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厚薄膜混合氮化铝多层基板技术研究 被引量:3
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作者 陈寰贝 梁秋实 +1 位作者 刘玉根 王子良 《真空电子技术》 2015年第4期9-10,20,共3页
随着电子器件向着高密度高功率的方向发展,对于基板的散热与布线密度要求越来越高。为了适应这一趋势,研究了厚薄膜混合氮化铝基板技术,该技术结合了氮化铝高热导率、厚膜电路多层布线、薄膜电路精细布线的优势,能够满足未来高密度高功... 随着电子器件向着高密度高功率的方向发展,对于基板的散热与布线密度要求越来越高。为了适应这一趋势,研究了厚薄膜混合氮化铝基板技术,该技术结合了氮化铝高热导率、厚膜电路多层布线、薄膜电路精细布线的优势,能够满足未来高密度高功率器件产品需求。 展开更多
关键词 薄膜混合 氮化铝 高密度 高功率
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LTCC厚薄膜混合基板加工研究 被引量:13
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作者 党元兰 赵飞 +4 位作者 唐小平 梁广华 卢会湘 严英占 刘晓兰 《电子工艺技术》 2016年第2期90-93,共4页
LTCC厚薄膜混合基板的加工工序较多,过程复杂,层压、烧结及随后的研磨和抛光工艺对其平整度和粗糙度有较大的影响。研磨抛光后基板的清洗、烘干和溅射工艺影响金属膜层与基板的结合力等;膜层体系的选取影响基板的耐焊性;光刻及湿法刻蚀... LTCC厚薄膜混合基板的加工工序较多,过程复杂,层压、烧结及随后的研磨和抛光工艺对其平整度和粗糙度有较大的影响。研磨抛光后基板的清洗、烘干和溅射工艺影响金属膜层与基板的结合力等;膜层体系的选取影响基板的耐焊性;光刻及湿法刻蚀工艺影响线条精度等。通过对LTCC厚薄膜混合基板加工中的关键技术进行分析,得出加工过程中应该控制的要点。用Dupont 951和Ferro A6M材料制作的LTCC厚薄膜混合基板样件,最小线宽及间距20μm/20μm、线宽精度≤±5μm,用3M胶带测试膜层附着力满足要求,导带耐金锡共晶时间≥5 min,耐铅锡焊接时间为5次、10 s/次。 展开更多
关键词 LTCC 薄膜混合基板 平整度 粗糙度 研磨抛光 湿法刻蚀
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基于厚薄膜混合封装基板的射频系统级封装设计
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作者 张磊 肖磊 《空天预警研究学报》 CSCD 2023年第6期438-441,共4页
采用芯片倒装的形式可以有效解决高功率微波芯片系统级封装(SIP)的散热问题,但基于厚膜工艺的LTCC/HTCC封装基板与倒装芯片存在尺寸失配、无法直接互联的问题.为此设计了一种基于厚薄膜混合技术的封装基板.首先通过内部采用传统厚膜工... 采用芯片倒装的形式可以有效解决高功率微波芯片系统级封装(SIP)的散热问题,但基于厚膜工艺的LTCC/HTCC封装基板与倒装芯片存在尺寸失配、无法直接互联的问题.为此设计了一种基于厚薄膜混合技术的封装基板.首先通过内部采用传统厚膜工艺、表面采用薄膜布线工艺的厚薄膜混合技术解决了芯片与封装基板尺寸失配的问题;然后对与芯片匹配的带地共面波导(CPWG)尺寸进行设计,采用梯形过渡结构使之与封装基板垂直过孔尺寸匹配;最后通过热仿真验证了该结构的系统散热性能.仿真结果表明,在射频性能良好情况下,本文封装结构散热性能优于传统形式封装. 展开更多
关键词 系统级封装 芯片倒装 薄膜混合技术 垂直过渡结构 带地共面波导 散热
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基于厚薄膜混合基板的超宽带垂直互联设计 被引量:1
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作者 翟志明 邢小明 夏侯海 《电子测量技术》 2019年第4期37-41,共5页
针对三维集成电路中基板层间信号垂直互联问题,基于厚薄膜基板的优良特性,设计了一种超宽带的同轴到带状线再到微带线的过渡结构,能够工作到80 GHz。这种垂直结构采用LTCC为基板,旋涂BCB膜层,适用于系统级封装。该结构利用"水滴&qu... 针对三维集成电路中基板层间信号垂直互联问题,基于厚薄膜基板的优良特性,设计了一种超宽带的同轴到带状线再到微带线的过渡结构,能够工作到80 GHz。这种垂直结构采用LTCC为基板,旋涂BCB膜层,适用于系统级封装。该结构利用"水滴"匹配的方法,并嵌入空气腔抑制寄生电容,有效地改善了互联结构的射频传输性能。仿真结果表明,其背靠背(同轴-带状线-微带线-带状线-同轴)结构在0~80 GHz频段范围内,回波损耗均低于-17 dB,插入损耗均优于-0.5 dB,驻波比均低于1.35,具有良好的超宽带传输特性。 展开更多
关键词 垂直互联 超宽带 空气腔 薄膜混合基板 LTCC BCB
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