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纳米粒子尺寸效应引起的内层电子结合能位移
被引量：
5
1
作者
赵志娟
刘芬
+2 位作者
邱丽美
赵良仲
闫寿科
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期1685-1688,共4页
用XPS测定了氩离子溅射前后的Pt-PVP纳米粒子和TiO2、ZnO及SiO2纳米粒子的内层电子结合能,并与其对应的体材料进行了比较.结果表明,Ar+溅射前Pt-PVP的Pt4f结合能比体材料Pt的稍低,但Ar+溅射后由于PVP包覆层被除去,裸露的Pt纳米粒子的结...
用XPS测定了氩离子溅射前后的Pt-PVP纳米粒子和TiO2、ZnO及SiO2纳米粒子的内层电子结合能,并与其对应的体材料进行了比较.结果表明,Ar+溅射前Pt-PVP的Pt4f结合能比体材料Pt的稍低,但Ar+溅射后由于PVP包覆层被除去,裸露的Pt纳米粒子的结合能明显高于Pt体材料.与非纳米氧化物比较,纳米氧化物TiO2、ZnO和SiO2的内层电子结合能也向高结合能方向位移,其位移大小的顺序为TiO2<ZnO<SiO2.用原子外弛豫效应解释了纳米粒子内层电子结合能位移现象.
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关键词
纳米粒子
尺寸效应
XPS
电子结合能
原子
外
弛豫
下载PDF
职称材料
硅晶片上超薄氧化硅层厚度纳米尺寸效应的XPS研究
被引量：
3
2
作者
赵志娟
刘芬
赵良仲
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期3030-3034,共5页
用X射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度经过国际比对准确已知的硅晶片上的超薄(1.45nm<d<7.2nm)氧化硅膜的Si2p电子能谱和价带谱.结果表明:SiO2膜厚d<2nm时,Si2p结合能最低,其原因可归结于此时光电离空穴既有来自SiO2中的原...
用X射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度经过国际比对准确已知的硅晶片上的超薄(1.45nm<d<7.2nm)氧化硅膜的Si2p电子能谱和价带谱.结果表明:SiO2膜厚d<2nm时,Si2p结合能最低,其原因可归结于此时光电离空穴既有来自SiO2中的原子极化对空穴的原子外弛豫,也有来自衬底Si的电荷移动对空穴的屏蔽(有效屏蔽距离大约是(2.5±0.6)nm);当d>3nm时Si2p结合能增大,此时只有来自SiO2的原子外弛豫,d较小者的Si2p结合能较高.SiO2的价带电子结构也与其厚度纳米尺寸效应有关:当d<2nm时价带中SiO2的O2p非成键电子峰的相对强度较强,O2p—Si3p和O2p—Si3s成键电子峰较弱.
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关键词
硅晶片
SIO2膜
纳米厚度
尺寸效应
X射线光电子能谱
电子结合能
价带谱
原子
外
弛豫
下载PDF
职称材料
题名
纳米粒子尺寸效应引起的内层电子结合能位移
被引量：
5
1
作者
赵志娟
刘芬
邱丽美
赵良仲
闫寿科
机构
中国科学院化学研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期1685-1688,共4页
文摘
用XPS测定了氩离子溅射前后的Pt-PVP纳米粒子和TiO2、ZnO及SiO2纳米粒子的内层电子结合能,并与其对应的体材料进行了比较.结果表明,Ar+溅射前Pt-PVP的Pt4f结合能比体材料Pt的稍低,但Ar+溅射后由于PVP包覆层被除去,裸露的Pt纳米粒子的结合能明显高于Pt体材料.与非纳米氧化物比较,纳米氧化物TiO2、ZnO和SiO2的内层电子结合能也向高结合能方向位移,其位移大小的顺序为TiO2<ZnO<SiO2.用原子外弛豫效应解释了纳米粒子内层电子结合能位移现象.
关键词
纳米粒子
尺寸效应
XPS
电子结合能
原子
外
弛豫
Keywords
Nanoparticles
Size effect
XPS
Electron binding energy
Extra-atomic relaxation
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
硅晶片上超薄氧化硅层厚度纳米尺寸效应的XPS研究
被引量：
3
2
作者
赵志娟
刘芬
赵良仲
机构
中国科学院化学研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期3030-3034,共5页
基金
质检公益性行业科研专项项目(200710199)~~
文摘
用X射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度经过国际比对准确已知的硅晶片上的超薄(1.45nm<d<7.2nm)氧化硅膜的Si2p电子能谱和价带谱.结果表明:SiO2膜厚d<2nm时,Si2p结合能最低,其原因可归结于此时光电离空穴既有来自SiO2中的原子极化对空穴的原子外弛豫,也有来自衬底Si的电荷移动对空穴的屏蔽(有效屏蔽距离大约是(2.5±0.6)nm);当d>3nm时Si2p结合能增大,此时只有来自SiO2的原子外弛豫,d较小者的Si2p结合能较高.SiO2的价带电子结构也与其厚度纳米尺寸效应有关:当d<2nm时价带中SiO2的O2p非成键电子峰的相对强度较强,O2p—Si3p和O2p—Si3s成键电子峰较弱.
关键词
硅晶片
SIO2膜
纳米厚度
尺寸效应
X射线光电子能谱
电子结合能
价带谱
原子
外
弛豫
Keywords
Si substrate
Silicon oxide film
Nanosize thickness
Size effect
X-ray photoelectron spectroscopy
Electron binding energy
Valence band spectrum
Extra-atomic relaxation
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米粒子尺寸效应引起的内层电子结合能位移
赵志娟
刘芬
邱丽美
赵良仲
闫寿科
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
下载PDF
职称材料
2
硅晶片上超薄氧化硅层厚度纳米尺寸效应的XPS研究
赵志娟
刘芬
赵良仲
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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职称材料
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