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蓝宝石衬底在氮化镓外延生长技术中的应用进展
1
作者 杨志伟 Asim Abas 《山东工业技术》 2024年第3期33-40,共8页
第三代半导体技术主要涉及宽禁带半导体材料,其中氮化镓(GaN)材料因其卓越的电学和热学性能而受到广泛关注,特别是它们在高温、高功率和高频率环境下的应用潜力。在这一研究领域中,蓝宝石衬底(α-Al_(2)O_(3))主要为单晶氧化铝材料,其... 第三代半导体技术主要涉及宽禁带半导体材料,其中氮化镓(GaN)材料因其卓越的电学和热学性能而受到广泛关注,特别是它们在高温、高功率和高频率环境下的应用潜力。在这一研究领域中,蓝宝石衬底(α-Al_(2)O_(3))主要为单晶氧化铝材料,其主要作为基板材料应用于氮化镓(GaN)外延生长技术中。蓝宝石衬底在提高GaN薄膜质量的同时,也为高性能第三代半导体器件的制造提供关键支持。本文就蓝宝石衬底的加工工艺、应用领域及面临的挑战进行进一步阐述。 展开更多
关键词 宽禁带 蓝宝石衬底 单晶氧化铝 氮化镓 外延生长
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单晶Al_2O_3陶瓷/Nb-1Zr合金封接件钎焊工艺和应用性能研究 被引量：2
2
作者 齐立君 郑剑平 雷华桢 《真空电子技术》 2016年第1期58-63,共6页
利用扫描电镜和能谱仪研究了钎焊温度和保温时间对单晶Al2O3陶瓷/Nb-1Zr合金封接件钎焊质量的影响,分析了钎料Pd与金属化W层及Nb-1Zr的合金化作用,并对单晶Al2O3陶瓷/Nb-1Zr合金封接件进行了应用性能测试。结果表明:钎焊温度和保温时间... 利用扫描电镜和能谱仪研究了钎焊温度和保温时间对单晶Al2O3陶瓷/Nb-1Zr合金封接件钎焊质量的影响,分析了钎料Pd与金属化W层及Nb-1Zr的合金化作用,并对单晶Al2O3陶瓷/Nb-1Zr合金封接件进行了应用性能测试。结果表明:钎焊温度和保温时间直接影响到陶瓷-金属连接界面的微观结构和钎料Pd与W、Nb-1Zr的合金化反应过程;1565℃、保温2min是比较理想的钎焊工艺参数;Pd与Nb-1Zr之间的相互作用较Pd与W层之间更为强烈,使得W层与钎料层的界面清晰,无反应过渡层,而钎料层与Nb-1Zr之间有明显的反应过渡层;单晶Al2O3陶瓷/Nb-1Zr合金封接件的真空密封、耐温、绝缘、抗热震、耐铯腐蚀、耐中子辐照等应用性能良好。 展开更多
关键词 单晶氧化铝 封接 钎焊 应用性能
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六种处理方法对单晶氧化铝预成贴面粘接强度的影响 被引量：1
3
作者 张聪 王晓影 +2 位作者 杜永涛 程雪 冯剑桥 《哈尔滨医科大学学报》 CAS 2015年第3期260-263,共4页
目的研究六种不同的表面处理方式对单晶氧化铝预成贴面试件表面粘接强度的影响,为临床应用树脂加贴面双重修复提供理论依据。方法将42个单晶氧化铝试件随机分成无水乙醇组(A组)、硅烷组(B组)、酸蚀组(C组)、碱蚀组(D组)、等离子处理组(E... 目的研究六种不同的表面处理方式对单晶氧化铝预成贴面试件表面粘接强度的影响,为临床应用树脂加贴面双重修复提供理论依据。方法将42个单晶氧化铝试件随机分成无水乙醇组(A组)、硅烷组(B组)、酸蚀组(C组)、碱蚀组(D组)、等离子处理组(E组)及空白对照组(F组),每组7个。将每组试件与Panavia F复合树脂粘合剂粘固,经37℃恒温水浴24 h后测试各组抗拉伸强度,显微镜下观察各试件粘接界面的破坏形式。制作6片直径为5 cm的圆盘形试件,分别对其进行以上6种不同方式的表面处理,然后测定表面能。结果抗拉伸测试结果:A组:(11.16±0.95)MPa,B组:(12.31±0.98)MPa,C组:(7.81±0.83)MPa,D组:(14.82±0.91)MPa,E组:(17.08±1.02)MPa,F组:(4.96±0.76)MPa,各组间比较差异有统计学意义(P<0.01);粘接面破坏主要为界面破坏,不同处理组单晶氧化铝试件表面能不同,与抗拉伸强度结果相似。结论不同表面处理方式对单晶氧化铝试件与复合树脂的粘接强度有影响,等离子处理是提高树脂与氧化铝试件抗拉伸强度较为有效的方法。 展开更多
关键词 单晶氧化铝 表面处理 预成贴面 等离子电浆处理 机械锚力
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单晶α-Al2O3高透光接头的真空低温玻璃钎焊研究
4
作者 李书齐 史维琴 +2 位作者 崔炜 刘洋 刘顺勇 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期24-27,共4页
为研究钎焊温度和保温时间对单晶α-Al2O3接头的结构、力学和光学性能的影响,在真空中使用液化温度约为450℃的低熔点玻璃进行单晶α-Al2O3钎焊。结果表明:在700℃下能实现较好的润湿和连接;在钎焊温度较高和保温时间较长的条件下,焊缝... 为研究钎焊温度和保温时间对单晶α-Al2O3接头的结构、力学和光学性能的影响,在真空中使用液化温度约为450℃的低熔点玻璃进行单晶α-Al2O3钎焊。结果表明:在700℃下能实现较好的润湿和连接;在钎焊温度较高和保温时间较长的条件下,焊缝厚度更小,接头剪切强度和透光率更高,分别达到约为36 MPa、90%,且接头的透光率超过两片未焊接的单晶α-Al2O3本身。 展开更多
关键词 单晶氧化铝 真空钎焊 玻璃 透光率 剪切强度
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单晶陶瓷心脏瓣膜的寿命估算
5
作者 程小全 王幼复 《中国生物医学工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期206-210,共5页
单晶氧化铝陶瓷复合材料已被考虑用于制造人工心脏瓣膜 ,因此首先要对陶瓷碟瓣的疲劳性能进行研究。本文对单晶氧化铝陶瓷制成的斜碟式心脏瓣膜进行静态和动态疲劳裂纹扩展分析以及寿命估算 ,其中包含 2 4℃潮湿空气和 37℃Ringer液体 ... 单晶氧化铝陶瓷复合材料已被考虑用于制造人工心脏瓣膜 ,因此首先要对陶瓷碟瓣的疲劳性能进行研究。本文对单晶氧化铝陶瓷制成的斜碟式心脏瓣膜进行静态和动态疲劳裂纹扩展分析以及寿命估算 ,其中包含 2 4℃潮湿空气和 37℃Ringer液体 (模拟的生理环境 )二种环境条件下穿透裂纹、表面裂纹和角裂纹等多种损伤情况。结果表明 ,在 5 0 0mmHg静态和脉冲压力作用下 ,当碟瓣上的表面裂纹或角裂纹大小一旦达到了疲劳裂纹扩展的阀值 ,它们会很快向厚度方向扩展变成穿透裂纹 ,然后停止扩展 ;而对于穿透裂纹情况 。 展开更多
关键词 单晶氧化铝陶瓷 心脏瓣膜 裂纹扩展 断裂 疲劳寿命
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以单晶片状氧化铝为基材包覆二氧化钛银白珠光颜料的制备 被引量：5
6
作者 黄世娥 吴华忠 +1 位作者 洪蕾 陈玲棋 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2018年第1期48-52,共5页
以单晶片状氧化铝为基材,采用液相沉积法将TiO_2包覆Al_2O_3制备银白珠光颜料。通过扫描电镜(SEM)、激光粒度仪、刮涂卡表征等检测方法,系统考察了包覆过程中反应pH值、钛液包覆率、反应温度、煅烧温度等参数对银白珠光颜料光泽性能的... 以单晶片状氧化铝为基材,采用液相沉积法将TiO_2包覆Al_2O_3制备银白珠光颜料。通过扫描电镜(SEM)、激光粒度仪、刮涂卡表征等检测方法,系统考察了包覆过程中反应pH值、钛液包覆率、反应温度、煅烧温度等参数对银白珠光颜料光泽性能的影响。实验结果表明:当体系pH值约为2,温度约为80℃,加料速度为0.6 g/min,钛液包覆率为30.5%,煅烧温度为800℃时制备TiO_2包覆Al_2O_3银白珠光颜料具有较好的光泽和白度。 展开更多
关键词 单晶片状氧化铝 包覆 液相沉积法 银白珠光颜料
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CeO2/Al2O3珠光材料的制备研究 被引量：4
7
作者 吴华忠 蔡志雄 +1 位作者 杨箫 方润 《广州化学》 CAS 2020年第1期17-23,共7页
以单晶片状氧化铝为基材,硝酸铈为铈源,NaOH为沉淀剂,采用液相沉积包覆法制备了氧化铈包覆片状氧化铝珠光材料。系统讨论了制备过程中溶液pH值、反应温度、铈盐种类以及铈盐滴加速率等条件对包覆效果的影响,使用X-射线衍射、金相显微镜... 以单晶片状氧化铝为基材,硝酸铈为铈源,NaOH为沉淀剂,采用液相沉积包覆法制备了氧化铈包覆片状氧化铝珠光材料。系统讨论了制备过程中溶液pH值、反应温度、铈盐种类以及铈盐滴加速率等条件对包覆效果的影响,使用X-射线衍射、金相显微镜和扫描电镜对包覆产物和煅烧产物进行了表征分析。实验结果表明最优反应条件为体系pH值为7.5,反应温度为75℃,加料速度为0.4~0.8 mL/min,煅烧温度为760℃时,反应生成的氢氧化铈能以纳米级颗粒形式均匀细密地包覆在片状氧化铝表面,煅烧后制得的CeO2/Al2O3珠光材料产物的CeO2包覆率可达25%,且具有良好的光学效果。 展开更多
关键词 单晶片状氧化铝 氧化铈 液相沉积 包覆
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单晶α-氧化铝晶圆的研磨特性研究
8
作者 孙书娟 季业益 +1 位作者 陆宝山 关集俱 《机床与液压》 北大核心 2021年第18期51-54,共4页
开发微孔陶瓷研磨装置,并制备GC磨料和C磨料研磨盘,分别对单晶α-氧化铝晶圆进行研磨加工试验。试验结果表明:与C磨料研磨盘相比,GC磨料研磨盘对单晶α-氧化铝晶圆的研磨效果更佳;使用GC磨料研磨盘研磨10 min后,晶圆材料去除率为1.05~1... 开发微孔陶瓷研磨装置,并制备GC磨料和C磨料研磨盘,分别对单晶α-氧化铝晶圆进行研磨加工试验。试验结果表明:与C磨料研磨盘相比,GC磨料研磨盘对单晶α-氧化铝晶圆的研磨效果更佳;使用GC磨料研磨盘研磨10 min后,晶圆材料去除率为1.05~1.15μm/min,表面粗糙度Sa达15~16 nm;在研磨40~50 min时,研磨盘的研磨效率下降,晶圆材料去除率增加至1.4~1.5μm/min,但表面粗糙度Sa仅提高至15.5~16.5 nm。尽管如此,在保证表面加工质量的前提下,晶圆的材料去除率仍能达到1μm/min以上的工业加工标准,表明所开发的微孔陶瓷研磨装置能够较好地满足单晶α-氧化铝晶圆的研磨加工要求。 展开更多
关键词 陶瓷研磨装置 GC/C磨料研磨盘 单晶α-氧化铝晶圆 研磨特性
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