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Si(111)衬底上离子束溅射沉积法生长β-FeSi_2薄膜的研究 被引量:1
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作者 李强 王海燕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1762-1764,共3页
采用离子束溅射Fe靶的方法在500~800℃的Si(111)衬底上制备出不同种类的铁硅化合物。当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi_2薄膜,高分辨透射电镜证实该β-FeSi_2薄膜为局部外延,薄膜和Si衬底之间界面明显,没有中间层。
关键词 β—FeSi2薄膜 离子束溅射沉积 反应沉积外延
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反应沉积外延制备Ba_5Si_3及其电子结构研究
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作者 杨子义 徐虎 《贵阳学院学报(自然科学版)》 2015年第1期27-30,共4页
采用反应沉积外延法在723K的Si(111)衬底上共沉积了的Ba/Si混合膜,通过时间控制得到不同厚度的混合膜,然后真空退火处理。X射线衍射表明在真空中1073K退火12小时后出现了单一的Ba5Si3薄膜。采用第一性原理对Ba5Si3的能带结构进行了计算... 采用反应沉积外延法在723K的Si(111)衬底上共沉积了的Ba/Si混合膜,通过时间控制得到不同厚度的混合膜,然后真空退火处理。X射线衍射表明在真空中1073K退火12小时后出现了单一的Ba5Si3薄膜。采用第一性原理对Ba5Si3的能带结构进行了计算,带隙宽度为0 e V,表现为金属性质。 展开更多
关键词 Ba5Si3薄膜 反应沉积外延 真空退火 第一性原理 电子结构
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β-FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析
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作者 倪如山 王连卫 +1 位作者 沈勤我 林成鲁 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期488-488,共1页
β-FeSi2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁(中国科学院上海冶金研究所,上海200050)由于β-FeSi2具有Eg=0.850.87eV的直接带隙,并能在硅表面外延,被认为是一种潜在的光... β-FeSi2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁(中国科学院上海冶金研究所,上海200050)由于β-FeSi2具有Eg=0.850.87eV的直接带隙,并能在硅表面外延,被认为是一种潜在的光电子材料,为实现光电子器件与VLS... 展开更多
关键词 光电子材料 薄膜 剖石 反应沉积外延 结构
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