采用组合透镜阵列准直半导体激光器线阵 被引量：5

1

作者 樊桂花 吴健华 +2 位作者 孙华燕 郭惠超 梁丹华 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期32-36,共5页

为了满足半导体激光器线阵的远距离应用要求,需要对激光束进行准直处理。提出了一种由垂直双半圆柱透镜组合阵列构成的准直器,采用光线追迹的方法推导了激光束通过准直器的传输方程,分析了光线出射角与透镜阵列参数之间的关系,得出了准... 为了满足半导体激光器线阵的远距离应用要求,需要对激光束进行准直处理。提出了一种由垂直双半圆柱透镜组合阵列构成的准直器,采用光线追迹的方法推导了激光束通过准直器的传输方程,分析了光线出射角与透镜阵列参数之间的关系,得出了准直器的最优设计参数,然后在Zemax-EE非序列模式下仿真了此准直器的三维效果图以及探测器成像效果,得到的激光光斑接近于矩形,非相干照度集中在中央区域,并且经过准直器后的发散角大约为3mrad。设计的准直透镜可以同时压缩快慢轴的激光束发散角,制作简单,安装方便。 展开更多

关键词 激光 半导体激光器线阵 垂直双半圆柱透镜组合阵列 准直器

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半导体激光器线阵光束扭转对称化的实验研究 被引量：4

2

作者 高明伟 高春清 +1 位作者 何晓燕 魏光辉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期604-608,共5页

利用双焦望远系统和扭转柱透镜系统实现了半导体激光器线阵(LDbar)的扭转对称化,对称化后的光束在x和y两个方向的光束宽度、发散角和光束参量积接近相等,极大地改善了半导体激光器线阵光束的不对称性和像散特性,进行了以上变换的理论分... 利用双焦望远系统和扭转柱透镜系统实现了半导体激光器线阵(LDbar)的扭转对称化,对称化后的光束在x和y两个方向的光束宽度、发散角和光束参量积接近相等,极大地改善了半导体激光器线阵光束的不对称性和像散特性,进行了以上变换的理论分析和实验研究。作为应用实例,用对称变换后的光束进行了抽运固体激光器的实验,激光器基模输出的效率比用不变换前的光束有明显提高。 展开更多

关键词 激光技术 半导体激光器线阵 光束对称化 扭转光束

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半导体激光器线阵的棱镜组光束整形器和光纤耦合输出 被引量：2

3

作者 王春灿 张帆 +2 位作者 刘楚 宁提纲 简水生 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期664-666,共3页

针对半导体激光器线阵输出光束快慢轴方向光参数积不对称问题,提出并制作了基于直角棱镜片的光束整形器,其具有结构简单紧凑,制作安装容易的特点。通过数值仿真和实验对光束整形器进行了分析,研究表明整形器实现了半导体激光器线阵输出... 针对半导体激光器线阵输出光束快慢轴方向光参数积不对称问题,提出并制作了基于直角棱镜片的光束整形器,其具有结构简单紧凑,制作安装容易的特点。通过数值仿真和实验对光束整形器进行了分析,研究表明整形器实现了半导体激光器线阵输出光束的对称化,并且光束经过透镜聚焦后对数值孔径为0.46,直径为200μm的光纤进行耦合,效率为53%。 展开更多

关键词 激光技术 光束整形 半导体激光器线阵 光纤耦合

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半导体激光器

4

《中国光学》 EI CAS 2001年第2期21-24,共4页

TN248.4 2001020889超低阈值红色垂直腔面发射激光器=Ultralowthreshold red vertical-cavity surface-emittinglasers[刊,英]/程澎,高俊华,康学军,林世鸣,张光斌,刘世安,胡国新(中科院北京半导体所.北京(100083)//半导体学报.—2000,21... TN248.4 2001020889超低阈值红色垂直腔面发射激光器=Ultralowthreshold red vertical-cavity surface-emittinglasers[刊,英]/程澎,高俊华,康学军,林世鸣,张光斌,刘世安,胡国新(中科院北京半导体所.北京(100083)//半导体学报.—2000,21(1).-28-32Visible Vertical-cavity Surface-emitting Lasers(VCSELs)have been designed and fabricatd by usingmetalorganic vapor phase epitaxy.Using the 8λ opticalcavities with 3 quantum wells in 展开更多

关键词 半导体激光器线阵 半导体垂直腔面发射激光器 中科院 光纤光栅外腔半导体激光器 高功率半导体激光器 大功率半导体激光器 激光二极管线列阵 实验研究 量子点激光器 精密仪器

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半导体激光器线阵的瞬态热特性研究 被引量：2

5

作者 张蕾 崔碧峰 +3 位作者 李明 郭伟玲 王建军 沈光地 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期498-501,共4页

针对半导体激光器线阵,建立了二维的热传导模型,模拟计算得到了半导体激光器线阵的二维瞬态温度分布。分析表明器件温度随时间的变化过程可分为三个阶段:在加电后几十微秒的时间内,发光单元之间未出现热交叠,不同填充比的线阵器件的温... 针对半导体激光器线阵,建立了二维的热传导模型,模拟计算得到了半导体激光器线阵的二维瞬态温度分布。分析表明器件温度随时间的变化过程可分为三个阶段:在加电后几十微秒的时间内,发光单元之间未出现热交叠,不同填充比的线阵器件的温度基本一致;在几十微秒到几十或几百毫秒之间,大填充比结构线阵的发光单元之间先发生了热交叠,温度上升较快;微通道制冷的器件在几十毫秒之后温度达到稳定,平板热传导热沉封装的器件在几百毫秒之后温度才达到稳定。热传导热沉封装时,在相同的注入电流密度下,高填充比器件的发光单元之间出现温差更快。 展开更多

关键词 激光技术 半导体激光器线阵 热特性 瞬态

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快速成型机用能量源实现的两种新方案 被引量：1

6

作者 王高 周汉昌 +3 位作者 陈宏 朱林泉 程军 薄报学 《测试技术学报》 2003年第1期67-70,共4页

快速成型机的小型化、低成本化是当今快速成型机技术的主要发展方向 .利用高功率半导体激光器线阵替代 CO2 激光器和 YAG固体激光器 ,作为快速成型机的能量源 ,可以简化成型机的结构 ,降低成本 ,提高加工精度 ,减小成型机的体积 .通过试... 快速成型机的小型化、低成本化是当今快速成型机技术的主要发展方向 .利用高功率半导体激光器线阵替代 CO2 激光器和 YAG固体激光器 ,作为快速成型机的能量源 ,可以简化成型机的结构 ,降低成本 ,提高加工精度 ,减小成型机的体积 .通过试验 。 展开更多

关键词 快速成型机 能量源 半导体激光器线阵 光纤耦合型激光线阵

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激光快速成型系统新型能量源的研究

7

作者 王小妮 韩超 +1 位作者 朱林泉 马巧梅 《山西电子技术》 2008年第2期82-82,92,共2页

快速成型机的小型化、低成本化是当今快速成型机技术的主要发展方向。现有激光快速成型系统使用的激光光源大都是气体激光器。针对现有激光快速成形系统使用气体激光器存在的缺点,研究使用半导体激光器或光纤激光器的新型能量源来代替... 快速成型机的小型化、低成本化是当今快速成型机技术的主要发展方向。现有激光快速成型系统使用的激光光源大都是气体激光器。针对现有激光快速成形系统使用气体激光器存在的缺点,研究使用半导体激光器或光纤激光器的新型能量源来代替气体激光器。提出了使用高功率半导体激光器线阵和高功率光纤激光器线阵两种方案,并比较了利用此两种方案作为激光快速成型系统能量源的优缺点。 展开更多

关键词 快速成型技术 半导体激光器线阵 光纤激光器线阵 准直阵列

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横向微堆积大功率半导体激光器线阵的制备

8

作者 张蕾 崔碧峰 +5 位作者 高昕 李明 郭伟玲 王建军 王汝杰 沈光地 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期20-22,100,共4页

提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构,在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率,有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏(COD)。制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线阵列,在50A的工作电流下,其输出光功... 提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构,在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率,有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏(COD)。制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线阵列,在50A的工作电流下,其输出光功率可达到79.3W,斜率效率可达1.81W/A,是传统单有源区bar条的两倍多。 展开更多

关键词 激光技术 半导体激光器线阵 横向微堆积

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半导体激光器散热技术研究及进展 被引量：12

9

作者 程东明 杜艳丽 +2 位作者 马凤英 段智勇 郭茂田 《电子与封装》 2007年第3期28-33,共6页

在半导体大功率激光器的各种关键技术中，散热问题的解决是一个极其关键的技术。因为半导体激光器能产生很高的峰值功率，这些器件的电光转换效率为40％-50％，即所输入的电能50％-60％都转换为热能。在管芯焊接的地方产生的热流量大约... 在半导体大功率激光器的各种关键技术中，散热问题的解决是一个极其关键的技术。因为半导体激光器能产生很高的峰值功率，这些器件的电光转换效率为40％-50％，即所输入的电能50％-60％都转换为热能。在管芯焊接的地方产生的热流量大约为1KW·cm^2。这种热负载是限制激光器正常工作的关键因素。半导体激光器列阵与叠阵散热问题解决会直接关系到激光器的使用寿命，导致激光器有源区温度的迅速提高，从而引起激光器的光学灾变，甚至烧毁半导体激光器。大功率激光器列阵及叠阵在高功率的二极管泵浦固态激光器（DPSSL）系统中有很大的应用，市场发展潜力很大。因此，有必要发展大功率激光器列阵及叠阵。随着大功率激光器列阵及叠阵的迅速发展，与其有关的关键技术也应该加以研究。 展开更多

关键词 半导体激光器列阵 半导体激光器叠阵 热沉 散热技术

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大功率半导体激光器叠阵的光学性能 被引量：10

10

作者 周旻超 江先锋 +1 位作者 张丽芳 孙博书 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期14-17,共4页

半导体激光器由于其光电转换效率高、亮度高、寿命长等特点,是用于抽运固体激光器的最佳选择。作为抽运源,要求半导体激光器具有很好的光学性能,主要包括出射光束的发散角和指向性。半导体激光器的发散角很大,要对其进行光束压缩整形并... 半导体激光器由于其光电转换效率高、亮度高、寿命长等特点,是用于抽运固体激光器的最佳选择。作为抽运源,要求半导体激光器具有很好的光学性能,主要包括出射光束的发散角和指向性。半导体激光器的发散角很大,要对其进行光束压缩整形并控制光束的指向性是一项很难的技术,对于多个半导体激光器组成的叠阵要保证其每一个巴条的光学性能良好更是不容易做到。从研究半导体激光器光束质量的控制着手,制作出一个带快轴准直的60个巴条的激光器叠阵,其峰值功率高达18kW,叠阵整体快轴发散角小于0.2°(3.5mrad),每个巴条的指向性在±0.15°(±2.6mrad)以内。 展开更多

关键词 激光器 半导体激光器叠阵 快轴准直 光学性能

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高温硬焊料准连续半导体激光器巴条叠阵的性能研究 被引量：4

11

作者 江先锋 张丽芳 +1 位作者 郭栓银 李江 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期563-566,共4页

以巴条叠阵结构及封装方法为基础,研制了一组高温硬焊料准连续半导体激光器巴条叠阵,并研究了其相关的光电性能和寿命特征。结果表明,所研制的器件在200 A的工作电流下,重复频率250 Hz、脉宽200μs时,单巴峰值功率>200 W,50%光谱宽度... 以巴条叠阵结构及封装方法为基础,研制了一组高温硬焊料准连续半导体激光器巴条叠阵,并研究了其相关的光电性能和寿命特征。结果表明,所研制的器件在200 A的工作电流下,重复频率250 Hz、脉宽200μs时,单巴峰值功率>200 W,50%光谱宽度<3 nm,电光转换效率>50%,寿命达到4.71×109shots时的功率衰减<15%;当工作电流为150 A时,预期寿命高达1.5×1010shots。 展开更多

关键词 半导体激光器叠阵 硬焊料 准连续

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高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术 被引量：3

12

作者 皮浩洋 辛国锋 +3 位作者 程灿 瞿荣辉 方祖捷 陈高庭 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第5期822-825,共4页

高功率半导体激光器光谱随温度和工作电流的变化比较大,光谱线宽比较宽,这些缺点直接限制了其实际应用。因此,高功率半导体激光器波长稳定技术的研究是激光领域的一个重要研究方向。对波长稳定技术进行研究。实验用体布拉格光栅(VBG)作... 高功率半导体激光器光谱随温度和工作电流的变化比较大,光谱线宽比较宽,这些缺点直接限制了其实际应用。因此,高功率半导体激光器波长稳定技术的研究是激光领域的一个重要研究方向。对波长稳定技术进行研究。实验用体布拉格光栅(VBG)作为反馈元件与高功率半导体激光器线阵列,构成可以对其波长进行锁定的外腔激光器。分析了外腔激光器的波长锁定效果与高功率半导体激光器工作电流、冷却温度、工作电流的占空比和"smile"现象等因素的关系。研究结果表明,高功率半导体激光器的工作电流、冷却温度、工作电流的占空比会影响其激射波长,当激射波长与VBG的布拉格波长差值小于3.0nm时,可以得到较好的波长锁定效果,而阵列本身的"smile"现象对其波长锁定的影响不大。 展开更多

关键词 波长锁定 半导体激光器线阵列 体布拉格光栅 外腔

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9OOnm高功率半导体激光器线阵列 被引量：3

13

作者 辛国锋 冯荣珠 +1 位作者 陈国鹰 花吉珍 《激光与光电子学进展》 CSCD 2003年第3期43-44,共2页

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温... 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A。 展开更多

关键词 半导体激光器线阵列 金属有机化台物气相淀积 单量子阱 材料结构 制作工艺

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808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计 被引量：1

14

作者 杨晔 刘云 +7 位作者 秦莉 王烨 梁雪梅 李再金 胡黎明 史晶晶 王超 王立军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期35-38,共4页

采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光... 采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。 展开更多

关键词 半导体激光器线阵列 隔离沟道 腐蚀深度 电流扩散 电流分布

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大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究

15

作者 张楠 崔碧峰 +6 位作者 刘斌 邹德恕 李建军 高国 张蕾 王智群 沈光地 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期529-532,共4页

利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度... 利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。 展开更多

关键词 半导体激光器线阵列 电流扩展 隔离槽 腐蚀深度

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分立型半导体激光器线阵温度场分析

16

作者 赵捍东 李冬 《华北工学院测试技术学报》 2001年第2期116-120,共5页

目的　研究半导体激光器线阵的温度场分布 ,为设计冷却方案提供理论依据 .方法　用分离变量法推导简化后系统的温度场分布函数 ,获得理论最高温度所在位置 ;建立合理的有限元模型 ,在 ANSYS系统上进行数值仿真 .结果　得到系统稳定后的... 目的　研究半导体激光器线阵的温度场分布 ,为设计冷却方案提供理论依据 .方法　用分离变量法推导简化后系统的温度场分布函数 ,获得理论最高温度所在位置 ;建立合理的有限元模型 ,在 ANSYS系统上进行数值仿真 .结果　得到系统稳定后的温度场分布图 ,确定了半导体激光器线阵在整个工作时间内的最高温度及其所在位置 .结论　根据简化后的数学模型 ,用有限元法得到的温度场分布与用分离变量法进行的理论分析得到的结论相一致 . 展开更多

关键词 分立型半导体激光器线阵 温度场 分离变量法 分布函数 数值仿真 有限元法

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