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题名硅埋置型毫米波系统级封装中光敏BCB工艺改进
被引量：3
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作者
陈雯芳
孙浩
方针
孙晓玮
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机构
上海大学通信与信息工程学院
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2017年第2期267-271,共5页
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基金
国家重大仪器项目(2012YQ14003702)
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文摘
硅埋置型毫米波系统级封装中,传统光敏BCB工艺常在沟槽处引入气泡及凹陷,导致上层金属线不连续。为减少气泡与凹陷的产生,提出一种新型涂覆工艺——"双型三次涂覆工艺",即在使用大厚度BCB的基础上,引入低粘滞性BCB,并三次涂覆BCB。采用此工艺对Ka波段低噪声放大器进行封装,发现气泡数量及凹陷程度大大减小,证明了此工艺的可行性及有效性。在25 GHz～37 GHz频段内,封装后比封装前增益减少1dB,满足高性能封装要求。
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关键词
系统级封装
气泡缺陷
双型三次涂覆
毫米波
硅埋置
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Keywords
SIP
air bubbles and depressions
the double-type three-coating method
millimeter
Silicon-based embedded
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分类号
TN705
[电子电信—电路与系统]
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