-
题名不同应变率加载下硅的高压相变行为
- 1
-
-
作者
陈小辉
柳雷
张毅
李守瑞
敬秋民
高俊杰
李俊
-
机构
中国工程物理研究院流体物理研究所
-
出处
《高压物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第3期20-28,共9页
-
基金
国家自然科学基金(12274381)
冲击波物理与爆轰物理全国重点实验室基金(2023JCJQLB05410)。
-
文摘
高压相变是凝聚态物理、地球与行星科学、材料科学等领域关注的核心问题之一,而加载应变率是相变动力学过程的重要影响因素。由于动态加载下物质相结构原位诊断技术的不足以及宽广加载应变率下物质高压相变系统实验研究的缺失,难以开展基于原子尺度物理机制的相变动力学过程建模和数值模拟研究。由于硅的高压相极其丰富,且拥有大量亚稳相,动力学因素在其高压相变过程中发挥着至关重要的作用,因此,硅是研究高压相变动力学的理想材料,对普适相变动力学过程的理论建模具有重要意义。以硅为例,介绍其在准静态、中等应变率和高应变率加载下的相变行为,探讨加载应变率对其高压相变行为的影响。
-
关键词
应变率
原位结构探测
相变动力学
硅
高压相
-
Keywords
strain rate
in situ structural diagnostic
kinetics of phase transition
silicon
high-pressure phase第38卷陈小辉等:不同应变率加载下硅的高压相变行为第3期030102-
-
分类号
O521.2
[理学—高压高温物理]
O521.3
[理学—物理]
-