期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
离子束外延生长半导体性锰硅化合物 被引量：3
1
作者 杨君玲 陈诺夫 +4 位作者 刘志凯 杨少延 柴春林 廖梅勇 何宏家 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1429-1433,共5页
利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18... 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 展开更多
关键词 半导体性锰硅化物 硅单晶 离子束外延生长
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部