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单层硅Si_6H_4Ph_2的稳定性和电子结构密度泛函研究
1
作者
宋健
李锋
+4 位作者
邓开明
肖传云
阚二军
陆瑞锋
吴海平
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期437-442,共6页
采用密度泛函计算方法,研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构.通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究,揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理.通过电子结构研究,发现Si6H4Ph2与Si6H6...
采用密度泛函计算方法,研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构.通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究,揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理.通过电子结构研究,发现Si6H4Ph2与Si6H6类似,显示间接带隙半导体性质.
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关键词
单层
硅
si
6
h
4
ph
2
稳定性
电子结构
密度泛函
原文传递
题名
单层硅Si_6H_4Ph_2的稳定性和电子结构密度泛函研究
1
作者
宋健
李锋
邓开明
肖传云
阚二军
陆瑞锋
吴海平
机构
南京理工大学理学院应用物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期437-442,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:10974096
11004107)
+1 种基金
高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20103219110032
20113219110032)资助的课题~~
文摘
采用密度泛函计算方法,研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构.通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究,揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理.通过电子结构研究,发现Si6H4Ph2与Si6H6类似,显示间接带隙半导体性质.
关键词
单层
硅
si
6
h
4
ph
2
稳定性
电子结构
密度泛函
Keywords
si
ngle layer
si
6
h
a
ph
2, stability, electronic structure, den
si
ty functional calculations
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单层硅Si_6H_4Ph_2的稳定性和电子结构密度泛函研究
宋健
李锋
邓开明
肖传云
阚二军
陆瑞锋
吴海平
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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0
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