中复合材料体积变化的影响因素及影响机理。结果表明:采用真空气相反应... 采用金刚石/碳/硅预制坯成形以及真空气相反应渗硅工艺实现了金刚石/碳化硅复合材料的近净成形制备。对复合材料的显微结构以及性能进行了研究,讨论了反应渗透过程中复合材料体积变化的影响因素及影响机理。结果表明:采用真空气相反应渗硅工艺制备的金刚石/碳化硅复合材料主要由金刚石,碳化硅以及少量残留硅组成,复合材料内部各相分布均匀,致密度达到99%以上,抗弯曲强度达到260MPa。由于硅碳原位反应生成碳化硅是一个体积膨胀过程,预制坯体在渗透过程中呈现5%~20%的体积膨胀。原料配方中金刚石含量越高,硅碳比越低,预制坯体开孔率越高,渗透过程中复合材料的体积膨胀率越低。为了避免样品变形,实现金刚石/碳化硅复合材料近净成形的最佳硅碳比为1:1。 展开更多
关键词 金刚石/碳化 真空气相反应 近净成形
原文传递
用无条纹硅制造的整流管和晶闸管的击穿行为
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作者 M.斯克努勒 王正元 《电力电子》 2003年第6期31-32,共2页
利用核反应^(30)Si(n,γ)^(31)Si→^(31)P,硅可以被掺磷。其电阻率被定在2~200 Ω·cm之间的值,测得的电阻率分布情况表明,掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明,这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布... 利用核反应^(30)Si(n,γ)^(31)Si→^(31)P,硅可以被掺磷。其电阻率被定在2~200 Ω·cm之间的值,测得的电阻率分布情况表明,掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明,这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400~5200V的电压阻断容量。 展开更多
关键词 反应掺杂 电阻率均匀 无条纹 二极管 晶闸管 阻断容量
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