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PERC背钝化工艺卡点位置缺陷导致EL不良研究
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作者 张福庆 李文涛 +2 位作者 张若凡 胡明强 张朔龙 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期385-390,共6页
以二合一管式PECVD背钝化镀膜工艺过程中出现的石墨舟空心卡点EL发黑品质异常为研究对象,分析讨论二合一管式PECVD背钝化工艺中射频功率、工艺温度、氧化铝沉积厚度等对晶硅太阳电池空心卡点EL发黑品质异常的影响。结果表明,在二合一管... 以二合一管式PECVD背钝化镀膜工艺过程中出现的石墨舟空心卡点EL发黑品质异常为研究对象,分析讨论二合一管式PECVD背钝化工艺中射频功率、工艺温度、氧化铝沉积厚度等对晶硅太阳电池空心卡点EL发黑品质异常的影响。结果表明,在二合一管式PECVD背钝化工艺时采用12~16 nm厚度的氧化铝薄膜、350~370℃的预淀积工艺温度,能有效解决镀膜空心卡点EL发黑品质异常,显著提升晶硅太阳电池在二合一管式PECVD的镀膜品质。 展开更多
关键词 太阳电池 EL发黑 背钝化 预淀积 二合一管式PECVD 卡点钝化缺陷
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