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基于半绝缘SiC衬底GaN HEMT体陷阱的效应分析
1
作者 牛梓戌 《电子技术（上海）》 2024年第3期1-3,共3页
阐述采用背栅测试来表征GaN-on-SiC HEMT的体陷阱效应,过程中分别表现出两段式特征,分别对应Ⅲ族氮化物缓冲层以及半绝缘SiC衬底的加压过程。另外在Silvaco TCAD平台搭建相应的物理模型,仿真体陷阱效应以及在不同衬底电压下的电势分布。
关键词 GaN HEMTs 半绝缘sic衬底 背栅测试 体陷阱效应建模 电流坍塌 外延优化
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高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究
2
作者 毛开礼 胡彦飞 +2 位作者 王英民 李斌 赵高扬 《电子工艺技术》 2017年第2期63-66,88,共5页
高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。... 高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。通过激光拉曼光谱、原子力显微镜、场发射扫面电镜等分析,测试了石墨烯材料的大小、形态,为后续工艺的改进提供参考。在1 650℃、500 Pa压力下生长2 h制备的外延石墨烯,具有更高品质和表面连续性,拉曼光谱中2D峰的半高宽(FWHM)约为34 cm^(-1),能够用单峰洛伦兹拟合,预示着单层石墨烯的形成。 展开更多
关键词 石墨烯 高纯半绝缘sic单晶衬底 大面积
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