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掺Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变存储薄膜的光学性质 被引量：3
1
作者 顾四朋 侯立松 +1 位作者 赵启涛 黄瑞安 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期735-738,共4页
提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向 ,这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求 :它们既要对短波长有足够的响应 ,同时其相变速度也越快越好。因此 ,相变材料性能的改进十分重要 ,掺杂是提高相变材料性能的... 提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向 ,这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求 :它们既要对短波长有足够的响应 ,同时其相变速度也越快越好。因此 ,相变材料性能的改进十分重要 ,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一。用直流溅射法制备了掺杂不同量Sn的Ge2 Sb2 Te5相变薄膜 ,由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 :薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。研究了薄膜在 2 5 0～ 90 0nm区域的反射光谱和透射光谱。结果表明 :适当的Sn掺杂能大大增加热处理前后材料在短波长 (30 0～ 4 0 5nm)的反射率衬比度 ,可见 ,通过Sn掺杂改良相变材料的短波长光存储性能是一种有效的途径。 展开更多
关键词 锡掺杂 锗锑碲薄膜 光学性质 反射率衬比度 短波长光存储 直流溅射法
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