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单晶硅受照热中子注量率的双箔活化法测量研究
1
作者
王云波
操节宝
+1 位作者
邹鹏
吴清丽
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期728-733,共6页
由于活化箔材料和单晶硅目标核素的活化截面随中子能量的变化曲线形状不同,导致等效2 200 m/s热中子注量率的活化箔法确定值与单晶硅目标活化率的对应值存在一定的偏差。为研究活化截面的变化差异对测量的影响,对热中子活化截面均服从1/...
由于活化箔材料和单晶硅目标核素的活化截面随中子能量的变化曲线形状不同,导致等效2 200 m/s热中子注量率的活化箔法确定值与单晶硅目标活化率的对应值存在一定的偏差。为研究活化截面的变化差异对测量的影响,对热中子活化截面均服从1/v规律,但共振积分和2 200 m/s热中子活化截面的比值相差较大的Zr箔和CoAl箔进行了测量比较。结果表明,由于超热中子对前者的活化率贡献更大,导致Zr箔确定的值明显高于CoAl箔的值,活化截面的变化差异对测量结果有显著影响。为消除该影响,采用通过两种活化箔确定的值和Stoughton-Halperin约定关系式建立方程组的方法,确定了与单晶硅目标活化率对应的等效2 200 m/s热中子注量率。
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关键词
单晶硅
等效2200m/s热中子注量率
双
箔
活化
法
活化
截面
下载PDF
职称材料
题名
单晶硅受照热中子注量率的双箔活化法测量研究
1
作者
王云波
操节宝
邹鹏
吴清丽
机构
中国核动力研究设计院
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期728-733,共6页
文摘
由于活化箔材料和单晶硅目标核素的活化截面随中子能量的变化曲线形状不同,导致等效2 200 m/s热中子注量率的活化箔法确定值与单晶硅目标活化率的对应值存在一定的偏差。为研究活化截面的变化差异对测量的影响,对热中子活化截面均服从1/v规律,但共振积分和2 200 m/s热中子活化截面的比值相差较大的Zr箔和CoAl箔进行了测量比较。结果表明,由于超热中子对前者的活化率贡献更大,导致Zr箔确定的值明显高于CoAl箔的值,活化截面的变化差异对测量结果有显著影响。为消除该影响,采用通过两种活化箔确定的值和Stoughton-Halperin约定关系式建立方程组的方法,确定了与单晶硅目标活化率对应的等效2 200 m/s热中子注量率。
关键词
单晶硅
等效2200m/s热中子注量率
双
箔
活化
法
活化
截面
Keywords
single-crystal silicon
equivalent 2 200 m/s thermal neutron fluence rate
double-foil activation method
activation cross-section
分类号
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶硅受照热中子注量率的双箔活化法测量研究
王云波
操节宝
邹鹏
吴清丽
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
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职称材料
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