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808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制
1
作者
王翎
李沛旭
+5 位作者
房玉锁
汤庆敏
张新
夏伟
任忠祥
徐现刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期920-922,共3页
通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064...
通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中。20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53%。将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A。经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2%。
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关键词
半导体激光器
mini
阵列
InGaAsP/GaInP
应变量子阱
金属有机化合物化学气相淀积
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职称材料
题名
808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制
1
作者
王翎
李沛旭
房玉锁
汤庆敏
张新
夏伟
任忠祥
徐现刚
机构
山东大学
山东华光光电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期920-922,共3页
文摘
通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中。20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53%。将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A。经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2%。
关键词
半导体激光器
mini
阵列
InGaAsP/GaInP
应变量子阱
金属有机化合物化学气相淀积
Keywords
semiconductor laser
mini
bar
InGaAsP/GaInP
strained quantum well
Metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD）
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制
王翎
李沛旭
房玉锁
汤庆敏
张新
夏伟
任忠祥
徐现刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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