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探讨半导体蚀刻机台温湿度监控系统
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作者 黎金睿 金景怡 《电子世界》 CAS 2021年第24期168-169,共2页
蚀刻技术是指在半导体制造工艺中,在适宜的温、湿度环境下,利用化学溶液或者等离子体,对半导体表面选择性去除的技术。半导体蚀刻机台则是进行蚀刻工艺的设备,为其提供合适的环境。基于此,本文先探讨此类温湿度监控系统必要性,再分析目... 蚀刻技术是指在半导体制造工艺中,在适宜的温、湿度环境下,利用化学溶液或者等离子体,对半导体表面选择性去除的技术。半导体蚀刻机台则是进行蚀刻工艺的设备,为其提供合适的环境。基于此,本文先探讨此类温湿度监控系统必要性,再分析目前国内外研究状况,最后对整个系统进行介绍,以供相关工作人员参考。 展开更多
关键词 半导体制造工艺 半导体表面 化学溶液 温湿度监控系统 湿度环境 蚀刻技术 半导体蚀刻 机台
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MCT的ECR—RIE
2
作者 甘奇志 《等离子体应用技术快报》 1994年第8期2-4,共3页
关键词 半导体蚀刻 电子回旋共振 等离子体蚀刻
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基于邻域保持嵌入-支持向量数据描述的过程监控算法及其应用 被引量:4
3
作者 谢彦红 贾冬妮 +2 位作者 张成 戴絮年 李元 《信息与控制》 CSCD 北大核心 2020年第5期625-632,共8页
针对非线性、多模态间歇过程的故障检测问题,提出一种基于邻域保持嵌入的支持向量数据描述(support vector data description based on neighborhood preserving embedding, NPE-SVDD)故障检测策略.首先,利用NPE算法将原始数据降维到特... 针对非线性、多模态间歇过程的故障检测问题,提出一种基于邻域保持嵌入的支持向量数据描述(support vector data description based on neighborhood preserving embedding, NPE-SVDD)故障检测策略.首先,利用NPE算法将原始数据降维到特征空间.接下来,在特征空间建立SVDD模型,计算超球体的球心O和半径R.对于测试样本,计算其到球心的距离D,对比D与R的大小确定样本状态.检测样本状态后,应用距离贡献图法进行故障变量定位分析. NPE算法可以保留原始数据的局部信息;并通过结合SVDD分类规则代替原始NPE算法的T2和SPE统计量,消除了数据服从高斯分布的限制,提高了故障检测率.利用数值模拟过程和半导体蚀刻过程仿真,将实验结果与主元分析(principal component analysis, PCA)、 NPE、 SVDD等方法进行对比分析,验证了NPE-SVDD方法的有效性. 展开更多
关键词 邻域保持嵌入(NPE) 支持向量数据描述(SVDD) 多模态 半导体蚀刻过程 故障检测
原文传递
基于高斯分量标准化的K近邻故障检测策略
4
作者 张成 赵丽颖 +2 位作者 郑百顺 戴絮年 李元 《计算机应用与软件》 北大核心 2023年第1期90-97,共8页
针对复杂多工况工业过程故障检测问题,提出一种基于高斯分量标准化的K近邻(Gaussian Component Standardization K-Nearest Neighbor,GCS-KNN)故障检测策略。样本数据应用高斯混合模型(Gaussian Mixture Model,GMM)进行训练,将数据分解... 针对复杂多工况工业过程故障检测问题,提出一种基于高斯分量标准化的K近邻(Gaussian Component Standardization K-Nearest Neighbor,GCS-KNN)故障检测策略。样本数据应用高斯混合模型(Gaussian Mixture Model,GMM)进行训练,将数据分解为多个高斯分量;通过每个高斯分量的均值和协方差对该分量内的数据进行标准化处理;应用K近邻(K-Nearest Neighbor,KNN)算法对标准化后的样本进行检测。GCS-KNN通过高斯分量标准化消除数据的多模态特性,提高传统基于KNN检测方法的检测率。利用数值例子和半导体工业过程仿真实验验证了该方法的有效性,并与传统的主元分析(Principal Component Analysis,PCA)、KNN、动态主元分析(Dynamic PCA,DPCA)和加权KNN(Weighted KNN,WKNN)等方法进行对比,结果证实此方法具有显著的优势。 展开更多
关键词 高斯混合模型 多模态故障检测 K近邻规则 标准化 半导体蚀刻过程
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基于LPP特征空间重构的故障检测策略
5
作者 张成 赵丽颖 +1 位作者 杨东昇 李元 《沈阳化工大学学报》 CAS 2023年第5期472-480,共9页
针对多模态工业过程数据中存在方差差异显著的问题,提出了一种基于LPP特征空间重构的故障检测策略.首先,采用局部保持投影对过程数据进行降维处理,去除数据的冗余信息和噪声,降低计算复杂度;其次,将变分高斯混合模型应用于过程数据,确... 针对多模态工业过程数据中存在方差差异显著的问题,提出了一种基于LPP特征空间重构的故障检测策略.首先,采用局部保持投影对过程数据进行降维处理,去除数据的冗余信息和噪声,降低计算复杂度;其次,将变分高斯混合模型应用于过程数据,确定操作模式的数量,并对每种模式下的数据进行聚类;再次,将每种模式下的数据利用所属模式的信息进行标准化处理,去除数据的多模态特征;最后,使用统计量T^(2)对过程进行监控.通过一个多模态数值例子和半导体蚀刻过程验证了所提方法的有效性. 展开更多
关键词 多模态故障检测 局部保持投影 变分高斯混合模型 标准化 半导体蚀刻过程
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基于局部保持嵌入-K近邻比率密度的半导体蚀刻过程故障诊断策略 被引量:2
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作者 张成 郑百顺 +2 位作者 郭青秀 冯立伟 李元 《控制理论与应用》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1342-1348,共7页
针对多模态间歇过程存在数据维度高且方差差异较大的特征,提出一种基于局部保持嵌入–K近邻比率密度(NPE–KRD)规则的故障检测方法.首先,利用局部保持嵌入(NPE)方法将原始的高维数据投影到低维空间;其次,在低维空间通过计算样本的密度... 针对多模态间歇过程存在数据维度高且方差差异较大的特征,提出一种基于局部保持嵌入–K近邻比率密度(NPE–KRD)规则的故障检测方法.首先,利用局部保持嵌入(NPE)方法将原始的高维数据投影到低维空间;其次,在低维空间通过计算样本的密度及其前K近邻密度的均值来建立K近邻比率密度(KRD);最后,根据核密度估计法确定统计量控制限并进行故障诊断.NPE方法既能够在低维空间保持数据局部近邻结构,又能够降低故障检测过程的计算复杂度.通过引入比率密度,NPE–KRD可以降低多模态方差结构差异对故障检测的影响,提高过程故障检测率.通过数值例子和半导体工业过程的仿真实验,并与主元分析、K近邻、局部保持嵌入等方法进行比较,验证了本文方法的有效性. 展开更多
关键词 局部保持嵌入 K近邻比率密度 半导体蚀刻过程 故障诊断 多工况
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邻域保持嵌入—加权k近邻故障检测算法及其在半导体蚀刻过程中的应用
7
作者 张成 郑晓芳 +3 位作者 郭青秀 冯立伟 戴絮年 李元 《信息与控制》 CSCD 北大核心 2019年第6期738-744,共7页
为了解决复杂的多模态过程故障检测问题,提出了邻域保持嵌入—加权k近邻规则(neighborhood preserving embedding-weighted k-nearest neighbors,NPE-wkNN)质量监控方法.首先,利用邻域保持嵌入(neighborhood preserving embedding,NPE)... 为了解决复杂的多模态过程故障检测问题,提出了邻域保持嵌入—加权k近邻规则(neighborhood preserving embedding-weighted k-nearest neighbors,NPE-wkNN)质量监控方法.首先,利用邻域保持嵌入(neighborhood preserving embedding,NPE)得到特征空间中数据的流形结构;然后,在特征空间中确定每个样本第k近邻的前K近邻集并计算样本的权重.最后,将样本的加权距离作为统计量对过程进行质量监控.NPE-wkNN方法在保持原始数据近邻结构的同时降低了计算复杂度,除此之外,权重规则消除了数据的多模态特征,从而提高了过程故障检测率.通过数值实例和半导体蚀刻工艺仿真实验,对比了传统的主元分析(principal component analysis,PCA)、NPE、k近邻(k-nearest neighbor,kNN)、加权k近邻(weighted kNN,wkNN)等方法,结果验证了本文方法的有效性. 展开更多
关键词 邻域保持嵌入 加权k近邻规则 故障检测 半导体蚀刻过程
原文传递
基于潜隐变量自相关性子空间划分的故障检测策略
8
作者 张成 郭青秀 李元 《沈阳化工大学学报》 CAS 2020年第4期369-376,共8页
针对主元分析(principal component analysis,PCA)中潜隐变量自相关性对故障检测的影响,提出一种基于潜隐变量自相关性子空间划分的故障检测策略(fault detection strategy based on dividing autocorrelation of latent variables,FDD... 针对主元分析(principal component analysis,PCA)中潜隐变量自相关性对故障检测的影响,提出一种基于潜隐变量自相关性子空间划分的故障检测策略(fault detection strategy based on dividing autocorrelation of latent variables,FDDA).首先,应用PCA将输入空间通过线性变换分解为主元子空间(principal component subspace,PCS)和残差子空间(residual subspace,RS).其次,依据潜隐变量自相关性的强弱,将上述两个子空间分别进行二次划分.综上,原始输入空间依据方差和自相关性信息被划分成4个子空间,并利用不同的监控指标进行故障检测.子空间划分方法既可以提取输入变量间的相关性,又可以捕获潜隐变量自相关性.通过4个子空间的联合监控,可以有效地解决动态过程的故障检测问题,具有较高的故障检测率.将FDDA方法应用在TE过程和半导体蚀刻过程,并与PCA、动态PCA(dynamic PCA,DPCA)、kNN等进行对比分析,仿真实验结果验证了FDDA方法的有效性. 展开更多
关键词 自相关性 主元分析 k近邻规则 TE过程 半导体蚀刻过程
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指数比率局部保持投影健康状态监控方法及其半导体蚀刻过程应用
9
作者 张成 郭青秀 李元 《沈阳化工大学学报》 CAS 2021年第4期366-373,共8页
针对局部保持投影在监控半导体蚀刻过程时T^(2)统计量的缺陷,提出指数比率局部保持投影健康状态监控方法(exponential ratio locality preserving projections health monitoring method,ERLPP).将半导体数据通过统计模量方法展开为二... 针对局部保持投影在监控半导体蚀刻过程时T^(2)统计量的缺陷,提出指数比率局部保持投影健康状态监控方法(exponential ratio locality preserving projections health monitoring method,ERLPP).将半导体数据通过统计模量方法展开为二维数据,利用局部保持投影将展开后数据投影到特征空间,首先确定特征空间中样本的第k近邻,称其为一步近邻;再确定第k近邻的前K近邻集,称其为二步近邻;最后通过一步近邻与二步近邻的指数比值运算构造统计量P.ERLPP方法不仅可以消除样本统计值的多模态特征并提高过程故障检测率,同时还可以在保持数据流形结构的前提下降低计算复杂度.通过数值例子与半导体蚀刻过程的仿真实验,并与主元分析、局部保持投影、邻域保持嵌入、k近邻规则等方法进行比较,测试结果验证了ERLPP方法的有效性. 展开更多
关键词 指数比率 局部保持投影 半导体蚀刻过程 k近邻规则
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基于DKNPE方法半导体蚀刻过程健康状态监视
10
作者 张成 戴絮年 +1 位作者 郭青秀 李元 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2020年第10期3038-3042,共5页
针对传统方法对非线性或多模态间歇过程的故障检测率低的问题,提出一种基于K近邻邻域保持嵌入得分差分(difference of K nearest neighbors score associated with neighborhood preserving embedding,DKNPE)的健康状态监视方法。首先,... 针对传统方法对非线性或多模态间歇过程的故障检测率低的问题,提出一种基于K近邻邻域保持嵌入得分差分(difference of K nearest neighbors score associated with neighborhood preserving embedding,DKNPE)的健康状态监视方法。首先,通过NPE方法计算训练数据集的得分矩阵,称其为样本的本质得分。然后,在训练数据集计算每个样本的K近邻均值,并将其投影到低维空间以获得样本的估计得分。接下来,在差分子空间(diffe-rence subspaces,DS)和差分残差子空间(difference residual subspaces,DRS)中分别建立两个新的统计量对样本进行过程监控。将本方法在两个模拟数值例子和半导体蚀刻过程中进行测试,并与PCA、FD-KNN和NPE等传统方法进行对比分析,测试结果验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 邻域保持嵌入 K近邻 半导体蚀刻过程 健康状态监视 故障检测
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用红外光学诊断技术监控工艺流程
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作者 高(编译) 《红外》 CAS 2006年第11期14-14,共1页
在一般的半导体蚀刻和薄膜淀积工艺流程中,晶片参数是在晶片加工完之后测量的。如果测得的参数不在所希望的容限范围内,则需要对工艺参数进行调整,同时还需要对更多的晶片进行测量,以验证测量值是否正确。这种后加工分析方法费时、... 在一般的半导体蚀刻和薄膜淀积工艺流程中,晶片参数是在晶片加工完之后测量的。如果测得的参数不在所希望的容限范围内,则需要对工艺参数进行调整,同时还需要对更多的晶片进行测量,以验证测量值是否正确。这种后加工分析方法费时、效率低,而且随着晶片尺寸的增加,其成本也会变得越来越高。 展开更多
关键词 工艺流程 技术监控 光学诊断 红外 晶片加工 半导体蚀刻 测量值 薄膜淀积
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