期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
原位自生SiC纳米线掺杂SiOC陶瓷粉体的制备与介电性能（英文）
被引量：
3
1
作者
叶昉
段文艳
+3 位作者
莫然
殷小玮
张立同
成来飞
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期39-43,共5页
以二茂铁为催化剂,催化裂解陶瓷聚合物先驱体制备了原位自生SiC纳米线掺杂的SiOC陶瓷粉体。SiC纳米线为堆垛方向为<111>的β相单晶体,直径为10～100 nm,长度可达数微米,均匀分布在SiOC粉体中。基于SiC纳米线微观结构分析,探讨了...
以二茂铁为催化剂,催化裂解陶瓷聚合物先驱体制备了原位自生SiC纳米线掺杂的SiOC陶瓷粉体。SiC纳米线为堆垛方向为<111>的β相单晶体,直径为10～100 nm,长度可达数微米,均匀分布在SiOC粉体中。基于SiC纳米线微观结构分析,探讨了纳米线的生长机制。研究了复合陶瓷粉体的介电性能。结果发现,SiC纳米线含量可调控复合粉体的电性能,较高含量纳米线可赋予复合粉体较高的介电实部与虚部。
展开更多
关键词
SiOC陶瓷
原位
自生
sic
纳米线
生长机制
介电性能
原文传递
题名
原位自生SiC纳米线掺杂SiOC陶瓷粉体的制备与介电性能（英文）
被引量：
3
1
作者
叶昉
段文艳
莫然
殷小玮
张立同
成来飞
机构
西北工业大学超高温结构复合材料实验室
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期39-43,共5页
基金
National Natural Science Foundation of China(51602258,51502242,51725205,51332004)
Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi(2017JM5094)
文摘
以二茂铁为催化剂,催化裂解陶瓷聚合物先驱体制备了原位自生SiC纳米线掺杂的SiOC陶瓷粉体。SiC纳米线为堆垛方向为<111>的β相单晶体,直径为10～100 nm,长度可达数微米,均匀分布在SiOC粉体中。基于SiC纳米线微观结构分析,探讨了纳米线的生长机制。研究了复合陶瓷粉体的介电性能。结果发现,SiC纳米线含量可调控复合粉体的电性能,较高含量纳米线可赋予复合粉体较高的介电实部与虚部。
关键词
SiOC陶瓷
原位
自生
sic
纳米线
生长机制
介电性能
Keywords
silicon oxycarbide
in situ grown
sic
nanowire
growth mechanism
dielectric property
分类号
TQ174.1 [化学工程—陶瓷工业]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原位自生SiC纳米线掺杂SiOC陶瓷粉体的制备与介电性能（英文）
叶昉
段文艳
莫然
殷小玮
张立同
成来飞
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
3
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
