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半导体激光器的发展及其应用 被引量：23
1
作者 王路威 《成都大学学报（自然科学版）》 2003年第3期34-38,共5页
本文对半导体激光器的工作原理。
关键词 半导体激光器 工作原理 光场 单异质结 双异质结 量子阱 直接带隙半导体材料
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InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管 被引量：6
2
作者 陆大成 韩培德 +10 位作者 刘祥林 王晓晖 汪度 袁海荣 王良臣 徐萍 姚文卿 高翠华 刘焕章 葛永才 郑东 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期414-416,共3页
报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.
关键词 氮化镓 InGaA/AlGaN 双异质结 绿光发光二极管
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高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究 被引量：5
3
作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第2期13-16,共4页
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 。
关键词 INGAALP 高亮度发光二级管 双异质结 LED
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氧化锌/锡酸锌/二氧化锡双异质结纳米阵列的构建及其光电性能
4
作者 周龙杰 王航 +2 位作者 刘硕 李丽华 黄金亮 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2308-2315,共8页
高性能的电子传输传输层对提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率具有至关重要的作用。基于表面修饰的方法,采用旋涂法在ZnO纳米阵列上制备Zn_(2)SnO_(4)钝化层,再通过水热法原位自生长SnO_(2)构建出ZnO/Zn_(2)SnO_(4)/SnO_(2)双异质结纳... 高性能的电子传输传输层对提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率具有至关重要的作用。基于表面修饰的方法,采用旋涂法在ZnO纳米阵列上制备Zn_(2)SnO_(4)钝化层,再通过水热法原位自生长SnO_(2)构建出ZnO/Zn_(2)SnO_(4)/SnO_(2)双异质结纳米阵列。利用X射线衍射、场发射扫描电镜、透射电子显微镜对异质结的物相、形貌进行了观察和分析,并通过电化学工作站对其光电性能进行了测试。结果表明:Zn_(2)SnO_(4)和SnO_(2)都成功负载在ZnO上,三者之间交错的能带结构所形成的双Ⅱ型异质结进一步提高了光生电子–空穴对分离效率,使得ZnO/Zn_(2)SnO_(4)/SnO_(2)双异质结纳米阵列的电流密度以及光电流较ZnO得到了明显的改善,同时电荷转移电阻从22403Ω降低至3131Ω,载流子浓度从1.22×10^(19)cm^(–3)降低至1.18×10^(18)cm^(–3),光电性能提升明显。 展开更多
关键词 氧化锌/锡酸锌/二氧化锡 双异质结 载流子分离 光电性能
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二极管激光器泵浦钕玻璃固体激光器 被引量：4
5
作者 周复正 郑桂珍 +1 位作者 沈丽青 范滇元 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期385-389,共5页
用脉冲输出功率50mW,中心波长为800nm的双异质结激光二极管列阵泵浦磷酸盐钕璃璃激光器,得到1.053μm波长激光输出.泵浦阈值功率为9mW.计算了DPL输出的尖峰功率、脉冲宽度和弛豫振荡波形,与实验结果一致.
关键词 DPL 双异质结 钕玻璃 激光 二极管
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半导体激光器的M^2因子可以小于1 被引量：4
6
作者 徐锦心 赵道木 +1 位作者 周国泉 王绍民 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期381-384,共4页
根据 Porras的非傍轴矢量矩理论 ,对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究 .结果表明 ,在有源层厚度 da远小于波长 λ的条件下 ,半导体激光器的 M2 因子可以小于 1 ,并且没有下限 .
关键词 双异质结 半导体激光器 非傍轴矢量短理论 光束质量因子 有源层厚度
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超高亮度InGaAlP 590 nm LED管芯设计 被引量：4
7
作者 曾庆科 廖常俊 +1 位作者 刘颂豪 曾宪富 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期40-43,共4页
根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构。这种新颖的ＧａＰ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／... 根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构。这种新颖的ＧａＰ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＰ（衬底）管芯结构，对５９０ｎｍ峰值波长全透明，比ＧａＰ或ＧａＡｌＡｓ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＡｓ（衬底）管芯结构的出光率高出两倍，其外量子效率不小于６％。 展开更多
关键词 发光二极管 双异质结 汽相外延 LED MOCVD
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基于新型半导体材料构建激光器的探索与研究
8
作者 严建伟 《智能制造》 2023年第3期100-102,107,共4页
新型半导体材料构建激光器主要应用在工业科学技术、医学医疗、测控与通信工程、新型材料、传感器检测、光谱分析、信息载体处理、探测跟踪、激光制导、激光雷达和激光武器等领域,以高功率、高能量、高稳定性、高效转换、宽波段、超短... 新型半导体材料构建激光器主要应用在工业科学技术、医学医疗、测控与通信工程、新型材料、传感器检测、光谱分析、信息载体处理、探测跟踪、激光制导、激光雷达和激光武器等领域,以高功率、高能量、高稳定性、高效转换、宽波段、超短脉冲、轻质微型化、全固态化、多用途、安全可靠、使用寿命长和方便安装维护等特性为发展追求目标。将量子激光器和光纤激光器组合构建高能量、高功率和多用途的量子光纤激光器,具有高度稳定性、可调谐、高功率输出和适应于恶劣环境工作等优势,未来发展有望替代气体、固体等传统型激光器并成为星载激光武器的必备热选。本文从原理及结构、合理构建与应用和未来发展等方面对采用新型半导体材料构建新型激光器进行了全面性探索研究。 展开更多
关键词 半导体激光器 量子阱 双异质结 钙钛矿 激子
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AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究 被引量：4
9
作者 董逊 孔月婵 +5 位作者 周建军 倪金玉 李忠辉 李亮 张东国 彭大青 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期429-432,共4页
基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道... 基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道厚度增加明显升高。200 nm厚GaN沟道的双异质结材料方块电阻平均值344.2Ω/□,方阻不均匀性1.69%。HEMT器件工艺验证表明,使用双异质结材料显著抑制了栅漏电,有利于提高器件的耐压特性。 展开更多
关键词 双异质结 二维电子气 方块电阻
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InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管 被引量：4
10
作者 陆大成 刘祥林 +3 位作者 韩培德 王晓晖 汪度 袁海荣 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第5期43-45,共3页
报道了用LP MOVPE技术在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构 ,并研制成功发射波长分别为 4 30～ 4 50nm和 52 0～ 540nm的蓝光和绿光LED。据查 。
关键词 双异质结 蓝光LED 绿光LED 发光二极管
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高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料生长及特性研究
11
作者 罗伟科 李忠辉 +5 位作者 李传皓 杨乾坤 李亮 董逊 彭大青 张东国 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第2期191-196,共6页
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)制备了高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料,实验发现生长温度是影响异质结材料性能的关键,降低生长温度可以减少表面裂纹密度,同时减少界面AlGaN合金形成,提升二维电子气(2DEG)浓度。在1000℃采用脉冲... 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)制备了高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料,实验发现生长温度是影响异质结材料性能的关键,降低生长温度可以减少表面裂纹密度,同时减少界面AlGaN合金形成,提升二维电子气(2DEG)浓度。在1000℃采用脉冲法生长AlN势垒,既能提升Al原子在生长表面的横向迁移,又能减少GaN沟道层中Ga原子的纵向扩散;另外,还可以降低AlGaN合金对二维电子气的散射作用,改善异质结的界面陡峭度和表面质量,提升AlN/GaN/AlN双异质结二维输运特性。通过优化脉冲时间、脉冲周期等条件,制备出了室温下方块电阻仅为245Ω/sq,2DEG迁移率约1190 cm^(2)/(V·s),2DEG浓度达2.4×10^(13)cm-2的AlN/GaN/AlN双异质结材料。 展开更多
关键词 脉冲沉积 双异质结 二维电子气 迁移率
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AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管 被引量：4
12
作者 王冲 赵梦荻 +7 位作者 裴九清 何云龙 李祥东 郑雪峰 毛维 马晓华 张进成 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期379-384,共6页
理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压... 理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响,并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异.采用双异质结材料,结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件.实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异,与模拟结果进行了对比验证.采用降低的F注入等离子体功率,减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤,研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性.对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究,并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应. 展开更多
关键词 双异质结 增强型器件 F等离子体 漏致势垒降低效应
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超导体／半导体界面处的电子相互作用──JOFET器件和Andreev反射 被引量：2
13
作者 刘剑 郑厚植 徐士杰 《物理》 CAS 北大核心 1995年第9期539-542,共4页
介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引人注目的交叉学科课题：超导体／半导体／超导体双异质结结构中电子在超导体／半导体界面处的相互作用行为，包括超导邻近效应（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙｅｆｆｅｃｔ）及Ｊｏｓｅｐ... 介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引人注目的交叉学科课题：超导体／半导体／超导体双异质结结构中电子在超导体／半导体界面处的相互作用行为，包括超导邻近效应（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙｅｆｆｅｃｔ）及Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ场效应晶体管（ＪＯＰＥＴ）的探索研究，此外，还讨论了此领域内一个重要物理问题──Ａｎｄｒｅｅｖ反射。 展开更多
关键词 超导体 半导体 界面 场效应晶体管 双异质结
原文传递
MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED 被引量：2
14
作者 陆大成 刘祥林 +3 位作者 韩培德 王晓晖 汪度 袁海荣 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期1-5,共5页
报道用自行研制的LP-MOVPE设备， 在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED， 其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。
关键词 GAN InGaN AlGaN 双异质结 量子阱 蓝光LED 绿光LED MOVPE 氮化镓 发光二极管
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SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化 被引量：2
15
作者 吴孙桃 谢廷贵 +2 位作者 王延华 陈议明 沈华 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期341-344,共4页
制备了二氧化锡／ 多孔硅／ 硅（ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ） 异质结构样品，在不同温度下，分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合Ｘ 光电子能谱（ＸＰＳ） 测量结果。
关键词 半导体材料 双异质结 多孔硅 吸附气体 光生电压谱 X光电子能谱
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栅下双异质结增强型AlGaN/GaN HEMT 被引量：2
16
作者 陈飞 冯全源 +1 位作者 杨红锦 文彦 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第1期132-138,共7页
为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。使用双异质结电荷控制模型分析了基本机理,推导了阈值电压表达式。仿真结果表明,器件阈值电压与调制层Al组分呈线性关系。当调制层Al组分小... 为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。使用双异质结电荷控制模型分析了基本机理,推导了阈值电压表达式。仿真结果表明,器件阈值电压与调制层Al组分呈线性关系。当调制层Al组分小于势垒层时,阈值电压增大,反之减小。调制层厚度可加大这种调制作用。当调制层Al组分为0%、厚度为112 nm时,器件具有2.13 V的阈值电压和1.66 mΩ·cm;的比导通电阻。相对于常规凹槽栅结构,新结构的阈值电压提高了173%。 展开更多
关键词 增强型 高电子迁移率晶体管 阈值电压 双异质结 电荷控制模型
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量子保密通信的单光子源 被引量：2
17
作者 程佑梁 《光电子技术与信息》 2004年第3期52-54,共3页
光通信中采用量子保密技术,由单光子源发射光量子,加密系统进行光量子编码,单模光纤进行量子 码传输和保偏,实现了信息流的物理加密.单光子源可用双异质结LED或量子阱、量子点激光器经过强衰减得到.
关键词 量子码 单光子源 双异质结 量子阱
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半导体异质结的发展及其性质的讨论 被引量：2
18
作者 李晓莉 《科技资讯》 2010年第28期29-30,共2页
本文介绍了有关半导体异质结的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,其次以典型的GaAlAs双异质结LED中的异质结结构为例,介绍了异质结的主要物理性质,最终以异质结新技术为出发点,展望异质结技术发展的新方向。
关键词 液相外延 双异质结 同质结 有源区
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P型GaN和AlGaN外延材料的制备 被引量：1
19
作者 刘祥林 王成新 +4 位作者 韩培德 陆大成 王晓晖 汪度 王良臣 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期26-29,共4页
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
关键词 P型 GAN ALGAN 外延材料 双异质结 蓝光发光二极管
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一种P-GaN栅极结合槽栅技术的增强型HEMT 被引量：1
20
作者 乔杰 冯全源 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第3期404-408,共5页
为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(PGaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构。该器件的阈值电压高达3.4V,击穿电压达738V。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结... 为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(PGaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构。该器件的阈值电压高达3.4V,击穿电压达738V。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGaN双异质器件的阈值电压和耐压。结果表明,栅槽深度在5~13nm范围内变化时,阈值电压随栅槽深度的增大而增大,击穿电压随栅槽深度的增大呈先增大后略减小;导通电阻随槽栅深度的增大而增大,最小导通电阻为11.3Ω·mm。 展开更多
关键词 P-GaN栅极 双异质结 槽栅 阈值电压 击穿电压
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