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新型Sb_2S_3-Sb_2Se_3与单晶二氧化钛纳米阵列复合结构在太阳能电池领域的应用(英文) 被引量:1
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作者 陈延学 李逸坦 +1 位作者 张瑞梓 隋行 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第5期379-383,共5页
近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功... 近年来,半导体量子点敏化太阳能电池作为新一代的太阳能电池,引起了广泛的关注.Sb2S3和Sb2Se3量子点由于具有出色的光吸收特性与带隙的可调控性,已成为敏化太阳能电池领域的重要组成部分.通过水热法,二氧化钛(TiO2)单晶纳米阵列被成功生长在FTO导电玻璃上.通过连续离子层吸附法(SILAR),Sb2S3-Sb2Se3复合纳米结构被生长在二氧化钛单晶纳米阵列的表面.利用X射线衍射(XRD)表征Sb2S3和Sb2Se3纳米晶体的晶相,利用扫描电子显微镜(SEM)表征其形貌,发现在这一复合结构中,二氧化钛单晶纳米阵列与Sb2S3结合之后所留下的空隙被Sb2Se3量子点填充,从而提高了结构表面积的利用率.随着连续离子层吸附法反应周期的增加,Sb2S3-Sb2Se3与二氧化钛单晶纳米阵列共同形成复合结构的带隙发生了明显的红移,吸收边在可调控的情况下由1.7 eV向红外波段发生了移动.这种纳米结构的比表面积大、工艺简单、结构致密、沉积速率快、可调控性强,对于今后敏化太阳能电池领域的应用有很大的启发作用. 展开更多
关键词 太阳能电池 TIO2 Sb2S3 Sb2Se3 单晶纳米阵列
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Sb有序单晶纳米线阵列的制备 被引量:2
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作者 贾冲 晋传贵 +3 位作者 刘伟丰 蔡维理 姚连增 李晓光 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期240-243,共4页
采用直流电沉积的方法在氧化铝模板(AAM)中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列.X射线衍射(XRD)证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜(TEM)显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40~50nm,长径比大于1000.选区电子衍射(SAED)结果表明... 采用直流电沉积的方法在氧化铝模板(AAM)中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列.X射线衍射(XRD)证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜(TEM)显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40~50nm,长径比大于1000.选区电子衍射(SAED)结果表明,所制得的纳米丝为Sb单晶丝.场发射扫描电镜(FE-SEM)显示Sb纳米线阵列规则,填充率接近100%. 展开更多
关键词 锑有序单晶纳米线阵列 制备 直流电沉积 氧化铝模板 热电材料
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直流电沉积法制备单晶Ag纳米棒阵列
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作者 赵建坡 田宝丽 +1 位作者 万绍明 杜祖亮 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1208-1210,共3页
在较低温条件下,采用直流电沉积法在AAO模板中成功制备出了大面积生长均匀的单晶Ag纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM),选区电子衍射(SAED)和XRD等分析手段对样品进行形貌表征及成分分析。结果表明,... 在较低温条件下,采用直流电沉积法在AAO模板中成功制备出了大面积生长均匀的单晶Ag纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM),选区电子衍射(SAED)和XRD等分析手段对样品进行形貌表征及成分分析。结果表明,阵列中的Ag纳米棒尺寸均匀,保持着良好的平行度,直径接近200nm,与AAO模板的孔径大小相当,且可以通过控制沉积时间来实现对Ag纳米棒长度的控制。 展开更多
关键词 电化学沉积 单晶Ag纳米阵列 AAO模板
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真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响
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作者 曾安生 郑茂俊 +1 位作者 马荔 沈文忠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期894-895,共2页
利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成h单质,而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一... 利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成h单质,而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一,当退火温度高于550℃,整个纳米孔阵列被完全破坏。 展开更多
关键词 单晶磷化铟纳米阵列 真空热退火 形貌与微结构
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