双极性传输特性是制约碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistors,CNFETs)性能提高的一个重要因素.为降低器件的双极性传输特性并获得较大的开关电流比,提出了一种漏端梯度掺杂策略,该策略不仅适合于类MOS碳纳米管场...双极性传输特性是制约碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistors,CNFETs)性能提高的一个重要因素.为降低器件的双极性传输特性并获得较大的开关电流比,提出了一种漏端梯度掺杂策略,该策略不仅适合于类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs),同时也适合于隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs).基于非平衡格林函数的数值研究结果表明,该策略不仅能有效降低器件的双极传输特性,而且能将器件开关电流比提高数个数量级.进一步研究发现,该掺杂策略在这两类碳纳米管场效应管器件结构中的应用存在诸多差异:C-CNFETs中可能发生的能级钳制将削弱器件导通状态性能,而T-CNFETs中无此现象;C-CNFETs中源、漏两端均采用梯度掺杂能进一步提高器件性能,而该策略并不适于T-CNFETs;梯度掺杂后的T-CNFETs器件性能受轻度掺杂区域宽度的影响较C-CNFETs更为显著.同时,该梯度掺杂策略会造成一定的面积开销,因此在实际应用中应合理选取器件结构、掺杂浓度、掺杂区域宽度等参数,以获得速度、功耗与面积之间的最佳折中.展开更多
采用Suzuki聚合方法,设计合成了一系列含咔唑和芳基膦氧的双极性蓝光聚螺芴PSFCzPO10、PSFCzPO20和PSFCzPO30.和仅含有咔唑单元的参比聚合物Cz-PSF相比,芳基膦氧的引入,在保证最高占据分子轨道(HOMO)能级基本不变的情况下,能够有效地降...采用Suzuki聚合方法,设计合成了一系列含咔唑和芳基膦氧的双极性蓝光聚螺芴PSFCzPO10、PSFCzPO20和PSFCzPO30.和仅含有咔唑单元的参比聚合物Cz-PSF相比,芳基膦氧的引入,在保证最高占据分子轨道(HOMO)能级基本不变的情况下,能够有效地降低聚合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级,从而在一定程度上实现载流子的双极性传输.因此,PSFCzPO10获得了最优的单层器件性能,电流效率为1.19 cd A^(-1),比Cz-PSF(0.39 cd A^(-1))提高了将近2倍.在此基础上,采用醇溶性的电子传输材料作为电子传输层,通过正交溶剂法,成功地组装了PSFCzPO10的全溶液加工型多层器件,电流效率进一步增加到1.93 cd A^(-1).同时,它的电致发光光谱几乎不受驱动电压的影响,色坐标为(0.16,0.14),表现出良好的蓝光光谱稳定性.展开更多
文摘双极性传输特性是制约碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistors,CNFETs)性能提高的一个重要因素.为降低器件的双极性传输特性并获得较大的开关电流比,提出了一种漏端梯度掺杂策略,该策略不仅适合于类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs),同时也适合于隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs).基于非平衡格林函数的数值研究结果表明,该策略不仅能有效降低器件的双极传输特性,而且能将器件开关电流比提高数个数量级.进一步研究发现,该掺杂策略在这两类碳纳米管场效应管器件结构中的应用存在诸多差异:C-CNFETs中可能发生的能级钳制将削弱器件导通状态性能,而T-CNFETs中无此现象;C-CNFETs中源、漏两端均采用梯度掺杂能进一步提高器件性能,而该策略并不适于T-CNFETs;梯度掺杂后的T-CNFETs器件性能受轻度掺杂区域宽度的影响较C-CNFETs更为显著.同时,该梯度掺杂策略会造成一定的面积开销,因此在实际应用中应合理选取器件结构、掺杂浓度、掺杂区域宽度等参数,以获得速度、功耗与面积之间的最佳折中.
文摘采用Suzuki聚合方法,设计合成了一系列含咔唑和芳基膦氧的双极性蓝光聚螺芴PSFCzPO10、PSFCzPO20和PSFCzPO30.和仅含有咔唑单元的参比聚合物Cz-PSF相比,芳基膦氧的引入,在保证最高占据分子轨道(HOMO)能级基本不变的情况下,能够有效地降低聚合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级,从而在一定程度上实现载流子的双极性传输.因此,PSFCzPO10获得了最优的单层器件性能,电流效率为1.19 cd A^(-1),比Cz-PSF(0.39 cd A^(-1))提高了将近2倍.在此基础上,采用醇溶性的电子传输材料作为电子传输层,通过正交溶剂法,成功地组装了PSFCzPO10的全溶液加工型多层器件,电流效率进一步增加到1.93 cd A^(-1).同时,它的电致发光光谱几乎不受驱动电压的影响,色坐标为(0.16,0.14),表现出良好的蓝光光谱稳定性.
