Y90-62009-407 0003760耿氏二极管的基本原理与制造=The Gunn-diode:fun-damentals and fabrication[会,英]/van Zyl,R.& Per-old,W.//Proceedings of the 1998 South African Sympo-sium on Communications and Signal Processing(...Y90-62009-407 0003760耿氏二极管的基本原理与制造=The Gunn-diode:fun-damentals and fabrication[会,英]/van Zyl,R.& Per-old,W.//Proceedings of the 1998 South African Sympo-sium on Communications and Signal Processing(COM-SIG’98).—407～412(PC)简单介绍了耿氏二极管。讨论了耿氏振荡的基本原理,并通过相关模拟予以说明。给出了典型的空腔耿氏二极管模拟。介绍了低功率耿氏二极管制造过程。参6N2000-06366 0003761电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM98-210～222(信学技报,Vol.98,No.652)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—1999.03.—89P.(L)本文集为 MOS 器件技术、SOI展开更多
Y2000-62523 01057162000年 IEEE 国际微电子测试结构会议录=2000IEEE international conference on microelectronic teststructures[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—IEEE.2000.—251P.(PC)本次会议由 IEEE 电子器件学会主办,...Y2000-62523 01057162000年 IEEE 国际微电子测试结构会议录=2000IEEE international conference on microelectronic teststructures[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—IEEE.2000.—251P.(PC)本次会议由 IEEE 电子器件学会主办,于2000年3月13～16日在加州蒙特里召开。该会议录共收录44篇论文。内容涵盖临界尺寸方法,器件特征。展开更多
Y99-61799-365 0007491场发射阵列的技术与材料=Field emitter arrays tech-nologies and materials[会,英]/Kleps,I.& Banoiu,G.//Proceedings of 1998 International SemiconductorConference,Vol.2.—365～368(UG)利用不同的微...Y99-61799-365 0007491场发射阵列的技术与材料=Field emitter arrays tech-nologies and materials[会,英]/Kleps,I.& Banoiu,G.//Proceedings of 1998 International SemiconductorConference,Vol.2.—365～368(UG)利用不同的微加工技术已加工出具有各种图形特点的硅发射阵列。其发射极的几何形状能利用变化其技术参数(腐蚀率,选择性和表面形貌)进行修正。为改进其场发射特性,还能用各种材料对硅发射极进行包敷。展开更多
文摘Y90-62009-407 0003760耿氏二极管的基本原理与制造=The Gunn-diode:fun-damentals and fabrication[会,英]/van Zyl,R.& Per-old,W.//Proceedings of the 1998 South African Sympo-sium on Communications and Signal Processing(COM-SIG’98).—407～412(PC)简单介绍了耿氏二极管。讨论了耿氏振荡的基本原理,并通过相关模拟予以说明。给出了典型的空腔耿氏二极管模拟。介绍了低功率耿氏二极管制造过程。参6N2000-06366 0003761电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM98-210～222(信学技报,Vol.98,No.652)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—1999.03.—89P.(L)本文集为 MOS 器件技术、SOI
文摘Y2000-62523 01057162000年 IEEE 国际微电子测试结构会议录=2000IEEE international conference on microelectronic teststructures[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—IEEE.2000.—251P.(PC)本次会议由 IEEE 电子器件学会主办,于2000年3月13～16日在加州蒙特里召开。该会议录共收录44篇论文。内容涵盖临界尺寸方法,器件特征。
文摘Y99-61799-365 0007491场发射阵列的技术与材料=Field emitter arrays tech-nologies and materials[会,英]/Kleps,I.& Banoiu,G.//Proceedings of 1998 International SemiconductorConference,Vol.2.—365～368(UG)利用不同的微加工技术已加工出具有各种图形特点的硅发射阵列。其发射极的几何形状能利用变化其技术参数(腐蚀率,选择性和表面形貌)进行修正。为改进其场发射特性,还能用各种材料对硅发射极进行包敷。
