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多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合 被引量:1
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作者 王浩 Joachim F.Woitok +10 位作者 廖常俊 范广涵 刘颂豪 郑树文 李述体 郭志友 孙慧卿 陈贵楚 陈炼辉 吴文光 李华兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期96-99,共4页
应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解... 应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量。 展开更多
关键词 MOCVD 双晶衍射分析 GaAlINP 半导体发光材料 双晶衍射分析 摇摆曲线 晶格 晶体质量
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