l 纳米气相二氧化硅概况纳米气相二氧化硅(国内俗称气相法白炭黑,以下简称气相SiO_2)是利用卤硅烷经氢氧焰高温水解制得的一种精细、特殊的无定形二氧化硅产品,该产品的原生粒径在7～40nm之间,比表面积一般在100m^2/g～400m^2/g范围内,...l 纳米气相二氧化硅概况纳米气相二氧化硅(国内俗称气相法白炭黑,以下简称气相SiO_2)是利用卤硅烷经氢氧焰高温水解制得的一种精细、特殊的无定形二氧化硅产品,该产品的原生粒径在7～40nm之间,比表面积一般在100m^2/g～400m^2/g范围内,产品纯度高,SiO^2含量不小于99.8%,是一种极其重要的无机纳米粉体材料。由于其优越的稳定性、补强性、增稠性和触变性而在橡胶、塑料、电子、涂料、医药、农业和CMP等领域得到广泛的应用。气相SiO^2一般有亲水型和疏水型两种产品。展开更多
重点描述了三氯硅烷(HS iC l3)的制备和精制工艺。HS iC l3的工业化合成方法主要有硅氢氯化法和四氯化硅-氢还原法2种,HS iC l3的精制方法主要有精馏法、吸附法和多步精制法,其中多步精制法又可分为冷凝-精馏法、反应-精馏法、吸附-精...重点描述了三氯硅烷(HS iC l3)的制备和精制工艺。HS iC l3的工业化合成方法主要有硅氢氯化法和四氯化硅-氢还原法2种,HS iC l3的精制方法主要有精馏法、吸附法和多步精制法,其中多步精制法又可分为冷凝-精馏法、反应-精馏法、吸附-精馏法等。结合使用先进的精制工艺,产品可满足高端电子产品的需求。同时介绍了高纯HS iC l3的国际生产情况,指出中国目前HS iC l3产品的纯度只能满足中低端应用,今后应加紧开发高纯度级别的产品,缩短与国外先进水平的差距。展开更多
文摘重点描述了三氯硅烷(HS iC l3)的制备和精制工艺。HS iC l3的工业化合成方法主要有硅氢氯化法和四氯化硅-氢还原法2种,HS iC l3的精制方法主要有精馏法、吸附法和多步精制法,其中多步精制法又可分为冷凝-精馏法、反应-精馏法、吸附-精馏法等。结合使用先进的精制工艺,产品可满足高端电子产品的需求。同时介绍了高纯HS iC l3的国际生产情况,指出中国目前HS iC l3产品的纯度只能满足中低端应用,今后应加紧开发高纯度级别的产品,缩短与国外先进水平的差距。
