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掺铜TiO2薄膜的制备及结构与光学性能的研究 被引量:4
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作者 高飞 吴再华 刘晓艳 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期87-89,98,共4页
采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。结果表明:掺Cu能够改善薄膜的表面形貌与结晶质量,提高薄膜的光吸收性能。随着掺铜量的增... 采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。结果表明:掺Cu能够改善薄膜的表面形貌与结晶质量,提高薄膜的光吸收性能。随着掺铜量的增加,TiO2薄膜的锐钛矿(101)衍射峰越来越强,且吸收边逐渐红移。Cu靶的溅射功率大于3 W,薄膜中就会出现CuO晶相。掺Cu后,TiO2薄膜的光催化性能明显增强。随着Cu的溅射功率的增大,TiO2薄膜的光催化性能先增强,后减弱。Cu的溅射功率为5 W的样品光催化性能最好。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 直流磁控共溅射 铜掺杂
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