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题名两种双光束超分辨数据写入机理的比较
被引量：1
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作者
胡巧
郭新军
原续鹏
甘棕松
阮昊
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机构
中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
华中科技大学武汉光电国家研究中心
深圳华中科技大学研究院
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第7期294-304,共11页
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基金
科技部国家重点研发计划(2018YFB0704100)
上海市科委项目(18DZ1100402,16511101600)
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文摘
比较了基于光激发-光抑制(SPIN)和受激辐射损耗(STED)的两种双光束超分辨数据写入技术的机理,为基于STED的超分辨数据写入技术建立了动态物理模型,研究其光致聚合过程中的工作机制,并模拟了基于SPIN和STED的双光束超分辨数据写入技术在记录点尺寸和分辨率方面的差异。结果表明:基于STED的双光束超分辨数据写入技术具有无需抑制剂、原理简单的优势,但其需要第二束辅助光的强度较大且对聚合作用的抑制效率低,在多点写入情况下点的尺寸变大,记录均匀性变差。基于SPIN的双光束超分辨数据写入技术所需能量小,多点记录时引发剂分子消耗将抵消抑制剂分子消耗带来的影响,整体均匀性和稳定性好。因此基于SPIN的双光束超分辨数据写入技术在超高密度存储领域应用前景更好。
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关键词
光数据存储
双光束超分辨数据写入技术
光激发-光抑制
受激辐射损耗
光致聚合
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Keywords
optical data storage
dual-beam super-resolution optical recording technology
photoinduction-inhibition
stimulated emission depletion
photo-polymerization
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分类号
TN249
[电子电信—物理电子学]
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