期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响
被引量：
5
1
作者
黄美东
董闯
+4 位作者
宫骏
卢春燕
孙超
黄荣芳
闻立时
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期675-680,共6页
在不同基体负偏压作用下，用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积（ＰＶＤ）方法在单晶 Ｓｔ（１００）基片上获得六方晶系的晶态ＡｌＮ薄膜．用Ｘ射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随 偏压的变化，在扫描电子显微镜（ＳＥＭ...
在不同基体负偏压作用下，用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积（ＰＶＤ）方法在单晶 Ｓｔ（１００）基片上获得六方晶系的晶态ＡｌＮ薄膜．用Ｘ射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随 偏压的变化，在扫描电子显微镜（ＳＥＭ）下观察沉积膜的显微组织形貌．结果表明，在较小偏压下，ＡｌＮ 膜呈（００２）择优取向，表面致密均匀；在较大偏压下，ＡｌＮ膜呈（１００）择优取向，表面形貌则粗糙不 平．ＡｌＮ薄膜的择优取向及表面形貌受到不同偏压下不同离子轰击能量的影响．
展开更多
关键词
偏压
阴极电弧离子镀
物理气相沉积
AIN薄膜
择优取向
表面形貌
单晶硅
基片
氮化铝薄膜
显微组织
下载PDF
职称材料
磁流变动压复合抛光基本原理及力学特性
被引量：
4
2
作者
付有志
路家斌
+1 位作者
阎秋生
谢殿华
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期55-63,共9页
目的探究磁流变动压复合抛光基本原理及抛光力学特性。方法通过建立磁流变动压复合抛光过程中流体动压数学模型,分析抛光盘面结构化单元对抛光力学特性的影响规律,并优化其结构。搭建磁流变动压复合抛光测力系统,探究工作间隙、抛光盘...
目的探究磁流变动压复合抛光基本原理及抛光力学特性。方法通过建立磁流变动压复合抛光过程中流体动压数学模型,分析抛光盘面结构化单元对抛光力学特性的影响规律,并优化其结构。搭建磁流变动压复合抛光测力系统,探究工作间隙、抛光盘转速、工件盘转速和凸轮转速对抛光力的影响规律,基于正交试验,优化抛光效果。结果抛光盘面结构化单元的楔形区利于流体动压效应的产生,且流体动压随楔形角和工作间隙的增大而减少,随楔形区宽度的增大而增大。结构化单元较为合理的几何参数为:楔形角3°~5°,工作间隙0.2~1.0 mm,楔形区宽度15~30 mm。法向力Fn随工作间隙的增大而减小,随工件盘转速的增大而增大,随抛光盘和凸轮转速的增大而先增大后减小;剪切力Ft随工作间隙的增大而减小,随工件盘、抛光盘和凸轮转速的增大均呈现先增大后减小的规律。通过正交试验获得优化工艺参数为:抛光盘转速60 r/min,工件盘转速600 r/min,凸轮转速150 r/min。在羰基铁粉(粒径3μm、质量分数35%)、SiC磨料(粒径3μm、质量分数5%)、工作间隙0.4 mm和磁感应强度0.1 T工况下,抛光2 in单晶硅基片4 h后,表面粗糙度Ra由20.11 nm降至2.36 nm,材料去除率为5.1 mg/h,初始大尺度纹理被显著去除。结论磁流变动压复合抛光通过在抛光盘面增设结构化单元,以引入流体动压效应,强化了抛光力学特性,并利用径向往复运动的动态磁场实现柔性抛光头的更新和整形,最终达到了提高抛光效率和质量的目的。
展开更多
关键词
磁流变动压复合抛光
抛光力学特性
结构化单元
楔形区
单晶硅
基片
下载PDF
职称材料
动态磁场集群磁流变抛光加工机理及试验研究
被引量：
2
3
作者
郭明亮
阎秋生
+1 位作者
潘继生
肖晓兰
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2018年第1期89-93,97,共6页
基于动态磁场集群磁流变平面抛光的加工机理以及动态磁场作用机理,对单晶硅基片进行动态磁场集群磁流变抛光试验研究。结果表明:动态磁场能使畸变的抛光垫实时自修复,磨料具有频繁的动态行为,克服了静态磁场作用下抛光垫变形难恢复且磨...
基于动态磁场集群磁流变平面抛光的加工机理以及动态磁场作用机理,对单晶硅基片进行动态磁场集群磁流变抛光试验研究。结果表明:动态磁场能使畸变的抛光垫实时自修复,磨料具有频繁的动态行为,克服了静态磁场作用下抛光垫变形难恢复且磨料堆聚的缺点,使材料去除过程稳定,抛光效果较好;在动态磁场作用下,不同抛光方式的加工效果也不同;在多工件同步抛光中,大尺寸的工具头高速自转使工件表面有更高的线速度,磨料对单晶硅表面缺陷去除作用更强。经过5h抛光,硅片表面粗糙度R_a由0.48μm下降到3.3nm,获得超光滑表面。
展开更多
关键词
动态磁场
集群磁流变
平面抛光
单晶硅
基片
表面粗糙度
下载PDF
职称材料
题名
偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响
被引量：
5
1
作者
黄美东
董闯
宫骏
卢春燕
孙超
黄荣芳
闻立时
机构
大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室
中国科学院金属研究所
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期675-680,共6页
文摘
在不同基体负偏压作用下，用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积（ＰＶＤ）方法在单晶 Ｓｔ（１００）基片上获得六方晶系的晶态ＡｌＮ薄膜．用Ｘ射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随 偏压的变化，在扫描电子显微镜（ＳＥＭ）下观察沉积膜的显微组织形貌．结果表明，在较小偏压下，ＡｌＮ 膜呈（００２）择优取向，表面致密均匀；在较大偏压下，ＡｌＮ膜呈（１００）择优取向，表面形貌则粗糙不 平．ＡｌＮ薄膜的择优取向及表面形貌受到不同偏压下不同离子轰击能量的影响．
关键词
偏压
阴极电弧离子镀
物理气相沉积
AIN薄膜
择优取向
表面形貌
单晶硅
基片
氮化铝薄膜
显微组织
Keywords
bias, cathodic arc ion plating, physical vapor deposition, AlN thin films
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN304.12
下载PDF
职称材料
题名
磁流变动压复合抛光基本原理及力学特性
被引量：
4
2
作者
付有志
路家斌
阎秋生
谢殿华
机构
广东工业大学机电工程学院
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期55-63,共9页
基金
广东省基础与应用基础研究基金(2019A1515010720)
NSFC-广东省联合基金(U1801259)
广州市科技计划项目(201904010300)。
文摘
目的探究磁流变动压复合抛光基本原理及抛光力学特性。方法通过建立磁流变动压复合抛光过程中流体动压数学模型,分析抛光盘面结构化单元对抛光力学特性的影响规律,并优化其结构。搭建磁流变动压复合抛光测力系统,探究工作间隙、抛光盘转速、工件盘转速和凸轮转速对抛光力的影响规律,基于正交试验,优化抛光效果。结果抛光盘面结构化单元的楔形区利于流体动压效应的产生,且流体动压随楔形角和工作间隙的增大而减少,随楔形区宽度的增大而增大。结构化单元较为合理的几何参数为:楔形角3°~5°,工作间隙0.2~1.0 mm,楔形区宽度15~30 mm。法向力Fn随工作间隙的增大而减小,随工件盘转速的增大而增大,随抛光盘和凸轮转速的增大而先增大后减小;剪切力Ft随工作间隙的增大而减小,随工件盘、抛光盘和凸轮转速的增大均呈现先增大后减小的规律。通过正交试验获得优化工艺参数为:抛光盘转速60 r/min,工件盘转速600 r/min,凸轮转速150 r/min。在羰基铁粉(粒径3μm、质量分数35%)、SiC磨料(粒径3μm、质量分数5%)、工作间隙0.4 mm和磁感应强度0.1 T工况下,抛光2 in单晶硅基片4 h后,表面粗糙度Ra由20.11 nm降至2.36 nm,材料去除率为5.1 mg/h,初始大尺度纹理被显著去除。结论磁流变动压复合抛光通过在抛光盘面增设结构化单元,以引入流体动压效应,强化了抛光力学特性,并利用径向往复运动的动态磁场实现柔性抛光头的更新和整形,最终达到了提高抛光效率和质量的目的。
关键词
磁流变动压复合抛光
抛光力学特性
结构化单元
楔形区
单晶硅
基片
Keywords
magnetorheological hydrodynamic compound polishing
polishing mechanical properties
structured element
wedge region
single-crystal silicon wafer
分类号
TG356.28 [金属学及工艺—金属压力加工]
下载PDF
职称材料
题名
动态磁场集群磁流变抛光加工机理及试验研究
被引量：
2
3
作者
郭明亮
阎秋生
潘继生
肖晓兰
机构
广东工业大学机电工程学院
出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2018年第1期89-93,97,共6页
基金
广东省自然科学基金重点项目(2015A030311044)
广东省科技计划项目(2016A010102014)
文摘
基于动态磁场集群磁流变平面抛光的加工机理以及动态磁场作用机理,对单晶硅基片进行动态磁场集群磁流变抛光试验研究。结果表明:动态磁场能使畸变的抛光垫实时自修复,磨料具有频繁的动态行为,克服了静态磁场作用下抛光垫变形难恢复且磨料堆聚的缺点,使材料去除过程稳定,抛光效果较好;在动态磁场作用下,不同抛光方式的加工效果也不同;在多工件同步抛光中,大尺寸的工具头高速自转使工件表面有更高的线速度,磨料对单晶硅表面缺陷去除作用更强。经过5h抛光,硅片表面粗糙度R_a由0.48μm下降到3.3nm,获得超光滑表面。
关键词
动态磁场
集群磁流变
平面抛光
单晶硅
基片
表面粗糙度
Keywords
dynamic magnetic field
cluster magnetorheological effect
plane polishing
monocrystalline silicon substrate
surface roughness
分类号
TG58 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响
黄美东
董闯
宫骏
卢春燕
孙超
黄荣芳
闻立时
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
5
下载PDF
职称材料
2
磁流变动压复合抛光基本原理及力学特性
付有志
路家斌
阎秋生
谢殿华
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
4
下载PDF
职称材料
3
动态磁场集群磁流变抛光加工机理及试验研究
郭明亮
阎秋生
潘继生
肖晓兰
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
