期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计
被引量：
1
1
作者
孙尧
刘剑
+2 位作者
段文婷
陈瑜
陈华伦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期603-607,共5页
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和...
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。
展开更多
关键词
双
n
型
深
阱
隔离式高压
n
型
沟道LDMOS
击穿电压
比导通电阻
非埋层工艺
下载PDF
职称材料
题名
双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计
被引量：
1
1
作者
孙尧
刘剑
段文婷
陈瑜
陈华伦
机构
上海华虹NEC电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期603-607,共5页
文摘
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。
关键词
双
n
型
深
阱
隔离式高压
n
型
沟道LDMOS
击穿电压
比导通电阻
非埋层工艺
Keywords
double deep
n
-well
isolated HV
n
-cha
n
rel LDMOS
breakdow
n
voltage
specific o
n
resista
n
ce
n
o
n
-buried layer process
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计
孙尧
刘剑
段文婷
陈瑜
陈华伦
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
