2013年9月5日讯:Vishay Intertechnology,Inc.(VSH)宣布,扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2 ...2013年9月5日讯:Vishay Intertechnology,Inc.(VSH)宣布,扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2 mm×2 mm,在—4.5 V和—10 V栅极驱动下的导通电阻是—12 V、—20 V和—30 V(12 V VGS和20 V VGS)器件中最低的。展开更多
文摘日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm×2mm占位面积的-30 V器件,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30 V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量,其12 V VGS使器件在-3.7 V和-2.5
文摘2013年9月5日讯:Vishay Intertechnology,Inc.(VSH)宣布,扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2 mm×2 mm,在—4.5 V和—10 V栅极驱动下的导通电阻是—12 V、—20 V和—30 V(12 V VGS和20 V VGS)器件中最低的。
