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半导体理论中一类抛物—椭圆耦合方程组混合初边值问题解的存在唯一性 被引量:8
1
作者 王元明 管平 《高校应用数学学报(A辑)》 CSCD 北大核心 1989年第3期411-427,共17页
本文讨论了在磁场影响下半导体器件中载流子运动的数学模型,这是一个抛物—椭圆耦合组的混合初边值问题。我们证明了该问题解的存在唯一性,而且给出了解的L~∞估计,从而推广了[5]、[6]、[7]中的一些结果。
关键词 半导体理论 抛物-椭圆 耦合方程组
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《半导体理论》课程思政建设探索与实践
2
作者 张贺秋 金秀梅 冯玉玲 《科研成果与传播》 2023年第1期2492-2494,共3页
立德树人工作是高校工作的根本任务,立德树人成效已经成为检验高校一切工作的根本标准。为了贯彻和 落实立德树人工作,将育人工作全覆盖教学过程,利用好课堂教学这个主渠道是关键。为深化“三全育人”综合 改革,推进研究生课程育人,构... 立德树人工作是高校工作的根本任务,立德树人成效已经成为检验高校一切工作的根本标准。为了贯彻和 落实立德树人工作,将育人工作全覆盖教学过程,利用好课堂教学这个主渠道是关键。为深化“三全育人”综合 改革,推进研究生课程育人,构建研究生课程思政的育人格局,开展了研究生课程《半导体理论》思政建设项目, 在教学大纲中明确课程思政教学目标,不断挖掘、提炼和积累课程思政元素,使思政内容与专业知识在课程教学 中浑然一体,在潜移默化中达到育人效果。 展开更多
关键词 立德树人 半导体理论 教学目标 课程思政 思政元素
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Black方程中电流密度因子及精确测量技术的研究
3
作者 李志国 孙英华 +4 位作者 邓燕 程尧海 郭伟玲 张万荣 张炜 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期49-52,共4页
本文对电迁徙参数电流密度因子n及n值的精确测量技术进行了深入研究。首次提出了电流密度因子动态电流斜坡测试法(DCR).该方法与传统的MIF法不同,利用专门设计的实验系统和实验样品,精确控制实验金属条温,消除了高电流密... 本文对电迁徙参数电流密度因子n及n值的精确测量技术进行了深入研究。首次提出了电流密度因子动态电流斜坡测试法(DCR).该方法与传统的MIF法不同,利用专门设计的实验系统和实验样品,精确控制实验金属条温,消除了高电流密度条件下焦耳热的影响,提高了n值的测量精度与速度。同时对四种不同材料实验样品的n值进行了测量和分析。结果表明,n值与材料、频率、占空比有关,与一定范围内的温度和电流密度无关。 展开更多
关键词 电迁徒 n因子 可靠性 测量技术 半导体理论
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Study of Squeezed Excitons in Polar Semiconductors
4
作者 YIN Miao CHENG Ze WU Zi-Xia PING Yun-Xia 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第3期545-549,共5页
Some properties of excitons in polar semiconductors are studied theoretically by means of squeezed state variational approach. This method makes it possible to consider bilinear terms of the phonon operators as well a... Some properties of excitons in polar semiconductors are studied theoretically by means of squeezed state variational approach. This method makes it possible to consider bilinear terms of the phonon operators as well as linear terms arising from the Lee-Low-Pines (LLP)-like transformation. The exciton ground state energy and binding energy are calculated numerically. It is shown that the squeezing effect is significant in the case of strong exciton-phonon coupling region. 展开更多
关键词 squeezed exciton electron-phonon interaction binding energy
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加速我国变流技术产业化的进程
5
作者 黄济荣 《科学中国人》 1998年第5期35-36,共2页
自然界存储着各种能量,这些能量可以相互转换,用来实现这种能量转换的物理装置称为变换器或变能器。电能是人们最广泛使用的一种能量,并以不同的形式存在,但这些有限的存在形式仍不能满足不同用户在不同场合的需求。半导体理论与工艺的... 自然界存储着各种能量,这些能量可以相互转换,用来实现这种能量转换的物理装置称为变换器或变能器。电能是人们最广泛使用的一种能量,并以不同的形式存在,但这些有限的存在形式仍不能满足不同用户在不同场合的需求。半导体理论与工艺的发展为解决这个长期困扰人们的问题提供了雄厚的物质和技术基础,促进了现代变流技术的发展。 展开更多
关键词 变流技术 变流器 产业化 晶闸管控制的移相器 电能变换 静止无功发生器 物理装置 变换器 半导体理论 高压直流输电
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带自动补偿的高精度温度测量电路
6
作者 赵合英 《电机电器技术》 2004年第3期17-18,共2页
介绍了一种带自动补偿高精度测量温度的是路
关键词 半导体理论 晶体管 集电极 单片机 温度测量电路 自动补偿
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高压大功率晶闸管反向恢复物理过程建模与计算
7
作者 刘隆晨 李亚伟 +2 位作者 喻悦箫 陈少卿 曹运龙 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2021年第3期247-253,共7页
为了从微观物理角度阐释大功率晶闸管反向恢复过程的内在机理,基于载流子运输方程和物理模型,结合晶闸管结构参数及边界初始条件,利用仿真软件SILVACO建立了晶闸管二维物理仿真模型.将该仿真模型与外电路拓扑结合,搭建了晶闸管反向恢复... 为了从微观物理角度阐释大功率晶闸管反向恢复过程的内在机理,基于载流子运输方程和物理模型,结合晶闸管结构参数及边界初始条件,利用仿真软件SILVACO建立了晶闸管二维物理仿真模型.将该仿真模型与外电路拓扑结合,搭建了晶闸管反向恢复特性的器件电路混合模型,并对晶闸管模型的电压阻断特性和反向恢复电流特性进行数值模拟,验证了模型的有效性.仿真研究了工频电流条件下晶闸管内部载流子浓度和复合率的变化规律,结果表明在工频电流正向衰减阶段,基区俄歇复合率接近SRH复合率;在反向恢复过程中,SRH复合占主导地位. 展开更多
关键词 换流阀 大功率晶闸管 半导体理论 反向恢复 微观物理 载流子分布 仿真计算 SILVACO软件
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半导体微腔物理及其应用 被引量:14
8
作者 郑厚植 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期481-491,共11页
半导体微腔物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域.本文就半导体微腔中自发辐射增强效应,腔极化激元与Rabi分裂,腔极化激元的色散关系,稳态与瞬态的光学性质,三维受限微腔和微腔激光器特性等作一概要介绍,力图重点地... 半导体微腔物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域.本文就半导体微腔中自发辐射增强效应,腔极化激元与Rabi分裂,腔极化激元的色散关系,稳态与瞬态的光学性质,三维受限微腔和微腔激光器特性等作一概要介绍,力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象. 展开更多
关键词 半导体微腔物理 半导体低维结构 半导体量子理论
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Investigation of Dynamical Parameters of Exciton Confined in CdS Spherical Quantum Dots with a B—Spline Technique 被引量:10
9
作者 HUIPing SHITing-Yun 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2003年第3期341-344,共4页
Exciton energies as a function of radii of quantum dots in the range of 5–35 ? are calculated based on effective mass approximation model with the B-spline technique and compared with experimental and other theoretic... Exciton energies as a function of radii of quantum dots in the range of 5–35 ? are calculated based on effective mass approximation model with the B-spline technique and compared with experimental and other theoretical data for the CdS dots. This method leads to accurate and fast convergent exciton energy, which are in good agreement with experimental data in the whole confinement regime. The effect of penetration of wave function from the inside to the outside of the dots and the effect of dielectric constants are taken into account. The magnitudes of dynamical parameters are discussed. It is found that the different materials surrounding the CdS quantum dot affect not only the potential energy and Coulomb interaction energy of the system, but also the effective masses. The comparison shows that the effective mass approximation model can describe very well the quantum size effects observed experimentally on the exciton ground state energy. 展开更多
关键词 exciton energies quantum dots B-spline technique quantum size effects
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纳米ZnO的光催化性能及软化学合成研究进展 被引量:4
10
作者 冯洁 祝春兰 《江西化工》 2004年第1期5-9,共5页
纳米ZnO是一种性能优异的新型功能材料 ,其应用前景非常广阔。本文仅对纳米ZnO的光催化性能及软化学合成的研究进展予以综述。
关键词 纳米ZNO 光催化性能 软化学合成技术 半导体光敏理论 光催化剂 PH值
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磁场对正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响 被引量:4
11
作者 李玉现 刘增军 +1 位作者 邸冰 刘建军 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期359-361,383,共4页
利用有效质量近似 ,计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能 ;与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较 ,得出合理的结果 ;
关键词 正方体量子点 类氢杂质 束缚能 磁场 半导体量子理论 量子线
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自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算 被引量:3
12
作者 李统藏 刘之景 王克逸 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2912-2917,共6页
对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算 .所得结果与最新实验结果相符 ,并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率 ,偏压很小时电流自旋极化率几乎为零 .
关键词 铁磁金属 自旋极化电子注人 自旋极化率 绝缘层厚度 隧道磁电阻 非零偏压 半导体极化理论
原文传递
ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程 被引量:3
13
作者 金华 张立功 +3 位作者 郑著宏 孔祥贵 安立楠 申德振 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3211-3214,共4页
用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运 探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱 ZnSe CdSe量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究 ,观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过程 .在ZnSe垒宽为 1 0nm ,1 5nm ,2 0nm时 ,测得激子隧穿时间分别为 ... 用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运 探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱 ZnSe CdSe量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究 ,观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过程 .在ZnSe垒宽为 1 0nm ,1 5nm ,2 0nm时 ,测得激子隧穿时间分别为 1 8ps,4 4ps,39ps. 展开更多
关键词 ZnCdSe量子阱 CDSE量子点 激子隧穿 半导体量子理论
原文传递
Effect of the Electron—Phonon Coupling on Barrier D^— Quantum Dots in Magnetic Fields 被引量:2
14
作者 XIEWen-Fang 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2002年第1期99-104,共6页
The influence of the electron-phonon coupling on the energy of low-lying states of the barrier D<SUP>-</SUP> center, which consists of a positive ion located on the z-axis at a distance from the two-dimens... The influence of the electron-phonon coupling on the energy of low-lying states of the barrier D<SUP>-</SUP> center, which consists of a positive ion located on the z-axis at a distance from the two-dimensional quantum dot plane and two electrons in the dot plane bound by the ion, is investigated at arbitrary strength of magnetic field by making use of the method of few-body physics. Discontinuous ground-state energy transitions induced by the magnetic field are reported. The dependence of the binding energy of the D<SUP>-</SUP> ground state on the quantum dot radius is obtained. A considerable enhancement of the binding is found for the D<SUP>-</SUP> ground state, which results from the confinement of electrons and electron-phonon coupling. 展开更多
关键词 quantum dot electron-phonon interaction few-body physics
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原子尺寸点接触中的电子输运性质 被引量:1
15
作者 戴振宏 余亚宾 孙金祚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期340-346,共7页
用二维-准-维-二维(2D-准1D-2D)模型,描述扫描隧道显微镜(STM)探头刺入金属单晶体表面再回拉而形成的探头与金属间的点接触,研究其电子输运性质。利用传输矩阵方法求解薛定谔方程,得出了以2e2/h为单位的鼻子化电导。对电... 用二维-准-维-二维(2D-准1D-2D)模型,描述扫描隧道显微镜(STM)探头刺入金属单晶体表面再回拉而形成的探头与金属间的点接触,研究其电子输运性质。利用传输矩阵方法求解薛定谔方程,得出了以2e2/h为单位的鼻子化电导。对电导随收缩区的收缩量和延伸量的变化规律进行了研究。 展开更多
关键词 STM 量子点接触 半导体量子理论 电子输运
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Four—Electron Systems in a Coupled Double—Layer Quantum Dots 被引量:1
16
作者 XIEWe-Fang 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2003年第3期365-368,共4页
Making use of the method of few-body physics, the energy spectrum of a four-electron system consisting in a vertically coupled double-layer quantum dot as a function of the strength ofa magnetic field is investigated.... Making use of the method of few-body physics, the energy spectrum of a four-electron system consisting in a vertically coupled double-layer quantum dot as a function of the strength ofa magnetic field is investigated. Discontinuous ground-state transitions induced by an external magnetic field are shown. We find that, in the strong coupling case, the ground-state transitions depend not only on the external magnetic field B but also on the distance d between double-layer quantum dots. However, in the case of weak coupling, the ground-state transitions occur in the new sequence of the values of the magic angular momentum. Hence, the interlayer separation d and electron-electron interaction strongly affect the ground state of the coupled quantum dots. 展开更多
关键词 半导体量子理论 双层量子斑点 四电子系统
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Weakly Coupled Three-Layer Quantum Dot with a Charged Impurity inMagnetic Field
17
作者 YANGJie ZHANGZHan-Jun 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2003年第3期369-372,共4页
The states of a weakly coupled 3-quantum-dot system with an external charged impurity located on the -axis are studied in a magnetic field. The evolutions of the true ground state with the magnetic field B are obtaine... The states of a weakly coupled 3-quantum-dot system with an external charged impurity located on the -axis are studied in a magnetic field. The evolutions of the true ground state with the magnetic field B are obtained for various impurity cases. It is found that the negative charge impurity would promote the phase transition of the true ground state. 展开更多
关键词 quantum dot charged impurity true ground state phase transition
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让上帝掷骰子吧
18
作者 唐云江 《Newton-科学世界》 2006年第7期F0005-F0005,共1页
20世纪初,众多天才的物理学家就创立了科学史上最具革命的理论——量子论。至今80多年过去了,量子论几乎渗透到所有的科学领域,取得了极大的成功,不断地改变着我们周围的世界,甚至我们的观念。没有量子论就不可能有半导体理论,也... 20世纪初,众多天才的物理学家就创立了科学史上最具革命的理论——量子论。至今80多年过去了,量子论几乎渗透到所有的科学领域,取得了极大的成功,不断地改变着我们周围的世界,甚至我们的观念。没有量子论就不可能有半导体理论,也就没有今天的计算机、移动电话等一系列高新技术,没有量子论也就没有今天的天体物理学,也就不可能了解恒星的演化和宇宙的结构,什么中子星、黑洞大概也都是天方夜谭。尽管量子论被证明是个“有用”且十分有效的理论,但是量子论的“表现”过于怪异,对量子论的解释也过于“离奇”, 展开更多
关键词 量子论 20世纪初 半导体理论 天体物理学 物理学家 高新技术 移动电话 科学史
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半导体物理
19
作者 李少霞 《国外科技新书评介》 2006年第2期7-7,共1页
本书是一本教材,系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念,本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介,介绍了半导体的定义和重要性、半导体... 本书是一本教材,系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念,本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介,介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态;第2章理想半导体的量子态,重点介绍了三维半导体的量子态;第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态;第4章均相半导体的统计学;第5章半导体中的迁移现象;第6章光效应; 展开更多
关键词 半导体物理 半导体理论 量子态 激发态 统计学 光效应 系统 理想 固体 一维
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