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一种具有低串扰低非线性的双沟槽环绕型十三芯五模光纤
被引量：
4
1
作者
李增辉
李曙光
+5 位作者
李建设
王璐瑶
王晓凯
王彦
龚琳
程同蕾
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期173-183,共11页
信息化对高速大容量光纤网络的需求日益强烈,空分/模分复用是继波分复用之后可使通信容量翻倍的新一代光纤通信技术.本文提出了一种双沟槽环绕型十三芯五模光纤,以满足未来对高速大容量信息传输的需求.针对空分-模分复用中降低串扰的目...
信息化对高速大容量光纤网络的需求日益强烈,空分/模分复用是继波分复用之后可使通信容量翻倍的新一代光纤通信技术.本文提出了一种双沟槽环绕型十三芯五模光纤,以满足未来对高速大容量信息传输的需求.针对空分-模分复用中降低串扰的目标设计优化光纤,采用双沟槽环绕结构,将光能量更好地限制在纤芯内,从而减小芯间和模间串扰.利用全矢量有限元法与功率耦合理论相结合计算并分析多芯光纤的串扰和传输特性.经过优化结构参数,可使光纤在1.3—1.7μm波段内稳定传输LP_(01),LP_(11),LP_(21),LP_(02),和LP_(31)5个模式;信号在1.55μm波长处传输60 km时,对应于以上5个模式相邻纤芯的芯间串扰分别为-122.37,-114.76,-106.28,-100.68,-92.81 dB,相邻模式之间的有效折射率差大于1.026×10^(-3),芯间和模间串扰可以被有效抑制;5个模式对应的非线性系数分别为0.74,0.82,0.88,1.26,0.93 W^(-1)·km^(-1),均可保持低非线性传输.该光纤结构简单紧凑,可利用气相沉积法和堆叠法制备预制棒,进一步拉制成具有低串扰低非线性的十三芯五模光纤,可应用于长距离高速大容量光纤传输系统.
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关键词
空分-模分复用
双沟
槽
低串扰
低非线性系数
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职称材料
非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
2
作者
郭建飞
李浩
+5 位作者
王梓名
钟鸣浩
常帅军
欧树基
马海伦
刘莉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第13期347-353,共7页
本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损...
本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损坏,导致了器件失效.测量失效器件的栅泄漏电流和电阻,发现栅泄漏电流急剧增大,电阻仅为25Ω;失效器件的阈值电压稳定不变.使用TCAD软件对雪崩状态下的器件电场分布进行仿真计算发现,最大电场位于栅极沟槽底拐角处,器件内部最大结温未超过电极金属熔点,同时也达到了理论与仿真的吻合.
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关键词
4H-SIC
双沟
槽
MOSFET
单脉冲雪崩击穿能量
失效机理
栅极沟
槽
拐角氧化层断裂
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职称材料
一种屏蔽HVI影响的新型双沟槽SOI-LIGBT
3
作者
周峰
杨立杰
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第3期422-426,共5页
提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构。通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压。在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13μm时,可以完全屏蔽HVI对SOI-LIGBT集电极的不良影响,HVI区域面积大幅...
提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构。通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压。在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13μm时,可以完全屏蔽HVI对SOI-LIGBT集电极的不良影响,HVI区域面积大幅减小。仿真结果表明,与传统结构相比,新型LIGBT的反向击穿电压提高了18.2%,为578 V,而HVI区域面积减小了60.8%。
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关键词
SOI-LIGBT
高压互连线
双沟
槽
击穿电压
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职称材料
题名
一种具有低串扰低非线性的双沟槽环绕型十三芯五模光纤
被引量：
4
1
作者
李增辉
李曙光
李建设
王璐瑶
王晓凯
王彦
龚琳
程同蕾
机构
燕山大学理学院
燕山大学信息科学与工程学院
东北大学信息科学与工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第10期173-183,共11页
基金
国家重点研发计划(批准号:2019YFB2204001)
国家自然科学基金(批准号:12074331)
+1 种基金
河北省自然科学基金(批准号:F2017203193,F2020203050,F2017203110)
河北省博士后基金(批准号:B2018003008)资助的课题.
文摘
信息化对高速大容量光纤网络的需求日益强烈,空分/模分复用是继波分复用之后可使通信容量翻倍的新一代光纤通信技术.本文提出了一种双沟槽环绕型十三芯五模光纤,以满足未来对高速大容量信息传输的需求.针对空分-模分复用中降低串扰的目标设计优化光纤,采用双沟槽环绕结构,将光能量更好地限制在纤芯内,从而减小芯间和模间串扰.利用全矢量有限元法与功率耦合理论相结合计算并分析多芯光纤的串扰和传输特性.经过优化结构参数,可使光纤在1.3—1.7μm波段内稳定传输LP_(01),LP_(11),LP_(21),LP_(02),和LP_(31)5个模式;信号在1.55μm波长处传输60 km时,对应于以上5个模式相邻纤芯的芯间串扰分别为-122.37,-114.76,-106.28,-100.68,-92.81 dB,相邻模式之间的有效折射率差大于1.026×10^(-3),芯间和模间串扰可以被有效抑制;5个模式对应的非线性系数分别为0.74,0.82,0.88,1.26,0.93 W^(-1)·km^(-1),均可保持低非线性传输.该光纤结构简单紧凑,可利用气相沉积法和堆叠法制备预制棒,进一步拉制成具有低串扰低非线性的十三芯五模光纤,可应用于长距离高速大容量光纤传输系统.
关键词
空分-模分复用
双沟
槽
低串扰
低非线性系数
Keywords
space division multiplex
a double-trench
low-crosstalk
low non-linearity
分类号
TN253 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
2
作者
郭建飞
李浩
王梓名
钟鸣浩
常帅军
欧树基
马海伦
刘莉
机构
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第13期347-353,共7页
基金
陕西省重点研发一般项目(批准号:2020GY-053)资助的课题.
文摘
本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损坏,导致了器件失效.测量失效器件的栅泄漏电流和电阻,发现栅泄漏电流急剧增大,电阻仅为25Ω;失效器件的阈值电压稳定不变.使用TCAD软件对雪崩状态下的器件电场分布进行仿真计算发现,最大电场位于栅极沟槽底拐角处,器件内部最大结温未超过电极金属熔点,同时也达到了理论与仿真的吻合.
关键词
4H-SIC
双沟
槽
MOSFET
单脉冲雪崩击穿能量
失效机理
栅极沟
槽
拐角氧化层断裂
Keywords
4H-SiC DT power mosfet
avalanche energy
failure mechanism
oxide crack at corner of gate trench
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种屏蔽HVI影响的新型双沟槽SOI-LIGBT
3
作者
周峰
杨立杰
机构
南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2019年第3期422-426,共5页
基金
江苏省自然科学基金资助项目(BK20130021)
文摘
提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构。通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压。在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13μm时,可以完全屏蔽HVI对SOI-LIGBT集电极的不良影响,HVI区域面积大幅减小。仿真结果表明,与传统结构相比,新型LIGBT的反向击穿电压提高了18.2%,为578 V,而HVI区域面积减小了60.8%。
关键词
SOI-LIGBT
高压互连线
双沟
槽
击穿电压
Keywords
SOI-LIGBT
high voltage interconnection
dual trench
breakdown voltage
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种具有低串扰低非线性的双沟槽环绕型十三芯五模光纤
李增辉
李曙光
李建设
王璐瑶
王晓凯
王彦
龚琳
程同蕾
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
4
下载PDF
职称材料
2
非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
郭建飞
李浩
王梓名
钟鸣浩
常帅军
欧树基
马海伦
刘莉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
3
一种屏蔽HVI影响的新型双沟槽SOI-LIGBT
周峰
杨立杰
《微电子学》
CAS
北大核心
2019
0
下载PDF
职称材料
已选择
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