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CCD电离辐射效应损伤机理分析 被引量：12
1
作者 王祖军 唐本奇 +5 位作者 肖志刚 刘敏波 黄绍艳 张勇 陈伟 刘以农 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期565-570,619,共7页
研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理。分析了总剂量效应导致CCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理。研究了单粒子瞬态电离辐射导致CCD单粒子瞬态电荷产生的机理;研究... 研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理。分析了总剂量效应导致CCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理。研究了单粒子瞬态电离辐射导致CCD单粒子瞬态电荷产生的机理;研究了瞬态脉冲电离辐射导致CCD信号电荷损失的机理。 展开更多
关键词 CCD电离辐射 平带电压 表面暗电流 饱和输出电压 单粒子瞬态电荷
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