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硅双结型色敏器件蓝紫响应度的研究与改善
被引量:
3
1
作者
张媛媛
丁双朋
陈炳若
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期238-241,共4页
尝试选择不同的衬底材料、不同的工艺条件,以及合理的结构,来改善硅双结色敏器件的蓝紫光响应,并在此基础上制作了蓝紫响应较好的器件。通过测试与分析,得出采用单晶衬底材料、深结较浅工艺的N+PN型器件蓝紫响应度较好的结论。
关键词
双
结
型
硅
色敏
器件
蓝紫响应度
短路电流比波长特性
下载PDF
职称材料
全色波段硅双结型色敏器件的研制
被引量:
1
2
作者
韦冬青
陈炳若
+2 位作者
钟茗
李云虎
杨雨佳
《光电子技术》
CAS
2004年第3期159-162,168,共5页
通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素。通过选择不同的器件结构和工艺条件 ,得到了色敏器件对蓝紫光的响应 ,完成了全色波段硅双结型色敏器件的研制。
关键词
双
结
型
硅
色敏
器件
金色波段
结
深
短路电流比
下载PDF
职称材料
题名
硅双结型色敏器件蓝紫响应度的研究与改善
被引量:
3
1
作者
张媛媛
丁双朋
陈炳若
机构
武汉大学物理科学与技术学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期238-241,共4页
基金
湖北省科技厅攻关课题(2002AA101B06).
文摘
尝试选择不同的衬底材料、不同的工艺条件,以及合理的结构,来改善硅双结色敏器件的蓝紫光响应,并在此基础上制作了蓝紫响应较好的器件。通过测试与分析,得出采用单晶衬底材料、深结较浅工艺的N+PN型器件蓝紫响应度较好的结论。
关键词
双
结
型
硅
色敏
器件
蓝紫响应度
短路电流比波长特性
Keywords
Si color sensor with double P-N junction
purple-blue sensitivity
short-circuit current ratio-wavelength property
分类号
TN314 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
全色波段硅双结型色敏器件的研制
被引量:
1
2
作者
韦冬青
陈炳若
钟茗
李云虎
杨雨佳
机构
武汉大学物理与科学技术学院
出处
《光电子技术》
CAS
2004年第3期159-162,168,共5页
基金
湖北省科技厅攻关课题 (No.2 0 0 2 AA1 0 1 B0 6 )
文摘
通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素。通过选择不同的器件结构和工艺条件 ,得到了色敏器件对蓝紫光的响应 ,完成了全色波段硅双结型色敏器件的研制。
关键词
双
结
型
硅
色敏
器件
金色波段
结
深
短路电流比
Keywords
Si color sensor with double PN junction
panchromatic wave band
junction depth
short circuit current ratio
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅双结型色敏器件蓝紫响应度的研究与改善
张媛媛
丁双朋
陈炳若
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
下载PDF
职称材料
2
全色波段硅双结型色敏器件的研制
韦冬青
陈炳若
钟茗
李云虎
杨雨佳
《光电子技术》
CAS
2004
1
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职称材料
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