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CMOS集成电路的抗辐射设计 被引量：6
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作者 张小平 雷天民 +1 位作者 杨松 陈仁生 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第B12期68-70,共3页
随着商业微电子器件抗辐射能力的提高，使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能。本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加同设计方法，认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC)。
关键词 CMOS 集成电路 抗辐射设计 微电子器件 专用集成电路 总剂量效应 单粒子效应 双环保护结构
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