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Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 被引量：3
1
作者 胡加辉 朱军山 +4 位作者 冯玉春 张建宝 李忠辉 郭宝平 徐岳生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期517-520,i0002,共5页
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致... 利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。 展开更多
关键词 氮化镓 SI(111) 金属有机化学气相沉积 双晶x射线衍射
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超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究
2
作者 卢焕明 叶志镇 +3 位作者 黄靖云 汪雷 赵炳辉 张昊翔 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第1期61-65,共5页
利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,... 利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 。 展开更多
关键词 双晶x射线衍射 锗 硅 应变外延层 CVD 超高真空
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GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 被引量：1
3
作者 冯淦 郑新和 +8 位作者 朱建军 沈晓明 张宝顺 赵德刚 孙元平 张泽洪 王玉田 杨辉 梁骏吾 《中国科学（A辑）》 CSCD 北大核心 2002年第8期737-742,共6页
采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面... 采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为一个很宽的峰,随着选择性腐蚀的进行,会先分裂为两个峰,最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后,其中一个衍射峰会消失,而只剩下一个很窄的峰.作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个:一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变;另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变. 展开更多
关键词 形成机制 GAN 横向外延生长 晶面倾斜 双晶x射线衍射 氮化钙 选择性腐蚀 半导体材料
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用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层
4
作者 张仕国 江鉴 +2 位作者 陈立登 袁骏 张民杰 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1998年第2期188-192,共5页
以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层... 以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ．由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况． 展开更多
关键词 双晶x射线衍射 液相外延 掺杂 硅
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利用Al_xGa_(1-x)N在Si(111)上生长无裂纹GaN
5
作者 王振晓 张锴 +2 位作者 李涛 王丹丹 韩孟序 《电子科技》 2014年第1期115-116,120,共3页
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,... 利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa。 展开更多
关键词 MOCVD SI(111) GAN 双晶x射线衍射
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As^+/N_2^+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布
6
作者 韩宇 肖鸿飞 +1 位作者 高雅君 马德录 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期394-399,共6页
采用双晶 X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的 As+ / N2 + 组合离子注入 Si的衍射曲线 ,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型 ,对衍射曲线进行拟合 ,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布 .在 5 0 0～ ... 采用双晶 X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的 As+ / N2 + 组合离子注入 Si的衍射曲线 ,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型 ,对衍射曲线进行拟合 ,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布 .在 5 0 0～ 90 0℃下进行等时热退火 ,对辐射损伤经退火的晶格恢复进行了研究 .用 L SS理论计算了同样注入条件下的杂质浓度分布 。 展开更多
关键词 组合离子注入 双晶x射线衍射 晶格应变 退火 杂质浓度
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组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较
7
作者 韩宇 张宏 姜树森 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期4-7,共4页
用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10^(13)～5×10^(15)ion/cm^2的N_2^+/As^+组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的... 用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10^(13)～5×10^(15)ion/cm^2的N_2^+/As^+组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N_2^+/As^+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰. 展开更多
关键词 组合离子注入 杂质 浓度分布 损伤分布 双晶x射线衍射 晶格应变
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快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响
8
作者 魏榕山 丁晓琴 何明华 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期259-262,共4页
使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结... 使用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备在Si衬底上生长多层Ge量子点,用双晶X射线衍射(DCXRD)、拉曼光谱(Raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的Ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层Ge量子点晶体质量的影响。结果表明:随着退火温度的升高,量子点中Ge的组分下降,量子点应变的弛豫程度加剧。在1000℃退火20 s后,量子点材料已经完全弛豫。 展开更多
关键词 无机非金属材料 快速热退火 GE量子点 双晶x射线衍射 拉曼光谱
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双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
9
作者 朱军山 胡加辉 +3 位作者 徐岳生 刘彩池 冯玉春 郭宝平 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期236-238,共3页
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果... 利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。 展开更多
关键词 SI(111) GAN 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 双晶x射线衍射(DCXRD)
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