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大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究 被引量：3
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作者 徐天容 杨怀民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期756-760,共5页
研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出在反应堆的综合辐照环境下,... 研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出在反应堆的综合辐照环境下,中子电离效应较弱,并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低,使得总的静态电流下降,从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长。 展开更多
关键词 单片机系统芯片 中子 射线 电离辐照效应
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