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混合基板表面前处理工艺研究
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作者 李浩 王济乾 +2 位作者 高浩 张伟强 崔凯 《电子机械工程》 2024年第6期56-59,64,共5页
基于氮化铝高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics,HTCC)厚薄膜混合基板的结构特点和工艺流程,通过探究分析混合基板表面研磨抛光后的微观状态,文中揭示了抛光后基板表面富氮疏松层的存在及附着力下降的机理,研究和优化了氮... 基于氮化铝高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics,HTCC)厚薄膜混合基板的结构特点和工艺流程,通过探究分析混合基板表面研磨抛光后的微观状态,文中揭示了抛光后基板表面富氮疏松层的存在及附着力下降的机理,研究和优化了氮化铝HTCC厚薄膜混合基板制造工艺,创新性地在前处理工艺中增加离子束刻蚀处理,从而有效消除了基板表面抛光引入的疏松层和表面残留的有机物污染,为表面薄膜布线提供了良好的界面。经过优化前处理工艺的基板表面导体附着力得到大幅提升,制作出的混合基板全部通过3M610附着力胶带考核,表面导体焊接拉脱附着力超过79.43 N,有效解决了混合基板工程化应用过程出现的导体膜层脱膜问题。 展开更多
关键词 薄膜 混合基板 离子束刻蚀 附着力
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高温超导电子浆料 超导厚薄膜研究动态与应用前景
2
作者 宋洪法 《电子材料(机电部)》 1992年第10期20-24,共5页
关键词 超导 电子浆料 薄膜 微电子学
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LTCC厚薄膜混合基板加工研究 被引量:14
3
作者 党元兰 赵飞 +4 位作者 唐小平 梁广华 卢会湘 严英占 刘晓兰 《电子工艺技术》 2016年第2期90-93,共4页
LTCC厚薄膜混合基板的加工工序较多,过程复杂,层压、烧结及随后的研磨和抛光工艺对其平整度和粗糙度有较大的影响。研磨抛光后基板的清洗、烘干和溅射工艺影响金属膜层与基板的结合力等;膜层体系的选取影响基板的耐焊性;光刻及湿法刻蚀... LTCC厚薄膜混合基板的加工工序较多,过程复杂,层压、烧结及随后的研磨和抛光工艺对其平整度和粗糙度有较大的影响。研磨抛光后基板的清洗、烘干和溅射工艺影响金属膜层与基板的结合力等;膜层体系的选取影响基板的耐焊性;光刻及湿法刻蚀工艺影响线条精度等。通过对LTCC厚薄膜混合基板加工中的关键技术进行分析,得出加工过程中应该控制的要点。用Dupont 951和Ferro A6M材料制作的LTCC厚薄膜混合基板样件,最小线宽及间距20μm/20μm、线宽精度≤±5μm,用3M胶带测试膜层附着力满足要求,导带耐金锡共晶时间≥5 min,耐铅锡焊接时间为5次、10 s/次。 展开更多
关键词 LTCC 薄膜混合基板 平整度 粗糙度 研磨抛光 湿法刻蚀
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混合集成技术代际及发展研究 被引量:6
4
作者 朱雨生 施静 陈承 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2021年第5期438-450,共13页
混合集成技术是一种将零级封装直接组装封装为1~3级封装模块或系统,以满足航空、航天、电子及武器装备对产品体积小、重量轻、功能强、可靠性高、频率宽、精密度高、稳定性好需求的高端封装技术。从二十世纪七十年代至今,混合集成技术... 混合集成技术是一种将零级封装直接组装封装为1~3级封装模块或系统,以满足航空、航天、电子及武器装备对产品体积小、重量轻、功能强、可靠性高、频率宽、精密度高、稳定性好需求的高端封装技术。从二十世纪七十年代至今,混合集成技术历经了从厚薄膜组装到多芯片组件(MCM)、系统级封装(SiP)、微系统集成等阶段。它始终专注于微观器件与宏观器件的联结,是一种融合设计、材料、工艺、工程、实验的多学科持续创新技术;文中通过分析研究不同时期混合集成技术的工艺特征、技术要点和典型产品,归纳与总结首次提出混合集成技术代际划分,同时根据不同代际的技术特征与趋势,对下一代混合集成技术的发展方向进行预测。 展开更多
关键词 混合集成电路 混合集成技术 薄膜工艺 微系统 代际
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厚薄膜混合氮化铝多层基板技术研究 被引量:4
5
作者 陈寰贝 梁秋实 +1 位作者 刘玉根 王子良 《真空电子技术》 2015年第4期9-10,20,共3页
随着电子器件向着高密度高功率的方向发展,对于基板的散热与布线密度要求越来越高。为了适应这一趋势,研究了厚薄膜混合氮化铝基板技术,该技术结合了氮化铝高热导率、厚膜电路多层布线、薄膜电路精细布线的优势,能够满足未来高密度高功... 随着电子器件向着高密度高功率的方向发展,对于基板的散热与布线密度要求越来越高。为了适应这一趋势,研究了厚薄膜混合氮化铝基板技术,该技术结合了氮化铝高热导率、厚膜电路多层布线、薄膜电路精细布线的优势,能够满足未来高密度高功率器件产品需求。 展开更多
关键词 薄膜混合 氮化铝 高密度 高功率
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混合集成技术代际及发展研究 被引量:2
6
作者 朱雨生 施静 陈承 《电子技术应用》 2021年第4期36-45,共10页
混合集成技术是一种将零级封装直接组装封装为1~3级封装模块或系统,以满足航空、航天、电子及武器装备对产品体积小、重量轻、功能强、可靠性高、频率宽、精密度高、稳定性好需求的高端封装技术。从20世纪70年代至今,混合集成技术历经... 混合集成技术是一种将零级封装直接组装封装为1~3级封装模块或系统,以满足航空、航天、电子及武器装备对产品体积小、重量轻、功能强、可靠性高、频率宽、精密度高、稳定性好需求的高端封装技术。从20世纪70年代至今,混合集成技术历经了从厚薄膜组装到多芯片组件(MCM)、系统级封装(SiP)、微系统集成等阶段。它始终专注于微观器件与宏观器件的联结,是一种融合设计、材料、工艺、工程、实验的多学科持续创新技术。通过分析研究不同时期混合集成技术的工艺特征、技术要点和典型产品,通过归纳与总结首次提出混合集成技术代际划分,同时根据不同代际的技术特征与趋势,对下一代混合集成技术的发展方向进行预测。 展开更多
关键词 混合集成电路 混合集成技术 薄膜工艺 微系统 代际
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厚薄膜混合微电路在测井仪器中的应用 被引量:1
7
作者 宋万广 冯永仁 《石油化工应用》 CAS 2013年第2期60-62,共3页
为实现大深度井、高温井的地层参数测量,提高测井仪器的耐高温性能,研究了基于厚薄膜技术的混合微电路,用来替代传统PCB电路板,达到提高测井仪器电子线路耐高温性能的目的。经实验室高温循环测试,利用该技术研发的功能模块能够在175℃... 为实现大深度井、高温井的地层参数测量,提高测井仪器的耐高温性能,研究了基于厚薄膜技术的混合微电路,用来替代传统PCB电路板,达到提高测井仪器电子线路耐高温性能的目的。经实验室高温循环测试,利用该技术研发的功能模块能够在175℃高温环境下按照正常测井时序工作10h以上,且体积小、质量轻、可靠性高,该技术可以在测井仪器中推广应用。 展开更多
关键词 薄膜技术 混合微电路 测井仪器 耐高温
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基于厚薄膜混合封装基板的射频系统级封装设计
8
作者 张磊 肖磊 《空天预警研究学报》 CSCD 2023年第6期438-441,共4页
采用芯片倒装的形式可以有效解决高功率微波芯片系统级封装(SIP)的散热问题,但基于厚膜工艺的LTCC/HTCC封装基板与倒装芯片存在尺寸失配、无法直接互联的问题.为此设计了一种基于厚薄膜混合技术的封装基板.首先通过内部采用传统厚膜工... 采用芯片倒装的形式可以有效解决高功率微波芯片系统级封装(SIP)的散热问题,但基于厚膜工艺的LTCC/HTCC封装基板与倒装芯片存在尺寸失配、无法直接互联的问题.为此设计了一种基于厚薄膜混合技术的封装基板.首先通过内部采用传统厚膜工艺、表面采用薄膜布线工艺的厚薄膜混合技术解决了芯片与封装基板尺寸失配的问题;然后对与芯片匹配的带地共面波导(CPWG)尺寸进行设计,采用梯形过渡结构使之与封装基板垂直过孔尺寸匹配;最后通过热仿真验证了该结构的系统散热性能.仿真结果表明,在射频性能良好情况下,本文封装结构散热性能优于传统形式封装. 展开更多
关键词 系统级封装 芯片倒装 薄膜混合技术 垂直过渡结构 带地共面波导 散热
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基于厚薄膜混合基板的超宽带垂直互联设计 被引量:1
9
作者 翟志明 邢小明 夏侯海 《电子测量技术》 2019年第4期37-41,共5页
针对三维集成电路中基板层间信号垂直互联问题,基于厚薄膜基板的优良特性,设计了一种超宽带的同轴到带状线再到微带线的过渡结构,能够工作到80 GHz。这种垂直结构采用LTCC为基板,旋涂BCB膜层,适用于系统级封装。该结构利用"水滴&qu... 针对三维集成电路中基板层间信号垂直互联问题,基于厚薄膜基板的优良特性,设计了一种超宽带的同轴到带状线再到微带线的过渡结构,能够工作到80 GHz。这种垂直结构采用LTCC为基板,旋涂BCB膜层,适用于系统级封装。该结构利用"水滴"匹配的方法,并嵌入空气腔抑制寄生电容,有效地改善了互联结构的射频传输性能。仿真结果表明,其背靠背(同轴-带状线-微带线-带状线-同轴)结构在0~80 GHz频段范围内,回波损耗均低于-17 dB,插入损耗均优于-0.5 dB,驻波比均低于1.35,具有良好的超宽带传输特性。 展开更多
关键词 垂直互联 超宽带 空气腔 薄膜混合基板 LTCC BCB
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厚薄膜混合微电路在测井仪器中的应用
10
作者 宋万广 《石油工业计算机应用》 2013年第2期50-51,4,共2页
为实现大深度井、高温井的地层参数测量,提高测井仪器的耐高温性能,研究了基于厚薄膜技术的混合微电路,用来替代传统PCB电路板,达到提高测井仪器电子线路耐高温性能的目的。经实验室高温循环测试,利用该技术研发的功能模块能够在175℃... 为实现大深度井、高温井的地层参数测量,提高测井仪器的耐高温性能,研究了基于厚薄膜技术的混合微电路,用来替代传统PCB电路板,达到提高测井仪器电子线路耐高温性能的目的。经实验室高温循环测试,利用该技术研发的功能模块能够在175℃高温环境下按照正常测井时序工作10小时以上,且体积小、重量轻、可靠性高,该技术可以在测井仪器中推广应用。 展开更多
关键词 薄膜技术 混合微电路 测井仪器 耐高温
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HIC的世纪回眸、存在问题与前景展望
11
作者 周立飞 《电子元器件应用》 2000年第3期1-4,共4页
六十年代初到九十年代末的今天,厚薄膜混合集成电路在我国走过了三分之一以上的世纪,几经沧桑,几次起落,从无到有,从小到大,在近四十年中,经过两代人的奋斗,现在己被广泛应用于航空、航天、卫星、火箭、家电、通信、纺织、计算机、仪器... 六十年代初到九十年代末的今天,厚薄膜混合集成电路在我国走过了三分之一以上的世纪,几经沧桑,几次起落,从无到有,从小到大,在近四十年中,经过两代人的奋斗,现在己被广泛应用于航空、航天、卫星、火箭、家电、通信、纺织、计算机、仪器仪表、医疗卫生、汽车、电力等许多方面,已经发展成为具有相当规模的、在我国电子工业中一门不可缺少的产业。 展开更多
关键词 混合集成电路 薄膜集成电路 集成电路产业
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厚类金刚石碳基薄膜的制备及摩擦与腐蚀性能的表征 被引量:6
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作者 李安 李霞 +2 位作者 王云锋 张广安 万善宏 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期253-261,共9页
目的设计多层掺Si交替沉积的厚DLC薄膜,改善SUS304不锈钢的耐磨性与耐蚀性,拓展其使用范围。方法使用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,在C_2H_2-SiH_4气氛中,通过Si_x-DLC与Si_y-DLC交替沉积的制备方法,以SUS304不锈钢为基底,制备了... 目的设计多层掺Si交替沉积的厚DLC薄膜,改善SUS304不锈钢的耐磨性与耐蚀性,拓展其使用范围。方法使用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,在C_2H_2-SiH_4气氛中,通过Si_x-DLC与Si_y-DLC交替沉积的制备方法,以SUS304不锈钢为基底,制备了厚度为20.0、34.9、41.6μm的三种不同调制比(1∶5、1∶1、4∶1)的厚类金刚石碳基薄膜。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、纳米压痕仪、RST3划痕仪,分析了厚DLC薄膜的微观结构与力学性能。利用CSM摩擦磨损试验机评价厚DLC薄膜的摩擦学性能,并用能谱仪对磨斑成分进行分析。利用电化学工作站分析厚DLC薄膜的腐蚀行为,并用扫描电镜观察腐蚀形貌。结果厚DLC薄膜结构致密,强化效果明显,硬度最高达13.8GPa,结合力在21~29N范围内。SUS304不锈钢的摩擦系数在跑和阶段急速升高至0.5,随着滑动次数的增加,呈上升趋势,1 h后,磨损率无法用轮廓仪测量。厚DLC薄膜在低载荷与高载荷下的摩擦系数始终保持在0.05~0.2之间,磨损率低至9.4×10^(-17) mm^3/(N·m)。电化学测试表明,SUS304不锈钢的腐蚀电位为-0.49V,腐蚀电流密度为1.46×10^(-6) A/cm^2。与SUS304不锈钢相比,三种厚度的DLC薄膜腐蚀电位正移、极化电阻升高,腐蚀电流密度最大可降低3个数量级。结论厚DLC薄膜的应用可以有效降低摩擦磨损,腐蚀倾向相比于不锈钢明显降低,具有良好的耐腐蚀性。 展开更多
关键词 SUS304不锈钢 DLC薄膜 耐磨损 耐腐蚀 掺Si
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军用膜集成电路市场及技术现状分析 被引量:1
13
作者 谭士杰 穆祯宗 《磁性材料及器件》 北大核心 2014年第6期69-73,共5页
膜集成电路包括厚膜(LTCC)工艺集成电路、薄膜工艺集成电路,其与半导体集成电路一起有机地构成了混合集成电路(HIC),而后者是军事与宇航电子装备的重要组件、分系统甚至是系统。膜集成电路对军用电子装备的更新换代产生重大影响。简要... 膜集成电路包括厚膜(LTCC)工艺集成电路、薄膜工艺集成电路,其与半导体集成电路一起有机地构成了混合集成电路(HIC),而后者是军事与宇航电子装备的重要组件、分系统甚至是系统。膜集成电路对军用电子装备的更新换代产生重大影响。简要介绍国内外军用膜集成电路的市场规模、应用领域及相关技术现状,分析了我军装备用膜集成电路与国外的差距,提出了发展膜集成电路的几点建议。 展开更多
关键词 /薄膜集成电路 军用市场 技术 应用
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积层板的最新技术动向
14
作者 蔡积庆 《印制电路信息》 2004年第7期46-52,共7页
概述了积层板技术开发背景,第一代积层板及其特征和最新的积层板技术动向,一次积层板技术(并行技术)和厚膜薄膜混成第二代积层板技术。
关键词 一次积层板 序贯积层板 薄膜混成积层板 超微细连接
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陶瓷板在手机相机模块上的应用研究 被引量:1
15
作者 杨根林 《现代表面贴装资讯》 2010年第3期6-17,共12页
相机模块的电路板按材质可分为有机和无机两种类型,有机类基材应用最广因此大家耳熟能详,比如玻璃纤维/环氧树脂、BT/Epoxy混合树脂和聚酰亚胺PI(Polyimide)等,并以环氧树脂玻纤覆铜箔层压板(Epoxy—Glass Fiber Copper Clad La... 相机模块的电路板按材质可分为有机和无机两种类型,有机类基材应用最广因此大家耳熟能详,比如玻璃纤维/环氧树脂、BT/Epoxy混合树脂和聚酰亚胺PI(Polyimide)等,并以环氧树脂玻纤覆铜箔层压板(Epoxy—Glass Fiber Copper Clad Laminates)即俗称FR4基板最为常见;而无机类材质有金属芯基板MCPCB(Metal-Core Printing Circuit Boards)和陶瓷基板(Ceramic Substrate Board)等多种,陶瓷基板应用的相对更广一些。早期,陶瓷基材主要用于电子元器件,比如片式电阻和电容、大功率照明发光二极管、无引线陶瓷封装载体(LCCC)和陶瓷焊球阵列封装(CBGA),等等(参考图1),然而较少用作电路板基材。 展开更多
关键词 相机模块(Camera Module) 陶瓷板(Ceramic Circuit Board) 膜/薄膜工艺电路 低温共烧陶瓷(LTCC) 高温共烧陶瓷(HTCC) 凹陷电路板(Cavity PCB) 低高度(Low-Profile) 小尺寸(Small Size) 微型化构造 自动检测装置(ATE) 非共面性模板(3D Stencil) 喷印锡工艺(Jet Printing)
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积层法多层板的最新技术发展(下)
16
作者 祝大同 《印制电路资讯》 2004年第3期47-51,共5页
在半导体制造技术上,由于90nm-65nm微细化的LSI配线尺寸的出现.驱使着印制电路板导线宽度达到数百μm,最尖端技术已实现10μm。这种连接、接合、配线技术被称为“超连接技术”。作为新一代PCB技术—积层法多层板,于20世纪90年代间... 在半导体制造技术上,由于90nm-65nm微细化的LSI配线尺寸的出现.驱使着印制电路板导线宽度达到数百μm,最尖端技术已实现10μm。这种连接、接合、配线技术被称为“超连接技术”。作为新一代PCB技术—积层法多层板,于20世纪90年代间、在各个日本厂家掀起了对它的开发热潮。而当前以实现低成本为主要目标的“一次性积层技术”,又将第一代积层法多层板制造技术推向了一个更高的层次。为了达到印制电路板的高密度微细配线,现已开发出应用厚膜、薄膜混成技术的第二代积层法多层板:本文全面论述了两代积层法多层板技术的特点与发展。 展开更多
关键词 印制电路板 积层法多层板 薄膜混成 高密度微细配线
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超深亚微米(VDSM)Foundry(二)——数模混合电路和射频电路
17
作者 张汝京 杨士宁 刘越 《中国集成电路》 2003年第46期69-72,共4页
本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件... 本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件和被动元件。数模混合电路和射频电路中的 CMOS 电路必须与 logic 电路相兼容。其主动元件或称有源元件(Active Devices) 展开更多
关键词 超深亚微米 VDSM 数模混合电路 射频电路 电容器 电阻器 NMOS变容器 金属薄膜电感器
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厚多晶硅膜饱和掺杂工艺研究
18
作者 林丽 聂圆燕 吴晓鸫 《电子与封装》 2012年第5期28-30,共3页
文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固... 文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶硅薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 饱和掺杂 低阻 多晶硅电阻
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