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新型Sb_2S_3-Sb_2Se_3与单晶二氧化钛纳米阵列复合结构在太阳能电池领域的应用(英文)
被引量:
1
1
作者
陈延学
李逸坦
+1 位作者
张瑞梓
隋行
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2013年第5期379-383,共5页
近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功...
近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功生长在FTO导电玻璃上.通过连续离子层吸附法(SILAR),Sb2S3-Sb2Se3复合纳米结构被生长在二氧化钛单晶纳米阵列的表面.利用X射线衍射(XRD)表征Sb2S3和Sb2Se3纳米晶体的晶相,利用扫描电子显微镜(SEM)表征其形貌,发现在这一复合结构中,二氧化钛单晶纳米阵列与Sb2S3结合之后所留下的空隙被Sb2Se3量子点填充,从而提高了结构表面积的利用率.随着连续离子层吸附法反应周期的增加,Sb2S3-Sb2Se3与二氧化钛单晶纳米阵列共同形成复合结构的带隙发生了明显的红移,吸收边在可调控的情况下由1.7 eV向红外波段发生了移动.这种纳米结构的比表面积大、工艺简单、结构致密、沉积速率快、可调控性强,对于今后敏化太阳能电池领域的应用有很大的启发作用.
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关键词
太阳能电池
TIO2
Sb2S3
Sb2Se3
单晶
纳米
阵列
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职称材料
Sb有序单晶纳米线阵列的制备
被引量:
2
2
作者
贾冲
晋传贵
+3 位作者
刘伟丰
蔡维理
姚连增
李晓光
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期240-243,共4页
采用直流电沉积的方法在氧化铝模板(AAM)中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列.X射线衍射(XRD)证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜(TEM)显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40~50nm,长径比大于1000.选区电子衍射(SAED)结果表明...
采用直流电沉积的方法在氧化铝模板(AAM)中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列.X射线衍射(XRD)证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜(TEM)显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40~50nm,长径比大于1000.选区电子衍射(SAED)结果表明,所制得的纳米丝为Sb单晶丝.场发射扫描电镜(FE-SEM)显示Sb纳米线阵列规则,填充率接近100%.
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关键词
锑有序
单晶
纳米
线
阵列
制备
直流电沉积
氧化铝模板
热电材料
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职称材料
直流电沉积法制备单晶Ag纳米棒阵列
3
作者
赵建坡
田宝丽
+1 位作者
万绍明
杜祖亮
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期1208-1210,共3页
在较低温条件下,采用直流电沉积法在AAO模板中成功制备出了大面积生长均匀的单晶Ag纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM),选区电子衍射(SAED)和XRD等分析手段对样品进行形貌表征及成分分析。结果表明,...
在较低温条件下,采用直流电沉积法在AAO模板中成功制备出了大面积生长均匀的单晶Ag纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM),选区电子衍射(SAED)和XRD等分析手段对样品进行形貌表征及成分分析。结果表明,阵列中的Ag纳米棒尺寸均匀,保持着良好的平行度,直径接近200nm,与AAO模板的孔径大小相当,且可以通过控制沉积时间来实现对Ag纳米棒长度的控制。
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关键词
电化学沉积
单晶
Ag
纳米
棒
阵列
AAO模板
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职称材料
真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
4
作者
曾安生
郑茂俊
+1 位作者
马荔
沈文忠
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期894-895,共2页
利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成h单质,而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一...
利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成h单质,而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一,当退火温度高于550℃,整个纳米孔阵列被完全破坏。
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关键词
单晶
磷化铟
纳米
孔
阵列
真空热退火
形貌与微结构
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职称材料
题名
新型Sb_2S_3-Sb_2Se_3与单晶二氧化钛纳米阵列复合结构在太阳能电池领域的应用(英文)
被引量:
1
1
作者
陈延学
李逸坦
张瑞梓
隋行
机构
山东大学物理学院
晶体材料国家重点实验室
出处
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2013年第5期379-383,共5页
基金
supported by the National Fund for Fostering Talents of Basic Science (J1103212)
the Foundation for Outstanding Young Scientist in Shandong Province (BS2010CL036)~~
文摘
近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功生长在FTO导电玻璃上.通过连续离子层吸附法(SILAR),Sb2S3-Sb2Se3复合纳米结构被生长在二氧化钛单晶纳米阵列的表面.利用X射线衍射(XRD)表征Sb2S3和Sb2Se3纳米晶体的晶相,利用扫描电子显微镜(SEM)表征其形貌,发现在这一复合结构中,二氧化钛单晶纳米阵列与Sb2S3结合之后所留下的空隙被Sb2Se3量子点填充,从而提高了结构表面积的利用率.随着连续离子层吸附法反应周期的增加,Sb2S3-Sb2Se3与二氧化钛单晶纳米阵列共同形成复合结构的带隙发生了明显的红移,吸收边在可调控的情况下由1.7 eV向红外波段发生了移动.这种纳米结构的比表面积大、工艺简单、结构致密、沉积速率快、可调控性强,对于今后敏化太阳能电池领域的应用有很大的启发作用.
关键词
太阳能电池
TIO2
Sb2S3
Sb2Se3
单晶
纳米
阵列
Keywords
solar cell
TiO2
Sb2S3
Sb2Se3
single crystalline nanorod array
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
Sb有序单晶纳米线阵列的制备
被引量:
2
2
作者
贾冲
晋传贵
刘伟丰
蔡维理
姚连增
李晓光
机构
中国科学技术大学材料科学与工程系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期240-243,共4页
基金
国家自然科学基金(50128202)~~
文摘
采用直流电沉积的方法在氧化铝模板(AAM)中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列.X射线衍射(XRD)证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜(TEM)显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40~50nm,长径比大于1000.选区电子衍射(SAED)结果表明,所制得的纳米丝为Sb单晶丝.场发射扫描电镜(FE-SEM)显示Sb纳米线阵列规则,填充率接近100%.
关键词
锑有序
单晶
纳米
线
阵列
制备
直流电沉积
氧化铝模板
热电材料
Keywords
Sb nanowire arrays
electrochemical deposition
anodic alumina membrane (AAM)
分类号
O614 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
直流电沉积法制备单晶Ag纳米棒阵列
3
作者
赵建坡
田宝丽
万绍明
杜祖亮
机构
河南大学特种功能材料教育部重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期1208-1210,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(90306010)
教育部新世纪优秀人才计划资助项目(NCET-04-0653)
国家重点基础研究计划(973计划)资助项目(2007CB616911)
文摘
在较低温条件下,采用直流电沉积法在AAO模板中成功制备出了大面积生长均匀的单晶Ag纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM),选区电子衍射(SAED)和XRD等分析手段对样品进行形貌表征及成分分析。结果表明,阵列中的Ag纳米棒尺寸均匀,保持着良好的平行度,直径接近200nm,与AAO模板的孔径大小相当,且可以通过控制沉积时间来实现对Ag纳米棒长度的控制。
关键词
电化学沉积
单晶
Ag
纳米
棒
阵列
AAO模板
Keywords
electro-deposition
single crystal Ag nanorods arrays
AAO template
分类号
O64 [理学—物理化学]
下载PDF
职称材料
题名
真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
4
作者
曾安生
郑茂俊
马荔
沈文忠
机构
上海交通大学物理系
上海交通大学化学化工学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期894-895,共2页
基金
国家自然科学基金资助项目(50572064).
文摘
利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成h单质,而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一,当退火温度高于550℃,整个纳米孔阵列被完全破坏。
关键词
单晶
磷化铟
纳米
孔
阵列
真空热退火
形貌与微结构
Keywords
single crystalline InP nanopore array
vacuum thermal anneal
morphology and microstructure
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型Sb_2S_3-Sb_2Se_3与单晶二氧化钛纳米阵列复合结构在太阳能电池领域的应用(英文)
陈延学
李逸坦
张瑞梓
隋行
《纳米技术与精密工程》
CAS
CSCD
2013
1
下载PDF
职称材料
2
Sb有序单晶纳米线阵列的制备
贾冲
晋传贵
刘伟丰
蔡维理
姚连增
李晓光
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
下载PDF
职称材料
3
直流电沉积法制备单晶Ag纳米棒阵列
赵建坡
田宝丽
万绍明
杜祖亮
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
4
真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
曾安生
郑茂俊
马荔
沈文忠
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
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