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半导体微腔物理及其应用 被引量：14
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作者 郑厚植 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期481-491,共11页
半导体微腔物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域．本文就半导体微腔中自发辐射增强效应，腔极化激元与Rabi分裂，腔极化激元的色散关系，稳态与瞬态的光学性质，三维受限微腔和微腔激光器特性等作一概要介绍，力图重点地... 半导体微腔物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域．本文就半导体微腔中自发辐射增强效应，腔极化激元与Rabi分裂，腔极化激元的色散关系，稳态与瞬态的光学性质，三维受限微腔和微腔激光器特性等作一概要介绍，力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象． 展开更多
关键词 半导体微腔物理 半导体低维结构 半导体量子理论
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