期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种基于FAT文件系统的NAND Flash坏块处理方法 被引量:12
1
作者 罗晓 刘昊 《电子器件》 CAS 2008年第2期716-719,共4页
NAND Flash具有高存储密度和高存储速率的特点,在嵌入式系统领域得到了广泛应用。但其固有的擦除机制和存在有坏块这一致命弱点,成为其在应用中的主要障碍。本文提出了一种应用于FAT文件系统上的坏块处理方法,使用Flash上其他的空闲块... NAND Flash具有高存储密度和高存储速率的特点,在嵌入式系统领域得到了广泛应用。但其固有的擦除机制和存在有坏块这一致命弱点,成为其在应用中的主要障碍。本文提出了一种应用于FAT文件系统上的坏块处理方法,使用Flash上其他的空闲块或者空闲空间来代替坏块,并将坏块在FAT表中作出标记以后不作使用。这种方法彻底屏蔽了坏块对上层应用的影响,并对存储介质没有造成任何不良影响,从而很好地克服了上述障碍。工程项目中的应用证明了其较高的可靠性。 展开更多
关键词 神经信号 中枢神经系统 CMOS 电极
下载PDF
单片集成低功耗神经信号检测CMOS放大器 被引量:6
2
作者 王余峰 王志功 +1 位作者 吕晓迎 王惠玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1490-1495,共6页
采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计了可用于植入式神经信号检测的放大器芯片.电路适用于卡肤电极系统,包括低噪声前置放大级、由电流模仪表放大器构成的主放大级、输出缓冲级和恒跨导偏置级.电路工作于2·5V/±1·25V,功耗18... 采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计了可用于植入式神经信号检测的放大器芯片.电路适用于卡肤电极系统,包括低噪声前置放大级、由电流模仪表放大器构成的主放大级、输出缓冲级和恒跨导偏置级.电路工作于2·5V/±1·25V,功耗180μW.为满足体内植入式神经信号检测的要求,通过电路改进以避免使用片外元件,实现了单片集成.根据神经信号的特点,电路频率响应带宽设计为59Hz^12·8kHz,增益80dB.采用时域方法测试,芯片达到设计目标,有望用于体内神经信号检测.依据测试结果分析了电路特性并提出改进方法. 展开更多
关键词 神经信号检测 神经功能信号再生 电极 CMOS工艺
下载PDF
电流激励神经信号重建系统
3
作者 张竞扬 李文渊 王志功 《仪器仪表用户》 2007年第4期37-38,共2页
本文采用CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了一种电流激励神经信号重建系统,适用于卡肤电极系统,包括增益可调的神经信号检测电路、单位增益缓冲级、强负载能力的FES跨导放大电路、负反馈控制的偏置级和输出前馈结构,工作于5V/±2.5V。... 本文采用CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了一种电流激励神经信号重建系统,适用于卡肤电极系统,包括增益可调的神经信号检测电路、单位增益缓冲级、强负载能力的FES跨导放大电路、负反馈控制的偏置级和输出前馈结构,工作于5V/±2.5V。经时域仿真验证,电路频率响应带宽设计为0.1Hz-10kHz,输出电流最高可达1mA,电路跨导最大可达0.7S,输入失调电压为0.83μV,共模抑制比为-93.82dB。性能满足神经信号重建系统的要求,将用于重建动物实验。 展开更多
关键词 神经信号重建系统 电流激励 FES跨导放大电路 电极
下载PDF
微弱神经信号探测CMOS放大器
4
作者 郑春 李文渊 《电子器件》 CAS 2009年第1期53-55,59,共4页
采用CSMC 0.5μm CMOS工艺设计了微弱神经信号探测放大器芯片。电路适用于卡肤电极。电路采用并联运算放大器差动输入的三运放结构,具有输入阻抗高、共模抑制比高的特点。为防止运算放大器产生振荡,采用了带调零电阻的密勒补偿技术对运... 采用CSMC 0.5μm CMOS工艺设计了微弱神经信号探测放大器芯片。电路适用于卡肤电极。电路采用并联运算放大器差动输入的三运放结构,具有输入阻抗高、共模抑制比高的特点。为防止运算放大器产生振荡,采用了带调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿。电路工作电压±2.5 V,单个运放的功耗为734μW,增益86.2 dB。电路功耗1.9 mW,增益80 dB,3 dB带宽大于10 kHz,可满足神经信号探测的应用要求。 展开更多
关键词 神经信号探测 运算放大器 CMOS工艺 电极
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部