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晶体固液界面的涡电流冷态模拟监测研究
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作者 张韶华 黄为民 《中原工学院学报》 CAS 2004年第6期8-10,共3页
　许多单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难.本文基于许多半导体材料的电导系数在固态与液态时相差很大这一特性来监测CdTe晶体生长的涡电流技术的可行性... 　许多单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法.在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难.本文基于许多半导体材料的电导系数在固态与液态时相差很大这一特性来监测CdTe晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上设计了两个涡电流检测仪,提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置变化. 展开更多
关键词 单晶半导体材料 晶体生长 固液界面 涡电流 冷态模拟监测 碲化镉 BRIDGMAN
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