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典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估
被引量：
4
1
作者
李小龙
陆妩
+8 位作者
王信
郭旗
何承发
孙静
于新
刘默寒
贾金成
姚帅
魏昕宇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期196-203,共8页
采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤...
采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.
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关键词
双
极
模拟
电路
低剂量率辐照损伤增强效应
加速评估方法
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职称材料
典型器件和电路不同剂量率的辐射效应
被引量：
3
2
作者
陆妩
任迪远
+4 位作者
郑玉展
王义元
郭旗
余学峰
何承发
《信息与电子工程》
2012年第4期484-489,共6页
对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也相异。其典型的失...
对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也相异。其典型的失效模式表现为4种:a)仅有低剂量率辐照损伤增强效应;b)既有低剂量率辐照损伤增强效应,又有时间相关效应;c)仅有时间相关效应;d)无不同剂量率辐照损伤间的差异。
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关键词
双
极
类
模拟
电路
CMOS类
电路
60Coγ辐照
剂量率效应
下载PDF
职称材料
低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究
3
作者
于新
陆妩
+4 位作者
姚帅
荀明珠
王信
李小龙
孙静
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第2期281-286,共6页
在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根...
在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根据产生的电荷量,可对重离子-激光的SET进行关联,以便获得等效重离子的激光能量。激光与重离子的对比试验表明,选取恰当的激光能量,能够反映重离子产生的SET幅值。研究结果为双极模拟集成电路抗SET选型评估及激光试验条件的选取提供了参考。
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关键词
双
极
模拟
集成
电路
单粒子瞬态效应
等效LET
电荷收集
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职称材料
双极模拟集成电路版图识别的模式识别算法
4
作者
田彤
吴顺君
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期294-297,共4页
双极模拟 IC在广泛应用于个人移动通信的 RF IC中占有重要地位。双极模拟 IC版图识别与验证是其 CAD研究的重要内容之一。基于模式识别和专家系统的思想 ,提出了一种双极模拟IC版图识别的模式识别算法。该方法定义了五种基本版图图形关...
双极模拟 IC在广泛应用于个人移动通信的 RF IC中占有重要地位。双极模拟 IC版图识别与验证是其 CAD研究的重要内容之一。基于模式识别和专家系统的思想 ,提出了一种双极模拟IC版图识别的模式识别算法。该方法定义了五种基本版图图形关系 ,在此基础上构造了版图描述向量 ,建立了算法系统及识别系统。该识别算法的优点在于与具体工艺过程无关 ,从而使识别过程完全系统化。实验表明 ,该识别系统有效、准确、可靠。
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关键词
模式识别
双
极
模拟
集成
电路
版图识别
算法
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职称材料
题名
典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估
被引量：
4
1
作者
李小龙
陆妩
王信
郭旗
何承发
孙静
于新
刘默寒
贾金成
姚帅
魏昕宇
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期196-203,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号：U1532261,U1630141)和中国科学院西部之光项目(批准号：2016-QNXZ-B-7)资助的课题.
文摘
采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.
关键词
双
极
模拟
电路
低剂量率辐照损伤增强效应
加速评估方法
Keywords
bipolar circuit, enhanced low-dose-rate sensitivity, accelerated evaluation method
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
典型器件和电路不同剂量率的辐射效应
被引量：
3
2
作者
陆妩
任迪远
郑玉展
王义元
郭旗
余学峰
何承发
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
出处
《信息与电子工程》
2012年第4期484-489,共6页
文摘
对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大器电路产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。结果显示,器件类型不同,失效模式也相异。其典型的失效模式表现为4种:a)仅有低剂量率辐照损伤增强效应;b)既有低剂量率辐照损伤增强效应,又有时间相关效应;c)仅有时间相关效应;d)无不同剂量率辐照损伤间的差异。
关键词
双
极
类
模拟
电路
CMOS类
电路
60Coγ辐照
剂量率效应
Keywords
bipolar analog ICs
CMOS ICs
^60Coγ irradiation
dose-rate dependence
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究
3
作者
于新
陆妩
姚帅
荀明珠
王信
李小龙
孙静
机构
中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第2期281-286,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(U1532261,U1630141,61534008)。
文摘
在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根据产生的电荷量,可对重离子-激光的SET进行关联,以便获得等效重离子的激光能量。激光与重离子的对比试验表明,选取恰当的激光能量,能够反映重离子产生的SET幅值。研究结果为双极模拟集成电路抗SET选型评估及激光试验条件的选取提供了参考。
关键词
双
极
模拟
集成
电路
单粒子瞬态效应
等效LET
电荷收集
Keywords
bipolar analog IC
single event transient
equivalent LET
charge collection
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722
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职称材料
题名
双极模拟集成电路版图识别的模式识别算法
4
作者
田彤
吴顺君
机构
西安电子科技大学雷达信号处理国家重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期294-297,共4页
文摘
双极模拟 IC在广泛应用于个人移动通信的 RF IC中占有重要地位。双极模拟 IC版图识别与验证是其 CAD研究的重要内容之一。基于模式识别和专家系统的思想 ,提出了一种双极模拟IC版图识别的模式识别算法。该方法定义了五种基本版图图形关系 ,在此基础上构造了版图描述向量 ,建立了算法系统及识别系统。该识别算法的优点在于与具体工艺过程无关 ,从而使识别过程完全系统化。实验表明 ,该识别系统有效、准确、可靠。
关键词
模式识别
双
极
模拟
集成
电路
版图识别
算法
Keywords
Pattern recogn ition
Bipolar analog IC(B a IC)
RF IC
IC mask recognition
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估
李小龙
陆妩
王信
郭旗
何承发
孙静
于新
刘默寒
贾金成
姚帅
魏昕宇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
下载PDF
职称材料
2
典型器件和电路不同剂量率的辐射效应
陆妩
任迪远
郑玉展
王义元
郭旗
余学峰
何承发
《信息与电子工程》
2012
3
下载PDF
职称材料
3
低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究
于新
陆妩
姚帅
荀明珠
王信
李小龙
孙静
《微电子学》
CAS
北大核心
2020
0
下载PDF
职称材料
4
双极模拟集成电路版图识别的模式识别算法
田彤
吴顺君
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
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职称材料
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