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磁场拉晶技术简介 被引量：7
1
作者 韩玉杰 孙同年 《半导体情报》 1989年第1期25-30,24,共7页
本文回顾了磁场拉晶的历史,并对磁拉Si、GaAs和InP的原理、装置、生长技术以及发展水平作了简要的描述,评价了磁拉单晶的电学、光学性能和结晶学特性,概括性地对磁拉单晶与微重力下生长的晶体作了比较。
关键词 单晶拉制 磁场拉晶 单晶
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直拉硅单晶中热施主的快速热退除 被引量：1
2
作者 栾洪发 张果虎 +3 位作者 李兵 陈学清 秦福 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期789-793,共5页
本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题．结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同．４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生．
关键词 单晶拉制 硅 热施主 热处理
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一个非定常自由边界问题解的存在唯一性 被引量：2
3
作者 汤国桢 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1999年第3期243-246,共4页
考虑单晶拉制非定常模型中提出来的一个自由边界问题，给出了它的存在唯一性．
关键词 自由边界问题 解 非正常自由边界 单晶拉制
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一个非定常自由边界问题解的存在、唯一性 被引量：1
4
作者 刘玉清 沃松林 《江苏石油化工学院学报》 2001年第4期56-57,共2页
推广了单晶拉制中的一个非定常自由边界问题 。
关键词 自由边界 存在性 唯一性 非定常 解 单晶拉制
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φ75mm直拉硅单晶的控氧工艺 被引量：1
5
作者 曾世铭 王大平 张鲁 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期120-124,共5页
一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10^(18)cm^(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利... 一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10^(18)cm^(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应”和“钉扎效应”;缺点是单晶的电阻率和寿命会受影响,易出现诱生缺陷,晶片可能变形。优点对器件工艺有利,缺点对器件工艺有害,使晶片质量变坏。 众所周知,不同器件要求不同的氧含量:p型(100),[O]=1.0～1.3×10^(18)cm^(-3),用于MOS;n型(100),[O]=1. 展开更多
关键词 控氧工艺 硅 单晶拉制
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单晶炉等径控制方法
6
作者 耀飞黔 《LSI制造与测试》 1992年第6期10-15,共6页
关键词 半导体材料 单晶拉制 单晶炉 控制
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拉制大直径区熔Si单晶用的晶体支持器
7
作者 李留臣 马学陶 《LSI制造与测试》 1992年第6期40-42,共3页
关键词 半导体材料 单晶炉 单晶拉制
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颗粒料中有机杂质对单晶硅片影响及分离技术浅析
8
作者 钟峥 《中国科技期刊数据库 工业A》 2021年第8期201-202,共2页
2019至2020年,平价光伏时代已经到来,异质结及PERC+等新技术的导入,行业集中度进一步提升,产品链龙头效应更加显著,行业各环节成本控制更加明朗,其主要成本组成多晶硅料的单耗、次级品应用,多晶硅副产品硅料的应用等已成为降本增效的重... 2019至2020年,平价光伏时代已经到来,异质结及PERC+等新技术的导入,行业集中度进一步提升,产品链龙头效应更加显著,行业各环节成本控制更加明朗,其主要成本组成多晶硅料的单耗、次级品应用,多晶硅副产品硅料的应用等已成为降本增效的重要指标;多晶硅破碎中副产品小粒径硅颗粒料其理化指标与正常品一致,但由于前端硬件设施固有缺陷,导致其中混杂着高分子材料碎屑,其粒径分布0.2~5mm,现有设备、人工挑选效率低,剔除准确率低。高分子材料在单晶炉中高温下碳化形成c原子杂质融入单晶硅棒中,极大降低产品品质,因此工业化批量去除硅颗粒料中有机杂质是单晶拉制使用的重要指标。 展开更多
关键词 颗粒料 多晶硅 单晶拉制 C杂质
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我国第一根直径12英寸的红外光学锗单晶研制成功
9
《红外》 CAS 2003年第2期F004-F004,共1页
据《科学时报》报道,我国第一根直径为12英寸的红外光学锗单品,于最近在北京有色金属研究总院下属的北京国晶辉红外光学科技有限公司研制成功。
关键词 红外光学 锗单晶 生长技术 研制 人工控制 单晶拉制
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大尺寸钇钡铜氧超导体单晶
10
作者 丘邑 《稀土信息》 1997年第Z1期21-21,共1页
较大尺寸的YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7</sub>（YBCO）超导体单晶的生长速率又有所提高。能够连续生产这样大尺寸的YBCO单晶的技术为富溶质液态单晶拉制技术,该工艺被认为是生产大尺寸Y... 较大尺寸的YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7</sub>（YBCO）超导体单晶的生长速率又有所提高。能够连续生产这样大尺寸的YBCO单晶的技术为富溶质液态单晶拉制技术,该工艺被认为是生产大尺寸YBCO超导体单晶最有前景的工艺。以前采用这种工艺生长单晶的速率极慢,而且不能生产大尺寸的单晶。最近,研究人员通过采用较大的坩锅和较大的生产装置生产出了15mm×15mm的单晶。 展开更多
关键词 钇钡铜氧超导体 大尺寸 生长速率 体单晶 单晶拉制 单晶生长 超导研究实验室 生产装置 YBa2Cu3O7 超导转变温度
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