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五阶压控忆阻蔡氏混沌电路的双稳定性
被引量:
11
1
作者
林毅
刘文波
沈骞
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第23期25-35,共11页
通过在蔡氏电路的耦合电阻支路中串联一个电感,采用压控忆阻替换蔡氏电路中的蔡氏二极管,提出了一种新颖的五阶压控忆阻蔡氏混沌电路.建立该电路的数学模型,从理论上分析了平衡点及其稳定性的演化过程.特别地,该电路在给定参数下只有一...
通过在蔡氏电路的耦合电阻支路中串联一个电感,采用压控忆阻替换蔡氏电路中的蔡氏二极管,提出了一种新颖的五阶压控忆阻蔡氏混沌电路.建立该电路的数学模型,从理论上分析了平衡点及其稳定性的演化过程.特别地,该电路在给定参数下只有一个不稳定的零平衡点,却形成了混沌与周期的非对称吸引子共存的吸引盆,意味着双稳定性的存在.进而利用数值仿真与PSIM电路仿真着重研究了本文电路在不同初始状态下产生的双稳定性现象及其形成机理. PSIM电路仿真结果与数值仿真结果一致,较好地验证了理论分析.借助分岔图、李雅普诺夫指数、相轨图和吸引盆进一步深入探讨了归一化五阶压控忆阻蔡氏系统依赖于系统初始条件的动力学行为.结果表明,该忆阻蔡氏系统在不同的初始条件下能够呈现出混沌吸引子与周期极限环共存的双稳定性现象.
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关键词
双稳定性
动力学行为
压
控
忆
阻
蔡氏电路
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职称材料
混合型CMOS-忆阻与非/或非单元的设计及应用
2
作者
饶历
李路平
林弥
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2023年第2期13-18,共6页
针对级联型运算单元的延迟问题,设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先,采用阈值型压控忆阻器模型,以忆阻器和CMOS晶体管为核心,设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元,有效减小了延迟时间;然后,将混合型CMOS-...
针对级联型运算单元的延迟问题,设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先,采用阈值型压控忆阻器模型,以忆阻器和CMOS晶体管为核心,设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元,有效减小了延迟时间;然后,将混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元应用到了八线三线编码器电路的设计中,通过控制不同的输入信号能得到对应的二进制编码信号;最后,通过PSPICE仿真验证了设计电路的正确性。
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关键词
阈值型
压
控
忆
阻
器
CMOS-
忆
阻
混合电路
与非/或非
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职称材料
基于广义忆阻器的Lü超混沌系统分析及其应用
3
作者
孙绍泽
李锦屏
李新颖
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期387-397,共11页
引入一个双曲正切的广义压控忆阻器到Lü混沌系统中,增加混沌系统的复杂程度,构建了一个新型的四阶超混沌忆阻系统.采用Lyapunov指数、分岔图等非线性系统分析方法对忆阻系统进行理论分析,验证系统的超混沌特性.研究忆阻系统的动力...
引入一个双曲正切的广义压控忆阻器到Lü混沌系统中,增加混沌系统的复杂程度,构建了一个新型的四阶超混沌忆阻系统.采用Lyapunov指数、分岔图等非线性系统分析方法对忆阻系统进行理论分析,验证系统的超混沌特性.研究忆阻系统的动力学行为,对系统参数与初始值的改变进行分析,得到随参数变化引起的分岔与瞬态混沌现象和随初始值变化的吸引子共存现象.电路仿真及硬件电路验证了该忆阻超混沌系统的正确性与物理可实现性.将该忆阻超混沌系统应用于彩色图像加密中,具有良好的密钥敏感性和丰富的动力学特性,与加密算法结合后可用于保密通信领域.
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关键词
广义
压
控
忆
阻
器
超混沌
动力学行为
硬件电路
图像加密
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职称材料
题名
五阶压控忆阻蔡氏混沌电路的双稳定性
被引量:
11
1
作者
林毅
刘文波
沈骞
机构
南京航空航天大学自动化学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第23期25-35,共11页
基金
国家自然科学基金(批准号:61471191)
航空科学基金(批准号:20152052026)资助的课题~~
文摘
通过在蔡氏电路的耦合电阻支路中串联一个电感,采用压控忆阻替换蔡氏电路中的蔡氏二极管,提出了一种新颖的五阶压控忆阻蔡氏混沌电路.建立该电路的数学模型,从理论上分析了平衡点及其稳定性的演化过程.特别地,该电路在给定参数下只有一个不稳定的零平衡点,却形成了混沌与周期的非对称吸引子共存的吸引盆,意味着双稳定性的存在.进而利用数值仿真与PSIM电路仿真着重研究了本文电路在不同初始状态下产生的双稳定性现象及其形成机理. PSIM电路仿真结果与数值仿真结果一致,较好地验证了理论分析.借助分岔图、李雅普诺夫指数、相轨图和吸引盆进一步深入探讨了归一化五阶压控忆阻蔡氏系统依赖于系统初始条件的动力学行为.结果表明,该忆阻蔡氏系统在不同的初始条件下能够呈现出混沌吸引子与周期极限环共存的双稳定性现象.
关键词
双稳定性
动力学行为
压
控
忆
阻
蔡氏电路
Keywords
bi-stability
dynamical behaviors
voltage-controlled memristor
Chua's circuit
分类号
O415.5 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
混合型CMOS-忆阻与非/或非单元的设计及应用
2
作者
饶历
李路平
林弥
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
出处
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2023年第2期13-18,共6页
文摘
针对级联型运算单元的延迟问题,设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先,采用阈值型压控忆阻器模型,以忆阻器和CMOS晶体管为核心,设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元,有效减小了延迟时间;然后,将混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元应用到了八线三线编码器电路的设计中,通过控制不同的输入信号能得到对应的二进制编码信号;最后,通过PSPICE仿真验证了设计电路的正确性。
关键词
阈值型
压
控
忆
阻
器
CMOS-
忆
阻
混合电路
与非/或非
Keywords
threshold voltage-controlled memristor
CMOS-memristor hybrid circuit
NAND/NOR
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于广义忆阻器的Lü超混沌系统分析及其应用
3
作者
孙绍泽
李锦屏
李新颖
机构
兰州交通大学电子与信息工程学院
出处
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期387-397,共11页
基金
甘肃省科技厅计划项目(21JR7RA290,22JR5RA362,22JR5RA363)
甘肃省高等学校创新基金项目(2021B-107)
校级研究生教育改革重点项目(JG202201)。
文摘
引入一个双曲正切的广义压控忆阻器到Lü混沌系统中,增加混沌系统的复杂程度,构建了一个新型的四阶超混沌忆阻系统.采用Lyapunov指数、分岔图等非线性系统分析方法对忆阻系统进行理论分析,验证系统的超混沌特性.研究忆阻系统的动力学行为,对系统参数与初始值的改变进行分析,得到随参数变化引起的分岔与瞬态混沌现象和随初始值变化的吸引子共存现象.电路仿真及硬件电路验证了该忆阻超混沌系统的正确性与物理可实现性.将该忆阻超混沌系统应用于彩色图像加密中,具有良好的密钥敏感性和丰富的动力学特性,与加密算法结合后可用于保密通信领域.
关键词
广义
压
控
忆
阻
器
超混沌
动力学行为
硬件电路
图像加密
Keywords
generalized voltage controlled memristor
hyperchaos
dynamic behavior
hardware circuit
image encryption
分类号
O415.5 [理学—理论物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
五阶压控忆阻蔡氏混沌电路的双稳定性
林毅
刘文波
沈骞
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
11
下载PDF
职称材料
2
混合型CMOS-忆阻与非/或非单元的设计及应用
饶历
李路平
林弥
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2023
0
下载PDF
职称材料
3
基于广义忆阻器的Lü超混沌系统分析及其应用
孙绍泽
李锦屏
李新颖
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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