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原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究 被引量：16
1
作者 卢红亮 徐敏 +2 位作者 丁士进 任杰 张卫 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1217-1222,共6页
以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表... 以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1．52)比退火前的(1．57)更接近化学计量比的Al2O3．FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1．15nm． 展开更多
关键词 AL2O3薄膜 原子层淀积(ald) X射线光电子能谱(XPS)
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原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展 被引量：2
2
作者 卢红亮 徐敏 +4 位作者 张剑云 陈玮 任杰 张卫 王季陶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期809-812,816,共5页
原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基... 原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展。 展开更多
关键词 原子层淀积(ald) 金属氧化物薄膜 高K材料
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光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作（英文）
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作者 Brücken Erik Gadda Akiko +10 位作者 Ott Jennifer Naaranoja Tiina Martikainen Laura Karadzhinova-Ferrer Aneliya Kalliokoski Matti Golovlova Maria Kirschenmann Stefanie Litichevskyi Vladyslav Petrine Ana Luukka Panja Harkonen Jaakko 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2018年第4期115-120,共6页
该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们... 该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1)mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流-电压(I-V),电容-电压(C-V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的.实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符. 展开更多
关键词 硅探测器 碲化镉探测器 I-V、C-V 和TCT方法 原子层淀积(ald)法
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