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用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究 被引量：4
1
作者 吴鹤 吴郁 +1 位作者 亢宝位 贾云鹏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期520-527,共8页
针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究 ,得到了全面系统的研究结果 ,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间 ( ... 针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究 ,得到了全面系统的研究结果 ,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间 ( trr)、反向恢复软度因子 ( S)、正向压降 ( VF)、漏电流 ( IR)等各个单项性能的影响 ,以及对 trr- S、trr- VF 和 trr- IR 等各项性能综合折衷的影响 .这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值 . 展开更多
关键词 局域寿命控制 快恢复硅功率二极管 参数折衷 轴向位置 复合中心能级位置
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双平衡CMOS下变频混频器设计中的参数折衷
2
作者 胡俊伟 《信息通信》 2012年第6期63-64,共2页
射频前端的下混频器是进行频率变换的重要模块,将射频信号转换成中频信号。主要阐述了双平衡式CMOS混频器设计过程中重要参数之间的折衷,同时对于参数之间的折衷也给出了一些方法。
关键词 CMOS 混频器 双平衡 参数折衷
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