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高质量CdSe量子点的水相制备与表征 被引量:16
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作者 王益林 杨昆 +3 位作者 潘华桥 刘声燕 许献美 周立亚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2604-2608,共5页
以巯基丁二酸为稳定剂,亚硒酸钠为硒源,制备了高质量水溶性CdSe量子点.研究了反应时间、镉与硒的摩尔比及镉与巯基丁二酸的摩尔比等实验条件对CdSe量子点光谱性能的影响.分别用紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线粉末衍射和透射电子显微镜... 以巯基丁二酸为稳定剂,亚硒酸钠为硒源,制备了高质量水溶性CdSe量子点.研究了反应时间、镉与硒的摩尔比及镉与巯基丁二酸的摩尔比等实验条件对CdSe量子点光谱性能的影响.分别用紫外-可见光谱、荧光光谱、X射线粉末衍射和透射电子显微镜等对量子点进行表征.结果表明,采用这种方法制得的CdSe量子点为立方晶型,量子点的荧光发射峰在518~562 nm范围内连续可调,并且发射峰的半峰宽始终保持在35 nm左右,荧光量子产率可达21%. 展开更多
关键词 半导体纳米 光学性质 CDSE量子点
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生物荧光氧化硅纳米颗粒的研制与应用 被引量:6
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作者 朱诗国 唐珂 +6 位作者 向娟娟 吕红斌 李小玲 聂新民 周后德 沈守荣 李桂源 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第4期311-314,共4页
运用OP-10(壬基酚聚氧乙烯醚)/环己烷/氨水微乳液自组装体系合成了罗丹明B嵌入的荧光氧化硅纳米颗粒.通过电镜检测、光谱分析以及荧光猝灭试验研究了荧光颗粒的特性.将荧光纳米颗粒与培养细胞共培育后,通过激光扫描共聚焦显微镜和流式... 运用OP-10(壬基酚聚氧乙烯醚)/环己烷/氨水微乳液自组装体系合成了罗丹明B嵌入的荧光氧化硅纳米颗粒.通过电镜检测、光谱分析以及荧光猝灭试验研究了荧光颗粒的特性.将荧光纳米颗粒与培养细胞共培育后,通过激光扫描共聚焦显微镜和流式细胞仪研究了不同时间点细胞内荧光信号和荧光强度.结果表明,合成的荧光氧化硅纳米颗粒粒径小(约20nm),分布均匀,形态规则,表面光滑圆润,发光性质稳定.它可被体外培养细胞有效摄入,并可在培养细胞中检测到较强的荧光信号和较高的荧光强度.这提示生物荧光氧化硅纳米颗粒在细胞生物学、超微化学与免疫检测等领域将具有重要应用前景. 展开更多
关键词 氧化硅 纳米颗粒 纳米生物标志物 罗丹明B 半导体纳米 壬基酚聚氧乙烯醚 环己烷 自组装 细胞生物学 超微化学 免疫检测
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半导体纳米晶在生物标记领域的应用 被引量:4
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作者 侯博 刘拥军 +1 位作者 袁波 蒋峰芝 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期272-280,共9页
对半导体纳米晶的概念、性质、应用前景进行了概述,详细介绍了以ZnS、ZnSe半导体纳米晶体为代表的由IIB-VI族原子组成的低毒半导体纳米晶的制备、光谱学性质及其当前在生物标记领域的应用。
关键词 半导体纳米 制备 ZNSE ZNS 生物标记
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半导体纳米晶的光吸收系数与尺寸的关系 被引量:7
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作者 黄社松 陈东明 +1 位作者 何天敬 刘凡镇 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1999年第6期663-669,共7页
利用有效质量近似,考虑有限深势阱,对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究,提出了一个基本的模型.在强限制区,随着半导体纳米晶尺寸的减小,势阶壁对电子一空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度,对激子的质... 利用有效质量近似,考虑有限深势阱,对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究,提出了一个基本的模型.在强限制区,随着半导体纳米晶尺寸的减小,势阶壁对电子一空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度,对激子的质心运动的限制作用缓慢地增加了吸收振子强度,而跃迁频率的变化减小了吸收振子强度,这三者的总体贡献导致了光吸收系数的大大增强;在弱限制区,单位体积的光吸收振子强度趋于一个常数,这与著名的巨振子强度理论是一致的.用该模型计算的和用反尺寸立方关系模型计算的吸收系数同实验进行比较,其结果更与实验相。吻合. 展开更多
关键词 半导体纳米 EMA理论 有限泞势阱 光吸收系数
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丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO_2纳米晶薄膜电子转移机制 被引量:7
5
作者 李正顺 岳圆圆 +3 位作者 张艳霞 王岩 王雷 王海宇 《中国光学》 EI CAS CSCD 2015年第3期428-438,共11页
利用超快光谱技术系统研究了在丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO2纳米晶薄膜起始时刻界面间电子转移动力学。与之前的报道不同,该实验结果表明:CdSe量子点经过表面修饰后,两相电子注入机制——热电子和冷电子注入得以被证实,即:电子能... 利用超快光谱技术系统研究了在丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO2纳米晶薄膜起始时刻界面间电子转移动力学。与之前的报道不同,该实验结果表明:CdSe量子点经过表面修饰后,两相电子注入机制——热电子和冷电子注入得以被证实,即:电子能分别从CdSe量子点导带中高的振动能级和导带底转移到TiO2的导带。该机制详细描绘了电子在纳米界面间转移的图景。进一步研究发现:热电子注入的电子耦合强度(3.6±0.1 meV)比弛豫后的基态电子注入高两个数量级,基于Marcus理论,伴随着0.083 eV的重组能,冷电子注入的耦合强度值为-50μeV。 展开更多
关键词 量子点太阳能电池 半导体纳米 表面修饰 CDSE 热电子注入
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Large-scale synthesis of single-source, thermally stable, and dual-emissive Mn-doped Zn-Cu-ln-S nanocrystals for bright white light-emitting diodes 被引量:7
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作者 Lucheng Peng Dongze Li +5 位作者 Zhuolei Zhang Keke Huang Ying Zhang Zhan Shi Renguo Xie Wensheng Yang 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第10期3316-3331,共16页
The global demand for resource sustainability is growing. Thus, the development of single-source, environment-friendly colloidal semiconductor nanocrystal (NC) phosphors with broadband emission spectra is highly des... The global demand for resource sustainability is growing. Thus, the development of single-source, environment-friendly colloidal semiconductor nanocrystal (NC) phosphors with broadband emission spectra is highly desirable for use as color converters in white light-emitting diodes (WLEDs). We report herein the gram-scale synthesis of single-source, cadmium-free, dual-emissive Mn-doped Zn-Cu-In-S NCs (d-dots) by a simple, non-injection, low-cost, one-pot approach. This synthesis method led to the formation of NCs with continuously varying compositions in a radial direction because each precursor had a different reactivity. Consequently, the d-dots exhibited two emission bands, one that could be attributed to Mn emission and a second that could be ascribed to the band edge of the Zn-Cu-In-S NCs. The emission peaks assigned to band edge were tunable by modifying the particle size and composition. The prepared d-dots also exhibited the characteristic zero self-absorption, a quantum yield of 46%, and good thermal stability. Combining a commercial blue light-emitting diode (LED) chip with optimized d-dots as color converters gave a high color rendering index of up to 90, Commission Internationale de l'eclairage color coordinates of (0.332, 0.321), and a correlated color temperature of 5,680 K. These results suggest that cadmium-free, thermally stable, single-phase d-dot phosphors have potential applications in WLEDs. 展开更多
关键词 white light-emitting diodes(WLEDs) NANOCRYSTALS cadmium free Mn-doped Zn-Cu-In-S LIGHTING
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无膦方法合成高质量CdSe纳米晶及其光学性质 被引量:5
7
作者 赵慧玲 申怀彬 +1 位作者 王洪哲 李林松 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第3期691-694,共4页
以合成的十碳酸镉作为Cd前驱体,十八烯作为单质硒溶剂,并添加十八胺作为活性剂,在无三丁基膦或三辛基膦参与的条件下,以较低温度制备了具有闪锌矿结构的高质量的CdSe纳米晶.利用吸收光谱、荧光光谱(PL)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)... 以合成的十碳酸镉作为Cd前驱体,十八烯作为单质硒溶剂,并添加十八胺作为活性剂,在无三丁基膦或三辛基膦参与的条件下,以较低温度制备了具有闪锌矿结构的高质量的CdSe纳米晶.利用吸收光谱、荧光光谱(PL)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)对不同反应时间得到的CdSe纳米晶进行形貌和光谱性质表征.实验结果表明,采用该无膦法只需调控反应时间就可得到粒径均一、分散性好的CdSe纳米晶,其荧光波长可覆盖470-630nm的可见光区,而荧光峰半高宽则始终保持在24-30nm之间并具有较高的荧光量子产率(535nm处大于60%).最后,对CdSe纳米晶量子产率随反应时间变化的原因进行了分析. 展开更多
关键词 无膦合成 半导体纳米 CDSE 光学性质
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CdSe/CdS纳米晶在壳层形成和生长过程中的形貌调控:表面配体对晶体结构的决定性作用 被引量:1
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作者 郝俊杰 刘皓宸 +6 位作者 段西健 周子明 赵冰心 张文达 徐冰 孙小卫 Marie-Helene Delville 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第9期3621-3628,共8页
CdSe/CdS纳米晶是研究最多的半导体纳米晶之一,然而,仍有许多方面有待研究.本文中,我们揭示了核-壳纳米晶的形貌主要由表面配体和核心浓度控制,而非核心的晶体结构.其中,羧酸镉促进各向同性结构的生长,而相反地,长链膦酸镉有利于各向异... CdSe/CdS纳米晶是研究最多的半导体纳米晶之一,然而,仍有许多方面有待研究.本文中,我们揭示了核-壳纳米晶的形貌主要由表面配体和核心浓度控制,而非核心的晶体结构.其中,羧酸镉促进各向同性结构的生长,而相反地,长链膦酸镉有利于各向异性结构的制备.对于蝌蚪形貌纳米晶,羧酸镉对于头部壳层影响较大,而膦酸镉在各向异性尾部生长中起主要作用.与预期相反, CdSe核心的晶体结构(闪锌矿或纤锌矿)在决定最终的晶体形貌方面几乎没有作用,这可能是由于CdS壳层两个阶段的生长,并导致了蝌蚪形貌的生成.通过选择恰当的表面配体,可以在CdSe/CdS核壳结构形成和生长过程中精确地调控其形貌.在本工作中,蝌蚪、纳米花、点-棒结构、多足结构均可以通过调控表面配体的比率而获得.这种独特的晶体生长机制可以应用于其他基于种子生长的工艺以构筑各向异性纳米结构. 展开更多
关键词 半导体纳米 纳米 体结构 形貌调控 体形貌 各向异性 壳层 浓度控制
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铅基卤化物钙钛矿纳米晶掺杂研究进展 被引量:1
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作者 顾婉莹 曾毅成 李红博 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期769-778,共10页
铅基卤化物钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)半导体纳米晶由于具有窄半峰宽、可调发射波长、高荧光量子产率等优异的光电特性,在发光二极管、激光器、太阳能电池等领域有很广阔的应用前景。通过化学掺杂的方法将掺杂原子引入到钙钛矿纳米晶中... 铅基卤化物钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)半导体纳米晶由于具有窄半峰宽、可调发射波长、高荧光量子产率等优异的光电特性,在发光二极管、激光器、太阳能电池等领域有很广阔的应用前景。通过化学掺杂的方法将掺杂原子引入到钙钛矿纳米晶中,可以改变纳米晶的光电性质,包括带隙宽度、光致发光强度、荧光量子产率和稳定性,掺杂原子种类和浓度也会影响钙钛矿纳米晶的电子能带结构和荧光特性,因此针对钙钛矿纳米晶的掺杂成为了近年来的研究热点。ABX_(3)型纳米晶的A/B/X位均可被杂质原子取代,研究发现,B位掺杂对纳米晶性质的影响更为明显,综述了铅基卤化物钙钛矿纳米晶的B位掺杂方法、机理及对其结构和光电性能的影响,掺杂元素主要包括Mn,Ln,Sn和碱土金属等。掺杂上述离子可有效改善钙钛矿纳米晶光学性能和稳定性,并进一步推动其实际应用。 展开更多
关键词 铅基卤化物钙钛矿 半导体纳米 掺杂 荧光 金属离子
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离子注入制备纳米晶研究进展 被引量:3
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作者 封向东 王治国 +2 位作者 祖小涛 霍永忠 林理彬 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第9期46-48,36,共4页
离子注入技术是一种在材料近表面形成埋层纳米晶的一种非常有效的方法。纳米晶的出现使得基体材料具有特殊的物理性质。综述了近几年来利用离子注入技术形成的金属、半导体、磁性材料纳米晶的发展情况及其潜在的应用,并提出了现存的问题。
关键词 制备 研究进展 离子注入 金属纳米 半导体纳米 磁性材料纳米 纳米材料
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GaAs/SiO_2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究 被引量:2
11
作者 王浩 杨恢东 丁瑞钦 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期847-851,共5页
采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法 ,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了 Ga As/ Si O2 纳米晶镶嵌薄膜样品。激光拉曼光谱的测量结果表明 ,退火态样品 (4 0 0℃ ,6 0 min)的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移 ,红移量为 9.5... 采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法 ,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了 Ga As/ Si O2 纳米晶镶嵌薄膜样品。激光拉曼光谱的测量结果表明 ,退火态样品 (4 0 0℃ ,6 0 min)的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移 ,红移量为 9.5cm-1,对应薄膜中 Ga As纳米晶粒平均粒径约为 3nm。样品的室温吸收光谱测量结果表明 ,由于受量子限域效应的主导作用 ,与 Ga As块状单晶相比 ,样品光学吸收边呈现出明显的蓝移 ,蓝移量为 1.78e V,而且在吸收光谱上还出现了若干可分辨的吸收峰。 展开更多
关键词 薄膜 砷化缘 拉曼光谱 吸收光谱 半导体纳米
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高荧光的水溶性CdTe量子点的合成及其生长规律研究 被引量:4
12
作者 邓大伟 王珊珊 于俊生 《鲁东大学学报(自然科学版)》 2011年第1期44-50,共7页
以巯基乙酸(TGA)为稳定剂,通过有效引入Te源的方法,在水相中合成了高荧光的半导体CdTe量子点.其荧光发射波长在510—620nm范围内可调,最窄的半峰宽约为34nm,最高荧光量子产率可达到60%.用吸收和荧光光谱研究了其光谱特性,并用X射线粉末... 以巯基乙酸(TGA)为稳定剂,通过有效引入Te源的方法,在水相中合成了高荧光的半导体CdTe量子点.其荧光发射波长在510—620nm范围内可调,最窄的半峰宽约为34nm,最高荧光量子产率可达到60%.用吸收和荧光光谱研究了其光谱特性,并用X射线粉末衍射、透射电镜、EDX谱和红外光谱对合成的CdTe纳米晶的形貌、组成和结构进行了表征.实验考察了溶液的pH值和前体组成比对合成CdTe纳米晶的影响.实验结果表明,合成溶液的pH对CdTe量子点的光谱特性和生长速率具有显著影响.随后讨论了巯基乙酸对CdTe纳米粒子在水溶液中的稳定作用,探讨了CdTe纳米晶在不同pH条件下的生长规律,提出了修正的纳米晶生长模型. 展开更多
关键词 CDTE 半导体纳米 水相合成 高荧光量子产率 生长规律
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水热法制备核-壳结构的α-ZnS纳米晶 被引量:3
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作者 邓崇海 胡寒梅 +1 位作者 丁明 王章彪 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期474-476,473,共4页
以氯化锌和氨基硫脲为原料,采用配合物低温水热分解法,制备了具有核壳结构的αZnS半导体纳米晶。X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)确定所制备样品为纯ZnS,透射电镜(TEM)表明产品的形貌是核壳结构小球,电子衍射图案进一步证实... 以氯化锌和氨基硫脲为原料,采用配合物低温水热分解法,制备了具有核壳结构的αZnS半导体纳米晶。X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)确定所制备样品为纯ZnS,透射电镜(TEM)表明产品的形貌是核壳结构小球,电子衍射图案进一步证实核和壳均是由几个到十几个纳米的ZnS纳米晶组成的聚集体。荧光(FL)性质表明该样品有一定的量子尺寸效应。 展开更多
关键词 核-壳结构 X射线光电子能谱(XPS) 制备 水热法 X射线粉末衍射 半导体纳米 量子尺寸效应 氨基硫脲 热分解法 透射电镜 衍射图案 ZnS 氯化锌 低温水 配合物 聚集体 样品 小球 荧光
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CdS/CdSe核壳结构半导体纳米晶结构及光谱特性 被引量:3
14
作者 谢万兴 王德平 +3 位作者 吴立功 姚爱华 黄文旵 郁美娟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期219-224,共6页
采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSe/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdSC/SNCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能。通过X射线衍射,透射电镜和选区电子衍射分析证明了核壳结构的形... 采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSe/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdSC/SNCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能。通过X射线衍射,透射电镜和选区电子衍射分析证明了核壳结构的形成,并通过紫外可见光吸收光谱和荧光光谱分析证明了核壳结构对CdSe NCs荧光性能的改善。此外,实验结果表明:控制CdSe核合成中Cd前驱体溶液pH值能获得粒径分布较窄的CdSe/CdSC/SNCs;采用不同浓度比的Cd和Se前驱体溶液可以有效调节核壳结构半导体纳米晶的粒径;选择合适的CdSe与CdS摩尔比及壳层中Cd与S摩尔比能改善CdSe/CdSC/SNCs的荧光性能。 展开更多
关键词 半导体纳米 核壳结构 荧光
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半导体纳米晶光电性能的研究进展
15
作者 罗丽庆 林健 黄文旵 《光电子技术与信息》 CAS 2005年第3期1-5,共5页
综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况,着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能。这些研究表明,对于0—3nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺寸效应是... 综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况,着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能。这些研究表明,对于0—3nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺寸效应是产生晶体性质突变的主要原因之一。对纳米晶体结构和性能的深入研究,能为光电子材料的发展提供新的途径和思路。 展开更多
关键词 半导体纳米 尺寸效应 光电子性质
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合成半导体胶体纳米晶的新方法 被引量:1
16
作者 武振羽 付立民 +4 位作者 王永梅 王彦田 苗雁鸣 李前树 邹炳锁 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2004年第1期1-5,共5页
半导体纳米晶由于其独特的光学和电学性质在光学器件、医疗诊断、激光等方面有了越来越重要的应用。
关键词 半导体纳米 胶体 合成方法 荧光发光性质 配体 溶剂 镉前体
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过渡金属Mn离子掺杂的半导体纳米晶研究进展 被引量:3
17
作者 郑金桔 曹盛 黄金霞 《重庆师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第4期82-87,共6页
过渡金属掺杂的纳米材料具有高效、稳定和可调谐的可见-近红外发射光谱的特点,尤其是由于大的斯托克斯位移而抑制了发光材料自吸收的问题,已经成为光学材料中一个重要的分支。回顾了关于Mn离子掺杂纳米晶研究进展中的几个关键问题。得... 过渡金属掺杂的纳米材料具有高效、稳定和可调谐的可见-近红外发射光谱的特点,尤其是由于大的斯托克斯位移而抑制了发光材料自吸收的问题,已经成为光学材料中一个重要的分支。回顾了关于Mn离子掺杂纳米晶研究进展中的几个关键问题。得到晶核掺杂和生长掺杂方式相比于传统的"一锅法"在制备方式更有优势;从回顾关于Mn掺杂机理上的各种解释和在宿主纳米晶中引入大量的掺杂剂所面临的困难中,得出要获得掺杂浓度可控的量子点需要考虑纳米晶表面自清洁效应,纳米晶形状、晶体结构、晶面、表面活性剂以及Mn离子与宿主阳离子的尺寸差别引入的晶格压力等关键因素;利用理论和实验深刻解释了Mn离子的发光机理,指出宿主到Mn离子的高能量转移速率是获得高效的Mn离子发光的关键因素。通过对掺杂量子点的制备、掺杂机理以及发光机理的综合探讨,为制备掺杂浓度和掺杂位置可控的光学性能优良的掺杂量子点方面的研究提供参考。 展开更多
关键词 掺杂 半导体纳米 掺杂纳米 光学性能
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量子点在生物化学分析中的应用 被引量:1
18
作者 钟萍 《广州化学》 CAS 2008年第2期80-86,共7页
量子点(quantum dots,QDs)由于其优异的光学和电学特性,作为新型的荧光试剂探针对生物大分子进行标记,成为近年来迅速发展的纳米材料在生化分析领域的重要应用之一。文章简述了量子点的基本特性,对制备和修饰量子点的各种方法进行比较总... 量子点(quantum dots,QDs)由于其优异的光学和电学特性,作为新型的荧光试剂探针对生物大分子进行标记,成为近年来迅速发展的纳米材料在生化分析领域的重要应用之一。文章简述了量子点的基本特性,对制备和修饰量子点的各种方法进行比较总结,重点阐述量子点在生物化学分析中的新进展,尤其是对生物大分子的识别和标记作了详细的总结,并提出研究中存在的一些待解决的问题以及今后量子点的研究方向。 展开更多
关键词 量子点(QDs) 半导体纳米 生化分析
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水合肼还原亚碲酸钠一步合成波长可调的CdTe量子点 被引量:3
19
作者 王益林 马浩德 +1 位作者 刘声燕 李怀美 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1781-1786,共6页
以氯化镉和亚碲酸钠为原料、水合肼为还原剂,采用水相合成法制备巯基乙酸(TGA)稳定CdTe量子点(QDS)。研究反应时间、碲和镉的物质的量及巯基乙酸和镉的物质的量之比等实验条件对CdTe量子点发光性能的影响;并用高分辨透射电镜(HRTEM)、X... 以氯化镉和亚碲酸钠为原料、水合肼为还原剂,采用水相合成法制备巯基乙酸(TGA)稳定CdTe量子点(QDS)。研究反应时间、碲和镉的物质的量及巯基乙酸和镉的物质的量之比等实验条件对CdTe量子点发光性能的影响;并用高分辨透射电镜(HRTEM)、X线衍射(XRD)、紫外可见吸收光谱和荧光光谱等分析技术对其进行表征。研究结果表明:合成的量子点为立方晶型,颗粒粒度分布均匀;反应时间及反应物的相对用量对量子点的发光性能有明显影响;随着反应时间的延长,量子点的吸收与荧光光谱都向长波方向移动,在8 h内可获得发绿色到红色荧光的量子点;量子点的发光强度随反应时间的延长而减弱,最高荧光量子产率为27%。 展开更多
关键词 半导体纳米 化学合成 光学性质 发光
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微纳光子学中超快光谱的若干应用 被引量:2
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作者 孙洪波 王雷 王海宇 《物理》 CAS 北大核心 2015年第6期349-355,共7页
在光电器件的工作单元已经小到微米甚至纳米尺寸的今天,只有充分研究和了解单一元件及其复合系统的光物理性质,才能为进一步提高器件性能提出更好的可行性方案。将研究物质激发态过程的超快光谱技术引入微纳光子学,用来研究可能成为微... 在光电器件的工作单元已经小到微米甚至纳米尺寸的今天,只有充分研究和了解单一元件及其复合系统的光物理性质,才能为进一步提高器件性能提出更好的可行性方案。将研究物质激发态过程的超快光谱技术引入微纳光子学,用来研究可能成为微纳光电器件中基本功能单元的纳米光电材料的光物理特性,探索微纳尺度下光与物质的相互作用基本规律,便能为更好地理解现有微纳光电器件的工作机理提供重要的研究手段,为以后新型微纳光电器件的制备和改进提供可靠的实验依据。文章简单介绍了超快光谱的工作原理,重点介绍了超快光谱技术在半导体纳米晶和荧光碳纳米材料的光物理性质研究中的应用及其在微纳光子学中的应用前景。最后,对同时具有高时间分辨与高空间分辨能力的四维时间分辨显微光谱进行了简要介绍。 展开更多
关键词 光与物质相互作用 超快光谱 半导体纳米 荧光碳纳米材料
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