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热沉尺寸对半导体激光器有源区温度的影响 被引量：5
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作者 王文 许留洋 +4 位作者 王云华 周路 白端元 高欣 薄报学 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期765-769,共5页
半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS软件对工作波长为808nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模... 半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS软件对工作波长为808nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模拟得出不同热沉参数条件下封装激光器芯片有源区温度的变化曲线,并提出一种散热较好的结构方案。 展开更多
关键词 单芯片半导体激光器 有源区 热沉 ANSYS 稳态热分析
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